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嵌入式闪存 文章

华虹半导体最新推出90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台 助力大容量MCU解决方案

  • 全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司近日宣布,最新推出90纳米超低漏电(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式闪存(eFlash)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)工艺平台,满足大容量微控制器(MCU)的需求。该工艺平台作为华虹半导体0.11微米超低漏电技术的延续,以更低的功耗和成本为客户提供具有竞争力的差异化解决方案,适用于物联网、可穿戴式设备、工业及汽车电子等方面的应用。 新近推出的90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台1.5V 核心N型和P型MOS晶体管
  • 关键字: 嵌入式闪存  

华虹半导体第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台 成功量产

  • 华虹半导体有限公司宣布其第三代90 纳米嵌入式闪存(90nm eFlash)工艺平台已成功实现量产。
  • 关键字: 华虹  90纳米  嵌入式闪存  

嵌入式闪存成就MAX 10 FPGA的系统价值

  • 30年的低成本创新中国有句俗话叫“30年河东,30年河西”,Altera在1984年发布了第一款非易失PLD EP300器件,30年间,可编程器件在性能上不断发展甚至挑战摩尔定律,工艺技术也有了长足的进步,电子设计领
  • 关键字: MAX10  FPGA  嵌入式闪存  Altera  

ST推出业内首款90nm技术嵌入式闪存的微控制器

  • 日前,意法半导体(ST)宣布在基于ARM Cortex-M系列处理器内核的微控制器研发项目上取得突破,推出全球业内首款采用90nm技术嵌入式闪存的微控制器。目
  • 关键字: 嵌入式闪存  微控制器  Cortex-M  

闪迪新一代 iNAND EXTREME 嵌入式闪存加快旗舰级安卓智能手机与平板电脑响应速度

  • 全球闪存解决方案领导厂商闪迪公司日前宣布推出新一代 iNAND Extreme™ 嵌入式闪存盘 (EFD) – 这是迄今为止闪迪推出的最快、最薄、最精良的嵌入式存储产品。 容量高达 64GB1 的 iNAND Extreme 样品已送至全球精选客户手中。全球移动设备制造商能够藉此突破设计瓶颈,推出新一代超高响应速度和优异性能的安卓智能手机和平板电脑。
  • 关键字: 闪迪  嵌入式闪存  iNAND  Extreme  

MCU市场生变:进为可攻 退因难守

  •   MCU市场波澜再起。国内闪存供应商兆易创新近日发布基于ARMCortexTM-M3内核GD32F103系列32位通用MCU产品。与此同时,富士通子公司富士通半导体宣布退出MCU业务,作价约1.1亿美元以及6500万美元库存卖给另一闪存芯片供应商Spansion(飞索)。一进一退之间的MCU市场变化都指向两个“超现实”问题:一是闪存厂商进入MCU市场有何优势?二是国内厂商在32位MCU市场到底有多大腾挪空间?   进为可攻   嵌入式闪存已成为MCU市场中最为重要的一种差异化
  • 关键字: MCU  嵌入式闪存  

XFAB 0.18um高压工艺提供嵌入式闪存

  • X-FAB Silicon Foundries 在XH018 0.18um高压工艺上增加高可靠性的嵌入式闪存(eFlash)方案。此方案提供了业界最少的光罩版数,32层,其中包含数字、模拟、高压元件、并闪存,而闪存只要额外2层光罩。对高阶片上混合信号系统芯片(SoCs),此方案具有极高的性价比,其中的45V高压元件与嵌入式内存,EEPROM、非挥发性随机内存(NVRAM) 、嵌入式闪存(eFlash),更适用于高速微处理器、数字电源、和车用电子。
  • 关键字: X-FAB  嵌入式闪存  

宏力半导体0.13微米嵌入式闪存成功量产

  •   上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体),专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一,宣布其代工的0.13微米嵌入式闪存首个产品已成功进入量产阶段。   宏力半导体的0.13微米嵌入式闪存制程结合了其基于SST SuperFlash®(1)上已经量产的自对准分栅闪存技术和自身的0.13微米逻辑技术。闪存单元尺寸只有0.38平方微米,是目前0.13微米技术节点上最小的单元尺寸,其卓越的性能还能支持最大到16Mbit的SoC设计,在业内十分具有竞争力。   这一最小的单元同时还满足了编程效率
  • 关键字: 宏力半导体  嵌入式闪存  0.13微米  

华虹NEC实现“国家金卡工程优秀成果金蚂蚁奖”三连冠

  •   2010年6月7日,国家金卡工程协调领导小组办公室在北京举行了“2010年度国家金卡工程优秀成果金蚂蚁奖”颁奖仪式。世界领先的纯晶圆代工厂之一,上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)自主研发的“SONOS 0.13微米嵌入式闪存(eFlash)技术”荣获“2010年度国家金卡工程优秀成果金蚂蚁奖-优秀应用成果奖”,这是华虹NEC连续第三年获得这一殊荣。此次获奖是对华虹NEC在智能卡领域多年来所
  • 关键字: 华虹NEC  晶圆代工  嵌入式闪存  

