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开关损耗 文章

简单的速率控制技术可降低开通能耗

  •   Wolfgang Frank (英飞凌)  摘 要:电力电子系统(如马达)中的开关损耗降低受到电磁干扰(EMI)或开关电压斜率等参数的限制。通常是通过选择有效的功率晶体管栅极电阻来解决这一问题。但这在运行中是无法自主进行调整的。  本文将介绍一种通过并联常规栅极驱动芯片来攻克这一难题的简单方法。文中还介绍了与开通能耗改进有关的表征数据的评估。  关键词:马达;开关损耗;EMI;开关电压斜率;栅极驱动  0 引言  连接MOS栅极功率晶体管的栅极电阻选型,一般有2个优化目标。首先,应通过选择电阻值较小的
  • 关键字: 202006  马达  开关损耗  EMI  开关电压斜率  栅极驱动  

理解MOSFET时间相关及能量相关输出电容Coss(tr)和Coss(er)

  • Understanding time-related and energy-related output capacitances Coss(tr) and Coss(er)刘松(万国半导体元件(深圳)有限公司,上海 静安 200070)      摘要:本文论述了功率MOSFET数据表中静态输出电容Coss、时间相关输出电容Coss(tr)和能量相关输出电容Coss(er)的具体定义以及测量的方法,特别说明了在实际的不同应用中,采用不同的输出电
  • 关键字: 输出电容  死区时间  开关损耗  超结  201904  

MOSFET开关损耗分析

  • 摘要:为了有效解决金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET栅极电荷、极间
  • 关键字: MOSFET  带电插拔  缓启动  开关损耗  

技术解析:有效地降低开关电源开关损耗的原理

  • 基于电感的开关电源(SM-PS)包含一个功率开关,用于控制输入电源流经电感的电流。大多数开关电源设计选择MOSFE...
  • 关键字: 开关电源  开关损耗  

浅析让IGBT更快的技巧

  • IGBT关断损耗大;拖尾是严重制约高频运用的拦路虎。这问题由两方面构成:1)IGBT的主导器件—GTR的基区储...
  • 关键字: IGBT  开关损耗  

论述如何控制IGBT逆变器设计中的杂散电感

  • IGBT技术不能落后于应用要求。因此,英飞凌推出了最新一代的IGBT芯片以满足具体应用的需求。与目前逆变器设...
  • 关键字: 反向恢复  过压  开关损耗  

零电压开关技术在降压稳压器上的应用

  • 对降压稳压器的关键要求通常是尺寸和效率。由于印制电路板面积弥足珍贵,哪个设计人员也不愿意分配额外的空...
  • 关键字: 零电压  开关损耗  功率密度  

开关调节器的效率(忽略交叠开关损耗)

  • 了解了开关管V和续流二极管D的电流D(见图d、e)就可以计算电路的损耗和效率。若电流流过开关管V和二极管D...
  • 关键字: 开关调节器  开关损耗  

开关调节器的效率(考虑交叠开关损耗)

  • 交叠开关损耗(或称为电压电流重叠损耗),可以根据某时段内电压电流的动态曲线按照上升电流和下降电压的斜率...
  • 关键字: 开关调节器  开关损耗  

理解MOSFET开关损耗和主导参数

  • 本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知...
  • 关键字: MOSFET  开关损耗  主导参数  

功率MOSFET的开关损耗的研究

  • 本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知...
  • 关键字: 功率MOSFET  开关损耗  

国内高频变换中小功率逆变电源存在问题分析

  • 20世纪70年代初期,20kHzPWM型开关电源的应用在世界上引起了所谓“20kHz电源技术革命”。逆变电源按变换方式...
  • 关键字: 磁性材料  开关损耗  谐振  

FPGA平台实现最小开关损耗的SVPWM算法

  • 摘要:详细分析了SVPWM的原理,介绍一种根据负载的功率因子来决定电压空间零矢量的分配与作用时间的SVPWM算法,使得桥臂开关在通过其电流最大时的一段连续时间内没有开关动作。这样在提高开关频率的同时减小了开关电
  • 关键字: SVPWM  FPGA  开关损耗  算法    

MOSEFT分析:理解功率MOSFET的开关损耗

  • 本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知...
  • 关键字: mos/开关损耗  

理解功率MOSFET的开关损耗

  • 本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。

  • 关键字: MOSFET  开关损耗    
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开关损耗介绍

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