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安森美 文章 进入安森美技术社区

安森美引领行业的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技术优势

  • 本文旨在介绍 安森美 (onsemi) 的在线 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技术优势,提供有关如何使用在线工具和可用功能的更多详细信息。我们首先介绍一些与 SPICE 和 PLECS 模型有关的基础知识,接下来介绍开关损耗提取技术和寄生效应影响的详细信息,并介绍虚拟开关损耗环境的概念和优势。该虚拟环境还可用来研究系统性能对半导体工艺变化的依赖性。最后,本文详细介绍对软硬开关皆适用的 PLECS 模型以及相关的影响。总结部分阐明了安森美工具比业内
  • 关键字: 安森美  PLECS模型  仿真工具  

深度剖析IGBT栅极驱动注意事项

  • IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点,并且有三个端子:一个栅极、一个集电极和一个发射极。就栅极驱动而言,该器件的行为类似于 MOSFET。它的载流路径与 BJT 的集电极-发射极路径非常相似。图 1 显示了 n 型 IGBT 的等效器件电路。图 1. IGBT的等效电路图 2. IGBT的导通电流为了快速导通和关断 BJT,必须在每个方向上硬驱动栅极电流,以将载流子移入和移出基极区。当 MOSFET 的栅极被驱动为高电平时,会存在一个从双
  • 关键字: 安森美  IGBT  栅极驱动  

安森美Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的优势

  • 简介      本文旨在介绍 安森美 (onsemi) 的在线 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技术优势,提供有关如何使用在线工具和可用功能的更多详细信息。我们首先介绍一些与 SPICE 和 PLECS 模型有关的基础知识,接下来介绍开关损耗提取技术和寄生效应影响的详细信息,并介绍虚拟开关损耗环境的概念和优势。该虚拟环境还可用来研究系统性能对半导体工艺变化的依赖性。最后,本文详细介绍对软硬开关皆适用的 PLE
  • 关键字: 安森美  Elite Power  仿真工具  PLECS  模型自助生成工具  

分步解析,半桥 LLC 谐振转换器的设计要点

  • 在众多谐振转换器中,LLC 谐振转换器有着高功率密度应用中最常用的拓扑结构。之前我们介绍过采用 NCP4390 的半桥 LLC 谐振转换器的设计注意事项,其中包括有关 LLC 谐振转换器工作原理的说明、变压器和谐振网络的设计,以及元件的选择。今天我们将介绍设计程序的前9个步骤并配有设计示例来加以说明,帮助您完成 LLC 谐振转换器的设计。设计程序本文介绍了使用图 12 中的电路图作为参考的设计程序,其中谐振电感是用漏感实现的。设计规格如下所示:●   标称输入电压:396 VDC(PF
  • 关键字: 安森美  半桥  LLC  转换器  

如何高效完成大电流单通道栅极驱动器电路设计?

  • NCD(V)5700x 是大电流单通道栅极驱动器,内置电流隔离功能,用于在高功率应用中实现高系统效率和可靠性。上篇中我们介绍了NCD(V)5700x的输入(IN)和输出(OUT)信号、输入偏置电源(VDD1)、输出正负偏置电源(VDD2和VEE2)、功耗(PD)和结温(TJ)、欠压闭锁(UVLO)和就绪(RDY)和去饱和(DESAT)保护和软关断(STO)这六个部分的参数、功能和设计技巧。这篇文章我们将重点关注NCD(V)5700x的考虑使用外部BJT缓冲器实现软关断(STO)、用于偏置电源的齐纳分离式稳
  • 关键字: 安森美  栅极驱动器  

工程师必须知道的大电流单通道栅极驱动器设计技巧

  • NCD(V)5700x 是大电流单通道栅极驱动器,内置电流隔离功能,用于在高功率应用中实现高系统效率和可靠性。其特性包括:互补输入(IN+ 和 IN-),开漏故障()和就绪 (RDY) 输出,复位或清除故障功能(),有源米勒箝位 (CLAMP),去饱和保护 (DESAT),去饱和情况下软关断,拉电流 (OUTH) 和灌电流 (OUTL) 分离驱动输出(仅限 NCD(V)57000),精确欠压闭锁 (UVLO),低传播延迟(最大值90 ns)和小脉冲失真(最大值25 ns),较高的共模瞬变抗扰度 (CMTI
  • 关键字: 安森美  

对图像传感器的认识误区:传感器类型

  • 如今,摄像头已随处可见,工厂、车辆、公共建筑、街道……其数量还在不断增多。大部分摄像头依靠图像传感器将场景中的光线转换为电子图像,因而推升了对图像传感器的需求。但图像传感器种类繁多,功能特性各不相同,设计人员需要熟悉不同传感器的不同功能特性,才能为特定应用选择合适的摄像头。乘用车摄像头搭载量激增,有些豪华车型甚至配有十几个摄像头。汽车制造商需要添加更多传感器以提升安全性,还需考虑每个摄像头的经济成本和占用空间,这为其带来了挑战。于是,汽车制造商开始寻找解决方案,希望用一个摄像头捕获同时针对人眼视觉和机器视
  • 关键字: 安森美  图像传感器  

安森美被纳入纳斯达克100指数

  • 2023 年 6月 13日—智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克上市代号:ON),将于美国时间2023年6月20日星期二开市前被纳入纳斯达克100指数。安森美已连续两年取得创纪录的业绩,其市值在过去30个月里增长了两倍,2022年收入83亿美元,盈利增长速度是收入的4倍。安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury说:“安森美被纳入著名的纳斯达克100指数,证明我们在过去两年实施的战略转型是成功的,在此期间,我们在世界各地的员工坚定不移的付出和创新为安森美的股东带
  • 关键字: 安森美  纳斯达克100指数  

