- 禁带宽度和电场强度越高，器件越不容易被击穿，耐压可以更高；热导率和熔点越高，器件越容易散热，也更容易耐高温；电子迁移率越高，器件的开关速度也就越快，因此可以做高频器件。不难看出，SiC和GaN器件在高温、高压、高频应用领域的显著优势。半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代半导体是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高
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宽禁带半导体
- 力科近日宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高压光隔离探头和功率器件测试软件，与高精度示波器 (HDO) 结合使用时，可提供最准确的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率半导体器件的电气特性表征。三十多年来，工程师们一直在使用硅 (Si) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 功率半导体器件来生产电源和功率转换系统。然而，消费者需要体积更小、重量更轻的电源和系统，而政府要求更高的效率。宽禁带 (WBG) 材料，例如GaN 和 SiC，开关速度比 Si
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力科 宽禁带半导体
- 英飞凌将显著扩大宽禁带（碳化硅和氮化镓）半导体的产能，进一步巩固和增强其在功率半导体市场的领导地位。公司将斥资逾20亿欧元，在马来西亚居林工厂建造第三个厂区。建成之后，新厂区将用于生产碳化硅和氮化镓功率半导体产品，每年可为英飞凌创造20亿欧元的收入。
此次扩建是英飞凌根据公司半导体生产制造长期战略而做出的决策，居林工厂在200毫米晶圆生产方面所取得的规模经济效应为该项目打下了良好的基础。英飞凌位于菲拉赫和德累斯顿的300毫米晶圆厂奠定了公司在半导体市场的领导
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英飞凌 宽禁带半导体 产能
- 据看看新闻网报道，目前，英诺赛科（苏州）半导体有限公司项目主体施工已经完成。资料显示，英诺赛科宽禁带半导体项目总投资68.55亿元人民币，注册资本20亿元，占地368.6亩，主要建设从器件设计，驱动IC设计开发，材料制造，器件制备，后段高端封测以及模块加工的全产业链宽禁带半导体器件制造平台。建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。据规划，项目开工后两年内投产，投产后三年实现年产78万片功率控制电路及半导体电力电子器件的总目标，年销售收入约
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英诺赛科 宽禁带半导体
- 宽禁带半导体材料也被称为第三代半导体材料(一代和二代分别为硅、锗)，其带隙大于或等于2.3 eV。宽禁带半导体材料一般具有电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好等特点，受到了研究者广泛研究。传统的宽禁带半导体有SiC、GaN、ZnO和Ga2O3等，以及其他II-VI组化合物材料。这类宽禁带材料具有短波吸收、高击穿电压等特点，因此在发光二极管(LEDs)与激光二极管(LDs)领域具有巨大的应用前景。此外，随着近些年太阳能电池(SCs)的迅猛发展，宽禁带半导体材料开始在太阳能电池领域发挥重要作用。比如
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宽禁带半导体
- 第一代半导体材料是元素半导体的天下，第一代半导体材料是化合物半导体材料，然而随着半导体器件应用领域的不断扩大，特别是特殊场合要求半导体能够在高温、强辐射、大功率等环境下依然坚挺，第一、二代半导体材料便无能为力，于是赋予使命的第三代半导体材料——宽禁带半导体材料诞生了。
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宽禁带半导体 SiC
- 现代电子产品的基础是半导体器件，因此半导体器件的性能就决定了整个电子产品的性能，所谓半导体就是导电性能介于导体和绝缘体之间的物理器件。最开始时，人们对这些物质并不感兴趣，后来才发现半导体的独特性能，有导体和绝缘体不可替代的优势。最常见的半导体器件是二极管，其他所有的半导体器件都是建立在此基础之上的。 原子结构和半导体器件 导体之所以导电是因为其内部有容易活动的自由电子，自由电子在电场的作用下开始运动，这个运动就是电流。物质都是由原子组成，每个原子都由原子核和绕在其外面的轨道的自由电子组成，一般从外
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相控阵雷达 宽禁带半导体
- 报告起因
国内上市公司纷纷涉足宽禁带半导体,我们从三大维度看好:实现国家战略层面的弯道超车:半导体行业实现技术升级以及股票层面将形成板块效应,我们此前的三安光电报告是市场第一篇详细描述化合物半导体的深度报告。此行业报告也是市场上领先的深度梳理宽禁带半导体行业的报告。
核心观点
宽禁带半导体材料性能突出,有望替代Si 基半导体:电和光的转化性能突出,在微波信号传输方面的效率更高,可被广泛应用到照明、显示、通讯等各个领域。
碳化硅将在功率器件领域快速发展,市场空间上百亿美元:1)S
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宽禁带半导体
宽禁带半导体介绍
固体中电子的能量具有不连续的量值，电子都分布在一些相互之间不连续的能带上。价电子所在能带与自由电子所在能带之间的间隙称为禁带或带隙。所以禁带的宽度实际上反映了被束缚的价电子要成为自由电子所必须额外获得的能量。硅的禁带宽度为1.12电子伏特(eV)，而宽禁带半导体材料是指禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料，典型的是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等材料。宽禁带半导体材料是被称为第三代半 [
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