2019年9月17日 中国上海 - SOI产业联盟( SOI微电子完整价值链的领先行业组织)今日宣布了半导体行业的两位杰出获奖者,分别是来自村田制作所(Murata)旗下pSemi公司的董事长兼首席技术官Jim Cable和中芯集成电路(宁波)有限公司的首席执行官兼总经理Herb Huang(黄河),二位为RF-SOI (一种广泛用于蜂窝通信芯片的领先技术)技术进步做出贡献而荣获此殊荣。此次SOI产业联盟在上海举办了年度RF-SOI论坛,共有来自中国和世界各地的450多位行业领袖参加,是SOI
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SOI RF
5G智能手机进程备受关注，5G版iPhone加速5G浪潮。整体观察，明年新3款iPhone可望均支援5G，苹果收购英特尔数据机事业，加速苹果自制5G基带芯片，最快2022年有结果。
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iPhone 5G芯片 射频
全球SiC晶圆市场规模约为8千多亿美元，SiC晶圆与GaN on SiC磊晶技术大厂Cree为求强化自身功率及射频元件研发能力，决议2019年5月于美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市，扩建1座先进自动化8寸SiC晶圆生产工厂与1座材料超级工厂(Mega Factory)，期望借此扩建案，提升Cree在SiC晶圆上的生产尺寸与提升晶圆使用市占，并提供GaN on SiC先进磊晶技术进一步应用于功率及射频元件中。
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Cree 射频 GaN on SiC磊晶技术
5G时代即将来临，有观点认为第二代砷化镓芯片面临被取代的命运，甚至有许多砷化镓厂商宣称早已跨进第三代...
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科创板 OLED 开源 射频 5G 氮化镓
与5G相关的氮化镓市场从使用量来看，MACOM的估计是：纯粹的基站数，即5G对4G，差不多是1.5倍到2倍的差别，单个的基站又比原来的基站的RU部分贵约1.5到2倍。由于二者的倍乘关系，累积起来约是2.5倍到4倍的关系。
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5G 射频
大家可以看到复位电路中电阻R1=10k时RST是高电平 ，而当R1=50时RST为低电平，很明显R1=10k时是错误的，单片机一直处在复位状态时根本无法工作。出现这样的原因是由于RST引脚内含三极管，即便在截止状态时也会有少量截止电流，当R取的非常大时，微弱的截止电流通过就产生了高电平。
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单片机 电路 电阻
“面对智能驾驶系统等领域对毫米波雷达带来的一系列挑战，加特兰在过去的两年时间里，潜心钻研，为大家带来新一代更Fast、更Flexible、更Friendly、更Firm的ALPS系列！”CEO 陈嘉澍博士在发布会上如是说。
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毫米波雷达芯片 自动驾驶 射频
运营商利用现有的频谱和面向大规模 MIMO 基站的新型前端无线电解决方案快速迁移至 5G
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Qorvo® 5G RF 设备
摘要 软件定义无线电(SDR)代表了一种对传统射频(RF)设计技术的突破。原有的传统系统只能提供固定的功能，而且包含的功能也非常有限。通过灵活的RF前端和高性能数字硬件，开发人员可以利用新技术从无线频谱中获取更多容量，并构建高度差异化的系统。工程师可以用SDR构建抗干扰能力更强的无线电系统，应用更高级的信道编码方案来提高数据速率，并可利用其他先进的RF技术。还能够访问包括开源程序库在内的硬件和软件生态系统，这意味着比以往任何时候都更容易获得SDR设计经验。 自从20多年前推出2G蜂窝网络以来，RF
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SDR RF
中国，北京 – 2019年3月7日 – 移动应用、基础设施与国防应用中核心技术与 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo,
Inc.(纳斯达克代码：QRVO)今日宣布，多项新款智能手机设计成功采用最新一代 RF Fusion™ 射频前端 (RFFE)
模块。这些最新应用成果表明，Qorvo 现在利用高度集成的中频/高频模块解决方案，能够为多家领先的智能手机制造商提供广泛的新产品发布支持。最新一代 RF
Fusion 模块包括功率放大器、开关和滤波器组件，采用 Qorvo 独有的内核功能组合
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Qorvo RF
北京，2019年2月25日——将于2019年4月1-3日在北京国家会议中心举行的EDI CON China
2019(电子设计创新大会)今日宣布了全体会议的主旨演讲嘉宾和完整的会议议程。4月1日(星期一)上午9:30在一层多功能厅A开始的主旨演讲将拉开为期3天的会议和展览的序幕。主旨演讲包括： 射频、微波和高速电路中的功率相关因素 Steve Sandler，Founder and CTO，Picotest 作为工程师，我们的任务是为我们的射频、微波和高速数字电路实现最佳性能。然而，我们经常
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射频 微波 芯片
目前，氮化镓(GaN)技术已经不再局限于功率应用，其优势也在向射频/微波行业应用的各个角落渗透，而且对射频/微波行业的影响越来越大，不容小觑。因为它可以实现从太空、军用雷达到蜂窝通信的应用。虽然GaN通常与功率放大器(PA)相关度很高，但它也有其他用例。自推出以来，GaN的发展历程令人瞩目，随着5G时代的到来，它可能会更加引人关注。
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GaN RF
目前射频前端元器件基本均由半导体工艺制备，如手机端的功率放大器(PA)和低噪声放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射频(RF)开关主要基于CMOS、Si、GaAs和GaN材料，从目前的材料工艺角度来看，主要针对5G的Sub-6GHz范围。以PA为例，许多业内人士认为，GaN技术的运用将能为PA带来高效低功耗的优势。
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射频 GaN
随着物联网和人工智能的高速发展，全球主要的半导体厂商均在这方面积极的布局，包括三星、英特尔、高通等，2017年......
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海思 物联网 射频
从2020到2021年将是5G大规模商用的时间。目前主流的5G芯片玩家，包括高通、海思、英特尔都是采用4G LTE外挂5G-NR模块的方式来做5G测试。预计到2019年会出现真正的5G手机商用。频谱是5G的血液，5G频段的确定意味着全国范围的大规模5G试验即将展开， 5G赛道正式铺开。
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5G 射频 芯片
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