- 继海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作开发新世代内存ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技术和材料，尔必达(Elpida)与夏普(Sharp)亦宣布共同研发ReRAM，让次世代内存技术研发掀起跨领域结盟热潮，内存业者预期，未来ReRAM、3D NAND Flash、相变化内存(Phase Change RAM;PRAM)和磁性随机存取内存(Magnetic RAM;MRAM)等次世代内存，将会有一番激烈竞争。
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尔必达 ReRAM 次世代内存
- 个人计算机(PC)需求不振连累DRAM价格重挫，尔必达(Elpida)社长坂本幸雄坦承将下修公司获利目标，同时在台湾转投资瑞晶R2厂的扩产计划也将踩刹车。2010年在3、4月DRAM大缺货之际，尔必达内部规划广邀PC客户入股来协助瑞晶扩产，届时将依照投资比重来分配DRAM货源，但传出DRAM价格崩盘后，PC客户早已溜之大吉，瑞晶的扩产计划只好喊卡，然尔必达广岛厂的扩产进度仍将如期进行。
坂本幸雄表示，PC市场在传统旺季的需求未如预期，将连累尔必达的财报获利受到影响，但DRAM价格其实下修幅度已大
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尔必达 DRAM
- 据国外媒体报道，尔必达计划面向本地的私人投资者发行6000亿日元(约合7.28亿美元)可转债。
根据尔必达周五发布的公告，这一可转债为5年期，利率0.5%。筹集的资金将用于偿还债务，以及升级半导体制造设备。尔必达是全球第三大计算机存储芯片厂商，该公司在追赶业界领头羊三星电子的过程中正面临压力。后者目前每年支出100亿美元来提升芯片产能。
周五，尔必达在东京股票交易所的股价上涨5.2%。不过在当天早盘的交易中，尔必达股价曾一度大跌5.6%。东京新生证券高级分析师松元泰裕指出，这一股价反转是由
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尔必达 存储芯片
- 最近，内存颗粒的工艺进步速度非常快，最先进的30nm工艺甚至已经超过了处理器。在功耗与散热方面也有了长足的进步。
今天我们得到最新消息，继三星之后，尔必达也成功开发出采用30nm工艺的2Gb容量DDR3 SDRAM内存颗粒，并且核心面积和功耗都创下业界新纪录。
据了解，尔必达这种颗粒最高支持DDR3-1866频率，可以在1.35V低电压下实现1600MHz频率。同时，其工作电流相比同厂40nm产品工作电流降低15%，待机电流下降10%。
尔必达声称该内存颗粒是目前世界上体积最小的产品
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尔必达 DDR3 30nm
- 尔必达正在考虑收购力晶(Powerchip)和茂德(ProMOS)股份，以抵御三星的竞争，并有望引发全球半导体行业近十多年来最大规模的重组。
行业整合
尔必达总裁阪本幸雄在本周接受媒体采访时表示，力晶、茂德以及华邦(Winbond)三家中国台湾的半导体公司都是可能的股权收购目标。他表示，尔必达希望获得这些企业20%至30%的股份，而且这些交易都有可能会引发收购，尽管谈判尚未开始。
阪本幸雄说：“这些台湾厂商几乎不可能依靠自己的力量生存。如果不采取一些措施，我们也很难生存。
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尔必达 存储芯片
- 据国外媒体报道，全球第三大电脑存储芯片制造商尔必达CEO阪本幸雄周一表示，由于PC需求放缓导致芯片价格下滑，该公司很可能无法达到此前的盈利预期。
阪本幸雄在周一接受媒体采访时表示，截至明年3月的财年内，尔必达营业利润将在1000亿日元(约合12亿美元)至1200亿日元之间，销售额预计为6000亿日元至6500亿日元。阪本幸雄此前预计，尔必达本财年实现营业利润1600亿日元，实现销售额7000亿日元。
阪本幸雄表示，由于增速慢于预期，尔必达将推迟提升中国台湾产能的计划。过去一个月间，由于担心
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尔必达 存储芯片
- 据《日本经济新闻》周三报道，尔必达计划在今年12月开始量产40纳米以下的DRAM芯片，此举预计可节省生产成本约30%。尔必达即将量产的DRAM芯片线宽仅略大于30纳米，比三星电子的最新制程更小。至目前为止，三星仍是全球首家跨入40纳米制程以下的公司。
报道称呢个，尔必达已开发出的“双重曝光 (double-patterning)”新技术，能用现有的设备来达成更精细制程，而无需进行大规模的资本投资。
尔必达位于日本广岛的工厂，将于12月率先量产新DRAM芯片;瑞晶电子
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尔必达 DRAM 30纳米
- 尔必达内存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示，该公司与Spansion公司(Spansion Inc.)已开发出一款新闪存芯片，拥有比现有芯片更为简单的信元结构，该公司计划于2011年开始在其日本西部的工厂批量生产该芯片。
这家日本芯片制造商表示，该公司采用了所谓的电荷撷取(charge trap)技术来开发这个4G的NAND闪存芯片，该芯片的信元结构不同于现有的以传统浮动栅(floating gate)技术制造的NAND闪存芯片。该公司表示，这项新技术可帮助生产较目前市场
