- 随著存储器容量越来越大，NAND Flash产业制程在进入20纳米制程后，也开始遇到瓶颈，业界在未来制作更大容量存储器上，面临是否继续发展纳米的抉择。日本方面尽管在微缩的技术上些微领先最大竞争对手公司韩国三星电子(Samsung Electronics)，但短期内该技术也将可能面临瓶颈，因此如东芝(Toshiba)及尔必达(Elpida)等公司，均已决定投入3D存储器的开发。
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尔必达 NAND
- DRAM产业产品价格一再破底，但DRAM厂募资脚步却从未停歇，像茂德计划募资是为寻找活下去的救命钱，尔必达(Elpida)日前也宣布要发行500 亿日圆(约新台币179亿元)新股和近300亿日圆的可转债，决定大举投入30纳米和25纳米制程，并加码行动装置用存储器的技术投资。不过由于尔必达这次在市场景气低迷之际，进行如此大规模的募资行动，也引发市场不小争议。
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尔必达 DRAM
- 据路透社报道，世界第三大芯片制造商日本尔必达公司近日计划发行新股和可转换债券，融资近800亿日元(折合9.92亿美元)。尔必达从传统的DRAM芯片生产转向了更为有利可图的智能手机芯片生产，因此需要此笔资金进行新的研发和生产。
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尔必达 DRAM
- 北京时间7月11日午间消息，据知情人士透露，全球第三大DRAM制造商尔必达计划通过发行新股和可转换债券的方式融资800亿日元(约合9.92亿美元)。
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尔必达 存储芯片
- 尔必达存储器宣布，开始样品供货采用TSV(Through Silicon Via，硅贯通孔)技术积层4个2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1个接口芯片的单封装DDR3 SDRAM。尔必达表示采用TSV技术实现32bit的输入输出“在全球尚属首次”。据尔必达介绍，与采用引线键合(Wire Bonding)技术的现有SO-DIMM(Small-Outline Dual Inline Memory Module)相比，新产品可以大幅削减耗电量和封装体积，因此有助于平板终端和超薄型笔记本电脑(PC)等节省
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尔必达 SDRAM
- 日本尔必达公司27日宣布已经开始销售采用穿硅互连技术(TSV)制作的DDR3 SDRAM三维堆叠芯片的样品。这款样品的内部由四块2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通过TSV三维堆叠技术封装为一块8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相当1GB容量)，该三维芯片中还集成了接口功能芯片。
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尔必达 DRAM
- 据日本媒体报道，近日世界半导体市场统计机构WSTS发布了关于2011年世界半导体出货统计的预测。WSTS报告指出，2011年全球半导体出货额将达3144亿美元(25兆1520亿日元)，同比增长了5%。受地震影响，日本半导体出货额将减少6%。
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尔必达 半导体
- 日本半导体巨头尔必达及其子公司秋田尔必达22日宣布，已开发出全球最薄的动态随机存储器(DRAM)，4块叠加厚度仅为0.8毫米。
超薄DRAM将有助于减少智能手机等移动设备的厚度，增大其容量。制造成本则和目前厚度1毫米的DRAM相同。
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尔必达 DRAM
- DRAM价格持续处于跌价泥淖，不只台系DRAM厂陆续转型、退出，国际大厂也在寻求长远生存之道，近日传出尔必达(Elpida)、美光 (Micron)、南亚科高层接触频繁，为未来可能的合作暖身，其中华亚科成为这次整并的中心点，因此也传出尔必达对华亚科的股权有兴趣，为此和美光、台塑接洽;业界认为DRAM产业未来在技术、资金等门槛越来越高下，若要有效对抗三星电子(Samsung Electronics)，美日结盟势为必走之路。
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尔必达 DRAM
- DRAM产业走过2008年底的全球金融风暴后，仍旧是跌多涨少，即使各厂都把产能转去做其它产品，如Mobile RAM、服务器DRAM等，PC DRAM仍是面临持续崩跌局面，因此集成的议题持续被讨论;金士顿(Kingston)创办人孙大卫即表示，台湾DRAM产业不集成只有死路一条;某台厂 DRAM厂高层即表示，整并最恰当的方式是2家母厂(美光、尔必达)先自行整并，台湾DRAM厂自然会集成。
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尔必达 DRAM
- 日本尔必达公司近日宣布成功开发出了DRAM业界首款使用HKMG技术的2Gbit密度LPDDR2 40nm制程级别DRAM芯片产品。HKMG技术即指晶体管的栅极绝缘层采用高介电常数(缩写为high-k即HK)材料，栅电极采用金属材料 (Metalgate即MG)。采用这种技术的晶体管可减小栅漏电流并提升晶体管的性能。
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尔必达 DRAM
- 日系存储器大厂尔必达(Elpida)台湾人事和营运布局大地震，总经理谢俊雄6月初闪电退休，职缺暂由全球业务副总张士昌兼任，同时尔必达也着手整顿台湾PC DRAM通路代理，由过去2~3家代理商的策略，收回由力晶关系人近期秘密成立的新通路商智胜统筹，另外也传出尔必达将小幅入股智胜，象征与力晶之间的合作关系紧密;存储器业者认为，力晶年初宣布弃品牌投注尔必达代工麾下，对双方营运层面的改变才正要开始而已。
2年前台湾DRAM产业虽然没有集成成功，但显然地，尔必达已默默搜刮台湾12寸晶圆产能，从茂德合作伙伴
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尔必达 DRAM
- 看好3D市场，DRAM大厂尔必达日前宣布，将与台湾力成科技、联华电子正式签约，携手展开TSV产品的共同开发;尔必达表示，三方还将针对3D IC整合技术、28纳米先进制程TSV(Through-Silicon Via, 直通硅晶穿孔)进行开发与商务合作。
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尔必达 3D芯片
- 日本尔必达存储器正致力于通过小额设备投资实现大幅增产的“高明投资”方式。该公司预计2011财年(2011年4月～2012年3月)的DRAM需求增幅将达到50%/年，但却打算以较上财年减少30%的设备投资额(800亿日元)来应对。从40nm开始采用的嵌入式字线(Word Line)工艺技术是确保上述计划得以实现的关键。
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尔必达 DRAM
- 据韩联社报导，三星电子(Samsung Electronics)半导体事业部社长权五铉在三星主要首长团会议中表示，日本DRAM制造厂尔必达(Elpida)虽然公开表示已开发出25纳米DRAM，但仍需持续观察至正式量产，表现出存疑的态度。
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尔必达 DRAM
尔必达介绍
Elpida ELPIDA\尔必达是日本最主要的DRAM半导体芯片制造厂商,主要生产DRAM颗粒,并且自己制造原产的ELPIDA内存条.Elpida在欧美市场以提供高品质的DRAM类产品而著称,但因在大陆地区韩系厂商的流行,且本身定位于高端产品所以目前在中国较少有货物销售,但同时也为广大业者带来潜在的商机.
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