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宜特 文章 进入宜特技术社区

宜特获USB-IF授权 成为USB PD认证测试实验室

  • 宜特宣布,正式取得 USB-IF 协会的授权,成为 USB Power Delivery(PD)认证测试实验室, 将可协助客户验证产品是否能够正确的传输和接收电力,确保产品符合USB-IF 最新的Power Delivery 3.1技术标准和规范,并核发Logo标章。欧盟预计於 2024 年底宣布,针对包括手机、平板、手提电脑、数位相机、耳机及耳机充电盒、手持游戏机、可携式扬声器、电子阅读器、键盘、滑鼠、可携式导航设备以及可穿戴装置在内的13类电子产品,规定必须采用 USB Type-C 作为统一充电接囗
  • 关键字: USB  PD  宜特  

宜特登上车电最高殿堂,获认可为AEC亚洲唯一实验室

  • 电子产品验证服务龙头——iST宜特科技今宣布,经过层层审核,全球汽车电子最高殿堂-汽车电子协会(Automotive Electronics Council,简称AEC)于近期正式认可宜特成为AEC协会会员,是亚洲唯一获认可实验室。全球会员只有93家公司,台湾地区仅9家成为协会一员,其中包括晶圆代工大厂台积电(TSMC);台达电(Delta)等。 图说:宜特科技非常荣幸于今年成为AEC协会成员,是亚洲唯一第三方公正验证分析实验室。AEC是于1990年由克莱思勒、福特汽车、通用汽车组成的组织,目的
  • 关键字: 宜特  AEC  实验室  

宜特晶圆减薄能力达1.5mil

  • 随5G、物联网、电动车蓬勃发展,对于低功耗要求越来越高,功率半导体成为这些产业势不可挡的必备组件。宜特(TWSE: 3289)晶圆后端工艺厂的晶圆减薄能力也随之精进。宜特今(1/6)宣布,晶圆后端工艺厂(竹科二厂),通过客户肯定,成功开发晶圆减薄达1.5mil(38um)技术,技术门坎大突破。同时,为更专注服务国际客户,即日起成立宜锦股份有限公司(Prosperity Power Technology Inc)。 使用控片测得2mil、1.5 mil、1.5 mil优化条件后的损坏层厚度及TEM分析宜
  • 关键字: 宜特  晶圆减薄  

宜特晶背FIB电路修补能力突破7奈米工艺

  •   随半导体产业朝更先进工艺 发展之际,宜特电路修补技术(IC Circuit Edit)检测技术再突破!宜特今(3/15)宣布,宜特通过先进工艺 客户肯定,IC芯片背面(Backside,简称晶背)FIB电路修补技术达7奈米(nm)工艺 。  宜特针对IC设计业者为何须进行电路修补进行说明。由于即使电路仿真软件不断地提升演进,仍难以100%来确保芯片的设计及布局正确性,一旦发现电路瑕疵只能再次进行光罩改版;然而光罩价格不斐,且重新下光罩后,等待修补过后的芯片时间通常超过一个月。因此,多数IC设计业者
  • 关键字: 宜特  晶背电路  

宜特FSM化学镀服务本月上线,无缝接轨BGBM晶圆减薄工艺

  •   随电源管理零组件MOSFET在汽车智能化崛起后供不应求,为填补供应链中此一环节的不足,在半导体验证分析领域深耕多年的宜特科技,近期正式跨攻「MOSFET晶圆后端工艺整合服务」,其中晶圆减薄-背面研磨/背面金属化(简称BGBM,Backside Grinding/ Backside Metallization)工艺,在本月已有数家客户稳定投片进行量产,在线生产良率连续两月高于99.5%。  同时为了协助客户一站式接轨BGBM工艺,在前端的正面金属化工艺(简称FSM)上,除了提供溅射沉积(Sputteri
  • 关键字: 宜特  MOSFET  
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