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尔必达 NAND
- 尔必达公司今天宣布，他们已经开发出了一款新品2Gb容量DDR2移动存储芯片，号称全球最小的LPDDR2颗粒，FBGA封装后封装尺寸仅有10x11.5mm。
该内存颗粒主要面向智能手机和平板机市场，运行在1.2V低压下，可实现1066Mbps的高数据传输率，64bit配置上每秒可传输8.5GB数据。由于使用了40nm工艺制造，该颗粒的功耗比上代50nm产品低30%。
尔必达计划以多种形式出货该内存颗粒，包括用于堆叠封装的裸片，以及PoP或FBGA封装后出货。
尔必达称，目前其广岛工厂的
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尔必达 存储芯片 FBGA
- 日本内存芯片厂商尔必达公司最近宣称公司已经开发出了世界尺寸最小的LPDDR2内存芯片，这种芯片的容量密度达2Gb，采用40nm制程技术制作，芯片 的型号为ECB240ABBCN，芯片数据传输率达1066Mbps，工作电压为1.2V，可在-30-85℃条件下工作。LPDDR2是JEDEC组织 认可的低功耗DDR2内存标准，支持这种标准的芯片产品专门面向智能手机，平板电脑等移动设备。
尔必达称该内存芯片产品将于今年8月份开始量产，产品将以Pop型FBGA封装和134脚FBGA两种封装形式供货，并可以
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尔必达 40nm LPDDR2
- 日厂尔必达(Elpida)将与飞索半导体(Spansion)扩大合作范围，双方除共同研发NAND Flash制程技术与产品外，尔必达将为飞索半导体代工生产NAND Flash。另外，尔必达亦在研拟双方合作研发NOR Flash，并为其代工的可能性。
据悉，尔必达已取得飞索的NAND IP技术的授权，该项技术乃是以其称为MirrorBit的独家技术为基础。此外，尔必达计划自2011年起透过旗下的广岛12寸厂，为飞索代工生产高阶NAND Flash，而双方亦将各自进行客户营销。
路透(Reut
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尔必达 NAND
- 由于电脑行业复苏推动全球第三大电脑存储芯片制造商尔必达扭亏为盈，因此该公司计划削减债务，并购买资产。
负责管理财务和会计事务的尔必达高管Takehiro Fukuda说：“我们将寻求包括并购和合作在内的各种机会。”他表示，尔必达将进一步拓展业务范围，包括智能手机和电视芯片。除此之外，还准备年底将权益负债率(debt-to-equity ratio)从1.3降低到1，并最终降到0.3。
在芯片价格大幅下滑导致尔必达2008年出现创纪录的亏损后，该公司从日本开发银行获得
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尔必达 存储芯片
- 日本尔必达公司最近完成了采用铜互连技术的50nm制程 2Gb密度GDDR5显存芯片的开发，这款产品据称是在尔必达设在德国慕尼黑的设计中心开发完成的。尔必达表示公司将于今年7月份开始试销这种50nm 2Gb GDDR5显存样片，而这款产品的量产则预计会定在今年7-9月份的时间段。
据尔必达表示，其设在广岛的芯片厂将负责这款2Gb GDDR5显存芯片的生产，另外尔必达还透露公司1Gb密度的GDDR3/GDDR5显存芯片产品已经外包给了台湾华邦公司代工。
GDDR显存的主要用途是图形图像处理
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尔必达 50nm 显存
- 据台湾媒体援引尔必达公司CEO Yukio Sakamoto的说法报道，日本内存厂商尔必达计划联合台系内存厂商在大陆兴建芯片厂，据称该芯片厂将于2012年建成投入使用。
据悉该芯片厂将负责生产大陆消费者所需要的芯片产品，该媒体还报道称尔必达很可能会寻求大陆政府对该项目的资金援助。
据分析，台湾茂德公司是尔必达该项目最有可能的合作伙伴之一，而力晶半导体的可能性则位居第二。该报道还称这间合资芯片厂可能会是一间基于200mm晶圆技术的工厂，将专门负责生产非标存储芯片产品。
早在2008年8
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尔必达 存储器
- 日前传闻尔必达可能牵手台湾茂德来中国建存储器厂，引起业界兴趣。如今不管项目成与否?作些准备还是十分有必要的。
尔必迖在中国建厂的目的
尔必达社长坂本幸雄是个有野心之人，誓言要与三星争个高低，作全球存储器第一。之前他的努力欲联合台湾地区的存储器业，结果由于美光的插足等原因，使其目的仅达成一半。如今又想到中国，因此它的目的非常清楚，要扩大产能，缺资金是首位，所以要中国政府来投资;另一方面是希望获得优惠政策，加上利用中国的市场及人力等来降低生产制造成本。
中方的策略
中国方面要考虑些
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尔必达 存储器
尔必达介绍
Elpida ELPIDA\尔必达是日本最主要的DRAM半导体芯片制造厂商,主要生产DRAM颗粒,并且自己制造原产的ELPIDA内存条.Elpida在欧美市场以提供高品质的DRAM类产品而著称,但因在大陆地区韩系厂商的流行,且本身定位于高端产品所以目前在中国较少有货物销售,但同时也为广大业者带来潜在的商机.
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