- 据国外媒体报道，尔必达总裁阪本幸雄上周五接受媒体采访时表示，该公司计划在中国大陆和台湾建厂，以满足市场需求并减少税收成本。
阪本幸雄表示，尔必达必将进军中国市场，该公司最早将于2012年与一家台湾芯片制造商合作到大陆建厂，并希望寻求中国政府的支持。尔必达还将加快其台湾合资公司瑞晶电子第二家工厂的建设进程。
阪本幸雄预计，随着电脑销量回升以及新款移动设备对存储芯片需求的增加，尔必达本财年有望实现创纪录的利润和收入。三星电子上月表示，今年将向芯片业务投资89亿美元，约为尔必达的10倍。海力士也
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尔必达 存储芯片
- 据报道，日本DRAM大厂尔必达今天宣布已经研发出40nm 2Gb移动(Mobile RAM)内存颗粒。该颗粒大小不到50平方毫米，号称目前能够使用40nm工艺实现量产的最小颗粒。该2Gb移动内存颗粒基于40nm CMOS工艺，支持x16-bit、x32-bit位宽，采用60/90-ball FBGA或PoP式FBGA封装。除JEDEC标准的1.8V电压外，该颗粒还可支持1.2V的低电压工作，数据传输率400Mbps，工作温度-25到85度。
尔必达称，新40nm颗粒在使用了尔必达独家设计工艺以及
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尔必达 40nm 内存
- 日本DRAM大厂尔必达今天宣布，已经成功开发出4Gbit容量DDR3内存颗粒。这是目前市场上DDR3颗粒的最大容量，只需单面8颗即可组成 4GB容量内存条，双面16颗即可构成单条8GB内存。该颗粒使用40nm CMOS工艺制造，相比同工艺的2Gb颗粒可节能30%。支持x4、x8、x16 bit位宽，其中x4/x8位宽版本采用78-ball FBGA封装，x16bit产品采用96-ball FBGA封装。除DDR3标准的1.5V电压外，还可支持1.35V低压标准。
尔必达计划将该颗粒使用在单条32
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尔必达 40nm CMOS DDR3
- 据国外媒体报道，日本最大的计算机内存芯片制造商尔必达周三发布了该公司2010财年初步财报。财报显示，受内存芯片价格上涨及PC销量增长的推动，尔必达在过去三年中首次实现盈利。
内存价格的大幅上涨，使得处于长期亏损的内存芯片制造商纷纷实现了盈利。尔必达财报显示，在截至3月31日的2010财年，尔必达的净利润为20亿日元。这一业绩好于2009财年，尔必达在2009财年的净亏损为1789亿日元。
根据亚洲最大芯片现货市场的交易商集邦科技(Dramexchange Technology Inc)此前
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尔必达 内存芯片
- 本月早些时候，日本尔必达公司向美国佛吉尼亚东区法庭提交了针对英飞凌公司和百思买公司的诉状，指这两家公司违反国际贸易委员会(ITC)的有关规定。尔必达公司指控这两家公司生产/销售/进口的产品侵犯了自己有关移动设备用半导体集成电路的几项专利。
不仅如此，尔必达公司还向该法院递交了另外一份诉状，诉状指英飞凌公司生产的微控制器产品触犯了尔必达公司几项与汽车电子设备有关的专利。
为此，尔必达公司在诉状中请求美国法院禁止这两家公司生产/销售的有关产品在美国地区进口/销售，并要求对已售出的有关产品对尔必
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尔必达 微控制器
- 尔必达近日向美国法院对英飞凌提起两项专利侵权诉讼，此次诉讼可以看作是尔必达对英飞凌起诉的反击，双方的半导体芯片大战开始升级。
诉讼之一，尔必达称英飞凌侵犯了其三项与手机有关的微控制器美国专利，这其中就涉及英飞凌为苹果iPhone生产的微控制器。第二项诉讼是英飞凌侵犯用于汽车组件的微控制器专利。
尔必达在手机微控制器侵权声明中表示，英飞凌拒绝了尔必达的专利授权，在不顾尔必达专利的情况下继续出售微控制器。
该手机微控制器诉讼中还提到了百思买，原因则是后者销售使用侵犯尔必达专利微控制器的手
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尔必达 半导体芯片 微控制器
- 据业者透露，台湾华邦公司最近已经开始为尔必达内存公司代工GDDR显存芯片产品，其月产能为5000片晶圆。不过，由于华邦认为NOR闪存毛利更高，因 此其保留了部分产能用来制作NOR闪存，这便导致目前华邦公司的GDDR芯片产能仅能满足尔必达一半的需求。
据业者分析，由于尔必达公司显存业务量的激增，尔必达目前对华邦GDDR芯片的产能需求在每月1万片左右，而华邦则被NOR闪存最近的涨价风声所吸引，增大了NOR闪存的产能，这样自然就影响到了其GDDR闪存的产能。
华邦计划到下半年将其NOR闪存芯片的
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尔必达 NOR闪存
- 3月4日消息，据国外媒体报道，尔必达公司今日表示，计划收购美国晶片制造商Spansion的NAND闪存资产。Spansion是由日本富士通和AMD组建的合资企业，该公司去年3月申请破产。
尔必达记忆体将斥资30-50亿日元(合3400-5700万美元)收购Spansion的NAND相关资产，其中包括在意大利的一个研发工厂。
尔必达希望提供半导体模组，结合DRAM和闪存功能。这些模组在苹果iPhone等智能手机方面的运用增长趋势明显，尔必达正在追赶DRAM领域的领军企业三星电子和海力士半导体
