知名新品引入 (NPI) 分销商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 为工程师提供设计当前和未来应用所需的信息、知识和产品。贸泽的射频和无线资源页面重点介绍射频无线设计所面临的各种挑战以及相应的解决方案。这个全面的内容中心包含精选产品、文章、博客、参考设计等，能为工程专业人员提供射频和无线方面的丰富知识。该网站包含150多项资源，可支持诸多领域的应用，如Wi-Fi® 6和蓝牙，利用5G实现车队远程信息处理现代化，以及利用LoRaWAN的应用。贸泽库存有品类极其
关键字：
贸泽 射频 无线连接
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布，将与AMD合作展示面向5G有源天线系统（AAS）无线电的完整RF前端解决方案。全新RF前端与经实地验证的AMD Zynq® UltraScale+™ RFSoC数字前端OpenRAN无线电（O-RU）参考设计相搭配，包含RF开关、低噪声放大器，和前置驱动器，提供了一套完整的解决方案，以满足不断增长的移动网络基础设施市场需求。该参考平台将于2月27日至3月2日在西班牙巴塞罗那举行的世界移动通信大会AMD展台（2展厅，#2M61展位）进行展示。全新5G设计平
关键字：
瑞萨 AMD 5G有源天线 RF 数字前端
意法半导体单片天线匹配 IC系列新增两款优化的新产品，面向BlueNRG-LPS系统芯片(SoC)，以及STM32WB1x 和STM32WB5x*无线MCU。单片天线匹配 IC有助于简化射频电路设计。针对BlueNRG-LPS优化的 MLPF-NRG-01D3和针对STM32WB优化的MLPF-WB-02D3集成了一个外部天线实现最佳射频输出功率和接收灵敏度所需的完整滤波和阻抗匹配电路。每款器件的天线侧标称阻抗都是50Ω。片级封装面积很小，凸点间距0.4mm，回流焊后的封装高度630µm。意法半导体的新天
关键字：
意法半导体 天线匹配IC Bluetooth LE SoC STM32无线MCU 射频
要点：● 骁龙X35将5G扩展至全新的丰富用例，例如顶级智能手表、下一代XR眼镜和工业物联网等用例。● 骁龙X35采用精简的架构，以实现更低成本、更低复杂度、更低功耗和更紧凑的尺寸。高通技术公司近日宣布推出全球首个5G NR-Light（也称作RedCap）调制解调器及射频系统——骁龙®X35 5G调制解调器及射频系统。作为全新类别的5G技术，NR-Light填补了高速连接的移动宽带终端与极低带宽的NB-IoT终端之间的空白。与传统的移动宽带终端相比，搭载骁
关键字：
高通 5G NR-Light 调制解调器 射频 5G终端
相控阵雷达和有源电子扫描阵列（AESA）已经在航空航天和国防市场中使用和部署了十多年。这一时期主要从模拟波束成形系统开始，并不断迁移到更高水平的数字波束成形。系统工程目标不断需要接近元素的数字波束成形实现，以实现的灵活性和可编程性。相控阵雷达和有源电子扫描阵列（AESA）已经在航空航天和国防市场中使用和部署了十多年。这一时期主要从模拟波束成形系统开始，并不断迁移到更高水平的数字波束成形。系统工程目标不断需要接近元素的数字波束成形实现，以实现的灵活性和可编程性。迁移到近元素数字波束成形存在许多挑战。挑战范围
关键字：
数字波束 RF
现代无线通信的迅猛发展日益朝着增大信息容量，提高信道的频谱利用率以及提高线性度的方向发展。一方面，人们广泛采用工作于甲乙类状态的大功率微波晶体管来提高传输功率和利用效率；另一方面，无源器件及有源器件的引入，多载波配置技术的采用等，都将导致输出信号的互调失真。现代无线通信的迅猛发展日益朝着增大信息容量，提高信道的频谱利用率以及提高线性度的方向发展。一方面，人们广泛采用工作于甲乙类状态的大功率微波晶体管来提高传输功率和利用效率；另一方面，无源器件及有源器件的引入，多载波配置技术的采用等，都将导致输出信号的互调
关键字：
RF 放大器
中国，北京–2022年11月10日，马萨诸塞大学洛厄尔分校、Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)和ADI基金会联手打造了ADI射频/微波学习实验室。这座先进的实验室已于近日正式启用，马萨诸塞大学洛厄尔分校研究与创新副校长Anne Maglia、马萨诸塞大学洛厄尔分校教务长兼学术与学生事务副校长Joseph Hartman、ADI高级副总裁兼首席技术官及ADI基金会董事Dan Leibholz、ADI航空航天和防务事业部副总裁Bryan Goldstein、ADI航空航天和防
关键字：
马萨诸塞大学洛厄尔分校 ADI ADI基金会 射频 微波 学习实验室