台积电发布0.18微米车用嵌入式闪存硅知识产权

  •   TSMC今日宣布推出0.18微米车用嵌入式闪存硅知识产权,是TSMC第二代符合AEC-Q100产品高规格认证之硅知识产权,适用于广泛的车用电子产品。   TSMC 0.18微米车用嵌入式闪存硅知识产权与0.25微米嵌入式闪存硅知识产权相较,减少了百分之二十七的芯片尺寸。现今0.18微米技术世代拥有已经大量开发的硅知识产权,并能支持多种应用,同时达到低成本与高效能的综效。运用TSMC获认证的0.18微米车用嵌入式闪存硅知识产权,客户能够将其目前的0.18微米产品范围延伸至车用微控制器(MCU)产品领域
  • 关键字: 台积电  嵌入式闪存  MCU  

宏力推出客户定制嵌入式闪存IP设计服务

  •   上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体),专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一, 开发了其针对不同应用的多样化设计方案。基于该设计方案,客户可在宏力半导体经过硅验证的技术平台上进行设计,从而更为有效,同时减少风险。   丰富的高性能、通过硅验证的IP模块系列,对客户现有的IC设计起到了优势互补的作用。该系列可提供各种混合信号IP,内嵌ESD保护电路的高性能IO,以及嵌入式闪存IP模块 (包括BIST和flash macros等)。   宏力半导体是唯一一家由SST授权拥有0.25-0.13
  • 关键字: 宏力  嵌入式闪存  IP  

华虹NEC推出业界领先的0.13微米嵌入式EEPROM解决方案

  •   世界领先的纯晶圆代工厂之一,上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)近日宣布,公司基于0.13微米嵌入式闪存(eFlash)工艺平台,成功开发出面向高性能智能卡、信息安全及微处理器等应用的嵌入式EEPROM(电可擦可编程只读存储器)解决方案,充分展现了华虹NEC在嵌入式非挥发性存储器(eNVM)技术上的领先地位和创新优势。   华虹NEC的0.13微米嵌入式EEPROM是在已有的0.13微米嵌入式Flash平台上开发的,实现了Flash和EEPROM的完美兼容,也
  • 关键字: 华虹NEC  晶圆代工  嵌入式闪存  

英飞凌携手台积电开发65纳米嵌入式闪存工艺

  •   英飞凌科技股份公司与台湾积体电路制造股份有限公司今日共同宣布,双方将在研发和生产领域扩大合作,携手开发面向下一代汽车、芯片卡和安全应用的65纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)制造工艺。根据该项协议,英飞凌与台积电将携手开发65纳米工艺技术,用于生产符合汽车行业严格的质量要求及芯片卡和安全行业苛刻的安全要求的嵌入式闪存微控制器(MCU)。   与TSMC扩大合作符合英飞凌制造外包及通过合作大力开发65纳米以下工艺的战略。对于汽车应用而言,65纳米嵌入式闪存工艺可确保最高的功能集成度,实现即将出台的
  • 关键字: 台积电  65纳米  嵌入式闪存  

宏力半导体首度技术论坛 客户积极参与场面爆棚

  •   国内知名的晶圆代工厂上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体) 日前在上海总部举办了自2003年投片生产以来的首次技术论坛。此次论坛得到了宏力半导体客户的积极支持,不仅上海客户踊跃参加,更有多家北京、深圳和华东地区的客户专程来沪与会。同时,产业主管部门、行业协会以及合作伙伴等各方也派代表出席。会场气氛热烈,座无虚席。   宏力半导体首席执行官舒马赫博士 (Dr. Ulrich Schumacher) 率先演讲,坦陈公司发展策略、未来规划以及公司架构。接着,销售市场及服务资深副总卫彼得博士 (Dr.
  • 关键字: 宏力半导体  嵌入式闪存  OTP  晶圆  

宏力半导体发布先进的0.13微米嵌入式闪存制程

  •   上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体),专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一,发布其先进的0.13微米嵌入式闪存制程。   宏力半导体的新0.13微米嵌入式闪存制程结合了其已经量产的自对准分栅闪存技术和自身的0.13微米逻辑技术。该授权闪存技术具有单元尺寸小,编程效率高和无过度擦除的优点,显著减少了嵌入式闪存模块的面积,在市场上极具竞争力。与此同时,此新技术具有极高的耐擦写能力和数据保持特性,可重复擦写10万次,数据可保留100年。   该新制程兼容了宏力半导体0.13微米所有的通用和低
  • 关键字: 宏力  嵌入式闪存  MCU  USB密钥  智能卡  汽车电子  
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嵌入式闪存介绍

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