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尔必达 NAND闪存 DRAM
- 日本尔必达周四称，计划收购美国晶片制造商Spansion的NAND闪存资产。
尔必达希望提供半导体模组，结合DRAM和闪存功能。这些模组在苹果iPhone等智能手机方面的运用愈发增加。尔必达正在追赶DRAM领域的领军企业三星电子和海力士半导体。
尔必达发言人Hiroshi Tsuboi表示，该公司正在就获得Spansion的闪存技术，及意大利的四五十名工程师进行谈判。他拒绝就该公司将为该收购案斥资的规模进行评论。
日本经济新闻报导称，尔必达记忆体将斥资30-50亿日圆(合3400-5
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尔必达 DRAM
- 日本经济新闻报导，日厂尔必达(Elpida)与台厂力晶合资成立的瑞晶，计划在2010年度内将DRAM产能提高为目前的2倍。
日经报导，双方将投资约400亿日圆(约4.3亿美元)将瑞晶产线全数转进45奈米制程，以提高生产效率。
另一方面，尔必达亦计划对该公司生产主力的广岛厂加码投资600亿日圆进行增产，估计含瑞晶在内，总产能将扩增为1.6倍，可望追上三星电子(Samsung Electronics)。
报导指出，瑞晶目前月产能为7.5万片(以12寸晶圆计)，目前采用的是65奈米制程技术
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- 尔必达公司近日宣布其位于广岛的芯片厂已经开始量产40nm制程2Gb DDR3内存芯片产品，尔必达公司今年10月份刚刚完成40nm制程2Gb DDR3内存芯片技术的开发工作，而他们只用了两个月的时间便将这项技术投入了量产。
比较现有的50nm制程技术，40nm制程能在每片晶圆上多产出44%的DDR3内存芯片，而且新制程用于生产1.6Gbps规格的DDR3内存芯片时的良率可达100%。芯片工作电压方面，40nm制程的DDR3芯片也比50nm制程的产品的1.5V降低了2/3左右，达到1
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尔必达 40nm 2Gb DDR3
- 尔必达公司近日宣布完成了基于其新65nm XS(extra-shink)制程1Gb DDR3内存芯片产品的开发工作，并称使用这种新制程技术制作出的内存芯片在制作成本方面要比现有的50nm制程内存芯片更低。当应用在300mm尺寸晶 圆上时，这种65nm XS制程相比其前代65nm S(shrink)制程(08年开发完成)的产出量能提升25%。新的65nm XS制程除了可以进一步缩小芯片的尺寸之外，还可以显著减小厂方在制造设备上的费用投资。
这种65nm XS制程技术的1Gb DDR3内存芯片面向的
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尔必达 65nm DDR3
- 12月11日讯，据国外媒体报道，受到内存需求大于供给的利好影响，日本最大的内存生产企业尔必达内存公司(Elpida Memory Inc)可能在2010年本财年结束时实现开业三年来首次出现年度赢利。
尔必达内存公司首席执行官坂本幸雄(Yukio Sakamoto)宣称：“由于今年全球电脑市场对内存需求大于供给，我们也将在本财年结束时首次实现年度盈利。”
日本东京Ichiyoshi投资管理公司的总裁秋野充(Mitsushige Akino)宣称：“尽管这种
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- 据台湾经济日报报道，日本记忆体晶片大厂尔必达与台湾茂德、华邦结盟，市场揣测会趁势入股茂德与华邦。尔必达社长坂本幸雄昨日首度对入股茂德与华邦猜测松口表示：“目前没有，但以后的事很难说。”强调尔必达会积极与台湾DRAM厂“共同抗韩”的立场。
茂德董事长陈民良透露，将引进新的投资对象，目前潜在合作对象有四个集团，但坚决不透露是谁中选。
业内揣测，有意入股或金援茂德者，可能是结盟的尔必达，或已是茂德大股东的联电。另外，外传旺宏有意买下茂德竹科8吋与1
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- 台“立法院经济委员会”本月26日一致投票通过反对台经济部一项要求政府向台湾创新记忆体公司(TIMC)注资的提案，这意味着台湾当局主导的力图重建本土内存工业的改革计划第四次遭到政府其它部门的反对。
与此形成鲜明对比的是，韩国联合通讯社本月26日援引韩国知识经济部的说法，称南韩政府计划支持三星以及海力士公司开发自旋极化磁随机存取内存技术(STT-MRAM)的项目.政府将于2014年前向该项目注资240亿韩元(合2050万美元)，占项目总预算的一半。
此前三星与海力士公司
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尔必达介绍
Elpida ELPIDA\尔必达是日本最主要的DRAM半导体芯片制造厂商,主要生产DRAM颗粒,并且自己制造原产的ELPIDA内存条.Elpida在欧美市场以提供高品质的DRAM类产品而著称,但因在大陆地区韩系厂商的流行,且本身定位于高端产品所以目前在中国较少有货物销售,但同时也为广大业者带来潜在的商机.
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