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微结构 文章

微结构不均匀性(负载效应)及其对器件性能的影响:对先进DRAM工艺中有源区形状扭曲的研究

  • 随着晶体管尺寸缩小接近物理极限,制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能(和良率)的主要因素。而对于先进的DRAM,晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。在DRAM结构中,电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。随着晶体管尺寸缩小接近物理极限,制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能(和良率)的主要因素。而对于先进的DRAM,晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。在本研究中,我们将为大家呈现,如何利用SEMulator3D研究先进DR
  • 关键字: DRAM  微结构  
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