摘要本文展现了在无线尤其是在射频领域应用中，实现超快速电源瞬态响应的实用方法。其旨在解决由于电源瞬态消隐时间，给系统设计开发者带来的信号处理效率低下的问题与挑战。针对不同的应用，ADI提出了相应的示例解决方案，并引入了Silent Switcher 3单片电源产品实现最佳瞬态性能。 简介信号处理单元和片上系统(SoC)单元通常具有突然改变的负载瞬态变化。这种负载瞬态变化将干扰电源电压，而电源电压在射频(RF)应用中极其重要，这种变化的电源电压又会高度影响时钟频率，致使射频片上系统(RFSoCs)
关键字：
射频 超快速电源暂态响应
问题：什么是射频衰减器？如何为我的应用选择合适的RF衰减器？答案：衰减器是一种控制元件，主要功能是降低通过衰减器的信号强度。这种元件一般用于平衡信号链中的信号电平、扩展系统的动态范围、提供阻抗匹配，以及在终端应用设计中实施多种校准技术。 简介本文延续之前一系列短文，面向非射频工程师讲解射频技术。ADI将在文中探讨IC衰减器，并针对其类型、配置和规格提出一些见解，旨在帮助工程师更快了解各种IC产品，并为终端应用选择合适的产品。该系列的相关文章包括：“为应用选择合适的RF放大器指南”、“如何轻松选择
关键字：
RF 射频衰减器 ADI
摘 要：本文研究了一种基于LT8714的蓄电系统。该蓄电系统由六个模块组成，工作时结合系统象限控制原
理，通过输出电感电流检测信号和误差放大器的输出口信号展开对比，进而实现占空比的控制输出。最后对所
研究的蓄电系统展开调试。测试数据表明，该系统输出电压精度较高。关键词：系统；电路；功能；测试*基金项目：福建省2020年中青年教师教育科研项目（JAT201066）。0 引言 随着绿色能源概念的倡导，蓄电池 [1] 在电动汽车、
便携式电子 [2] 设备、无线充电 [3] 等应用中具有广阔的
关键字：
202209 系统 电路 功能 测试
问题：什么是S参数？它有哪些主要类型？ 答案：S参数描述了RF网络的基本特征，其主要类型有小信号、大信号、脉冲、冷模式和混合模式S参数。 引言本文延续之前的一系列短文
关键字：
RF 散射参数 ADI
本文延续之前的一系列短文，旨在为非RF工程师讲解RF的奥秘。其中一些RF文章如下：“RF揭秘——了解波反射” ，探讨了波反射；“如何轻松选择正确的频率产生器件”，探讨了RF信号链中发挥作用的频率产生器件的主要类型。问题:什么是S参数？它有哪些主要类型？答案:S参数描述了RF网络的基本特征，其主要类型有小信号、大信号、脉冲、冷模式和混合模式S参数。引言本文延续之前的一系列短文，旨在为非RF工程师讲解RF的奥秘。其中一些RF文章如下：“RF揭秘——了解波反射” ，探讨了波反射；“如何轻松选择正确的频率产生器件
关键字：
ADI RF
如今的射频 (RF) 系统变得越来越复杂。高度的复
杂性要求所有系统指标（例如严格的链接和噪声预算）
达到最佳性能。确保整个信号链的正确设计至关重要。
而信号链中，有一个部分经常会被忽视，那就是直流电
源。它在系统中占据着重要地位，但也会带来负面影
响。RF 系统的一个重要度量是相位噪声，根据所选的
电源解决方案，这个指标可能降低。本文研究电源设计
对 RF 放大器相位噪声的影响。我们的测试数据证明，
选择合适的电源模块可以使相位噪声改善 10 dB，这是
优化 RF 信号链性能的关键。
关键字：
202207 电源 ADI RF 相位噪声
意法半导体（STMicroelectronics）和电信、工业、国防和数据中心半导体解决方案供货商MACOM技术解决方案控股有限公司（那斯达克股票代码：MTSI」）宣布，已成功制造出射频硅基氮化镓（RF GaN-on-Si）原型芯片。有鉴于此佳绩，意法半导体与MACOM将继续合作，并加强双方的合作关系。射频硅基氮化镓为5G和6G基础建设之应用带来巨大的发展潜力。早期世代的射频功率放大器（Power Amplifier，PA）主要采用横向扩散金属氧化物半导体（Laterally-Diffused Metal
关键字：
意法半导体 MACOM 射频 硅基氮化镓
DPD是数字预失真的首字母缩写，许多射频(RF)工程师、信号处理爱好者和嵌入式软件开发人员都熟悉这一术语。DPD在蜂窝通信系统中随处可见，使功率放大器(PA)能够有效地为天线提供最大功率。随着5G使基站中的天线数量增加，频谱变得更加拥挤，DPD开始成为一项关键技术，支持开发经济高效且符合规格要求的蜂窝系统。对于DPD，无论从纯粹的数学角度出发，还是在微处理器上实现更受限制，我们许多人都有自己独特的见解。您可能是负责评估RF基站产品中DPD性能的工程师，或者是一名算法开发人员，很想知道数学建模技术在实际系统
关键字：
rf
射频(rf)电路介绍
您好，目前还没有人创建词条射频(rf)电路!
欢迎您创建该词条，阐述对射频(rf)电路的理解，并与今后在此搜索射频(rf)电路的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473