安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 静态特性分析

  • SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及,因为它最初的一些可靠性问题已得到解决,并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多,必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异,以便用户充分利用每种器件。本系列文章将概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响,作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分,还将提供 NCP51705(用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器)的使用指南。本文为第一部分,将重点介绍安森美M 1
  • 关键字: 安森美  

高能效、小外形的240W USB PD3.1 EPR适配器的参考设计

  • 更大容量电池需具备相同或更快充电时间的趋势正在加速USB-C PD采用更大的功率及更高的输出电压, USB PD组织发布了最新的USB PD3.1 EPR规范,使得最大的输出达到48V 5A, 240W的功率。在设计USB PD适配器和充电器时,要满足COC V5 Tier2 等最新的能效标准,并考虑小型化设计以配合移动便携式设备等轻薄短小但功能丰富多样的趋势。安森美(onsemi)最新推出的240 W图腾柱PFC配合最新的高频准谐振 (QR)控制器所构成的双管反激变换器 USB PD3.1 EPR适配器
  • 关键字: USB PD3.1 EPR  适配器  安森美  

注意!设计半桥 LLC 谐振转换器,你得注意这些

  • 在众多谐振转换器中,LLC 谐振转换器有着高功率密度应用中最常用的拓扑结构。与其他谐振拓扑相比,这种拓扑具有许多优点:它能以相对较小的开关频率变化来调节整个负载变化的输出;它可以实现初级侧开关的零电压开关 (ZVS) 和次级侧整流器的零电流开关 (ZCS);而且,谐振电感可以集成到变压器中。NCP4390 系列是一种先进的脉冲频率调制 (PFM) 控制器系列,适用于具有同步整流 (SR) 的 LLC 谐振转换器,可为隔离式 DC/DC 转换器提供出众的效率。与市场上的传统 PFM 控制器相比,NCP439
  • 关键字: 安森美  LLC  谐振转换器  

用于车载充电器应用的1200 V SiC MOSFET模块使用指南

  • 随着电动汽车的车载充电器 (OBC) 迅速向更高功率和更高开关频率发展,对 SiC MOSFET 的需求也在增长。许多高压分立 SiC MOSFET 已经上市,工程师也在利用它们的性能优势设计 OBC 系统。要注意的是,PFC 拓扑结构的变化非常显著。设计人员正在采用基于 SiC MOSFET 的无桥 PFC 拓扑,因为它有着卓越的开关性能和较小的反向恢复特性。众所周知,使用 SiC MOSFET 模块可提供电气和热性能以及功率密度方面的优势。安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技术的汽
  • 关键字: 安森美  车载充电器  MOSFET  

AI赋能听学解决方案,安森美致力让更多人听到世界的美好

  • 相比于爆火的TWS耳机应用,助听器并不算是很庞大的市场,但因为特定人群的刚需,使其又是一个注定将长期存在的市场,安森美作为极少数一直坚持服务这个市场的硬件供应商,已经在该领域拥有30多年的行业经验。在最近北京举办的国际听力学大会现场,安森美(onsemi)工业医疗智能部门亚太区高级营销经理 杨正龙 (Henry Yang)先生接受了本刊的专访,畅谈安森美在这个特殊市场的产品、解决方案和未来发展趋势。 助听器已经在市场上存在了几十年,随着全球大部分发达国家进入老龄化社会和人口寿命的增加,助听器市场规模在未来
  • 关键字: AI  听学  安森美  Ezairo  

纬湃科技和安森美签署碳化硅长期供应协议,共同投资于碳化硅扩产

  • 2023年6月1日 - 纬湃科技(Vitesco Technologies)和安森美(onsemi)今天宣布了一项价值19亿美元(17.5亿欧元)的碳化硅产品10年期供应协议,以实现纬湃科技在电气化技术方面的提升。纬湃科技是国际领先的现代驱动技术和电气化解决方案制造商,将向安森美提供2.5亿美元(2.3亿欧元)的投资,用于采购碳化硅晶锭生长、晶圆生产和外延的新设备,以提前锁定碳化硅的产能。这些设备将用于生产碳化硅晶圆,以支持纬湃科技不断增长的业务需求。同时,作为智能电源和智能感知技术的领导者,安森美将继续
  • 关键字: 安森美  纬湃科技  

纬湃科技和安森美签署碳化硅(SiC)长期供应协议

  •  ·       纬湃科技正在锁定价值19亿美元(17.5亿欧元)的碳化硅(SiC)产能·       纬湃科技通过向安森美提供2.5亿美元(2.3亿欧元)的产能投资,获得这一关键的半导体技术,以实现电气化的强劲增长·       除了产能投资外,两家公司还将在进一步优化主驱逆变器系统方面达成合作 2023年
  • 关键字: 纬湃  安森美  碳化硅  SiC  
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安森美介绍

安森美半导体(ON Semiconductor, 美国纳斯达克上市代号:ONNN)拥有跨越全球的物流网络和强大的产品系列,是计算机、通信、消费产品、汽车、医疗、工业和军事/航空等市场客户之首选高能效半导体技术供应商。公司广泛的产品系列包括电源管理、信号、逻辑、分立及定制器件。 公司的全球总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯,并在北美、欧洲和亚太地区等关键市场运营包括制造厂、销售办事处和设计中心的业务 [ 查看详细 ]

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