韩国媒体 TheElec报道，三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充（MUF）技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 存储器的MUF 技术，与 TC NCF 相较其传输量有所提升。据悉，MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔，然后将上下层半导体连接的硅穿孔 (TSV)
技术后，注入到半导体之间的材料，它的作用是将垂直堆栈的多个半导体牢固地固定并连接起来。而经过测试后获得的结论，MUF 不适用于高频宽存储器
(HBM)，但非常适合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
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存储 DRAM MUF技术
全球内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已开始量产其 HBM3E 高带宽内存 解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存，并于 2024 年第二季度开始出货。美光通过这一里程碑式进展持续保持行业领先地位，并且凭借 HBM3E 的超凡性能和能效为人工智能（AI）解决方案赋能。HBM3E：推动人工智能革命随着人工智能需求的持续激增，内存解决方案对于满足工作负载需求
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每一个女孩都是独特而美丽的存在，享受生活的同时不忘记录那些难忘的瞬间。3.8春季大促，西部数据带来了令人怦然心动的存储购物清单，助力每一位“她”记录生活亮点，高效应对职场与学习。还不快拿上小本本，选择适合自己的存储好物！广阔世界“她”记录自媒体盛行的时代下，女性凭借在内容创作领域独特的天赋与细腻，尽情展现着自由且多元的力量。西部数据的WD Blue™ SN580 NVMe™ SSD顺序读取速度高达4,150 MB/s[i] （1TB和2TB型号[ii]），提供高达2TBii容量规格，同时搭载的nCache
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2月28日，存储大厂美光科技宣布已开始提供升级版UFS4.0样品，采用232层3D NAND技术，可提供256GB、512GB和1TB三种容量。自去年6月推出11mm x 13mm封装规格的UFS4.0解决方案后，美光进一步缩小UFS4.0的外形规格以实现更紧凑的9mm x 13mm托管型NAND封装。性能上，美光UFS4.0的顺序读取速度和顺序写入速度分别高达4300MBps和4000MBps，较前代产品相比性能提升一倍，据悉，生成式AI应用中的大语言模型加载速度可提高40%。此次增强版UFS4.0基于
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2024 年 3 月 1 日，中国上海 —— Micron Technology，Inc. （美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 内存和 UFS 4.0 移动闪存助力荣耀最新款旗舰智能手机荣耀 Magic6 Pro 提供端侧人工智能体验。该手机支持 70 亿参数的大语言模型（LLM）——“魔法大模型”（MagicLM），开创了端侧生成式人工智能新时代。荣耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大语言模型为核心，在美光内存和存储的加持下，实现了升级版预测性和
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IT之家 2 月 27 日消息，美光科技在 MWC 2024 上宣布了其最新手机存储解决方案。该公司推出了迄今为止最紧凑的 UFS 4.0 封装，尺寸仅为 9 x 13 毫米，仍然提供最高 1 TB 的容量和 4300 MB/s 顺序读取速度、4000 MB/s 顺序写入速度。美光表示，推出较小解决方案的主要原因是智能手机原始设备制造商的反馈。制造商们希望为更大的电池留出更多手机内部空间。美光在其位于美国、中国和韩国的联合客户实验室开发了该产品，并基于其 232 层
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近期，SK海力士副社长Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已经售罄，已开始为2025年做准备。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也对外透露，美光2024年的HBM产能预计已全部售罄。生成式AI火热发展，推动了云端高性能AI芯片对于高带宽内存（HBM）的旺盛需求，存储大厂积极瞄准HBM扩产。其中，三星电子从2023年四季度开始扩大HBM3的供应。此前2023年四季度三星内部消息显示，已经向客户提供了下一代HBM3E的8层堆叠样品，并计划在今年上半年开始量产。到下半年，其占比预计将
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江波龙电子在设计、资源、测试、验证全方位布局以保证汽车存储产品在高低温变化、复杂电磁环境、物理冲击、振动等严苛环境下始终可靠稳定运行。SPI NAND Flash该存储采用WSON8封装，可节约PCB空间，除此之外，其优势还有支持通用SPI接口，包括双I/O或四I/O，带有内部ECC，使其在满足数据传输效率的同时，保证数据可靠性，并支持OTP，为客户提供更多存储安全信息的区域。该产品闪存介质为SLC NAND，容量从512MB到4GB，工作温度最大范围为-40~85℃。该产品的应用范围较广，可在Wifi
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从目前公开的DRAM（内存）技术来看，业界认为，3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一，是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工？如何解决尺寸限制等行业技术痛点？大厂布局情况？如何理解3D DRAM？DRAM（内存）单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成，其中，晶体管负责传输电流，使信息（位）能够被写入或读取，电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度
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自2023年1月江波龙首次发布企业级存储产品FORESEE ORCA 4836系列NVMe SSD与FORESEE UNCIA 3836系列SATA 3.2 SSD以来，企业级存储产品于过去的一年中，在技术研发和市场应用中取得了显著成果。拓疆企业级存储 屡获市场认可江波龙企业级存储产品凭借其卓越的技术实力和性能表现，为企业级存储市场注入新鲜活力。截至2024年2月，FORESEE ORCA 4836系列NVMe SSD与FORESEE UNCIA 3836系列SATA 3.2 SSD两大产品已顺利完成鲲鹏
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江波龙研发布局突破藩篱进入到集成电路设计领域，产品及服务获得客户高度认可。继自研SLC NAND Flash系列产品实现规模化量产后，首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash也于近日问世。该产品采用BGA132封装，支持Toggle DDR模式，数据访问带宽可达400MB/s，将有望应用于eMMC、SSD等产品上，为公司存储产品组合带来更多可能性。随着自研2D MLC NAND Flash的推出，江波龙将在半导体存储品牌企业的定位和布局上持续深耕，不断提升核心竞争力。 越
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2月1日消息，存储一哥三星2023年的日子不太好过，全年利润暴跌84.9%，确实没办法，不过他们保持乐观态度。2023年IT市场整体低迷，尤其是存储芯片价格暴跌的背景下，三星全年营收为258.94万亿韩元，同比减少14.3%；营业利润为6.57万亿韩元，同比下滑84.9%。按照三星的说法，2024年上半年业绩会回暖，其中以存储产品价格回暖最为明显，相关SSD等产品涨价不会停止，只会更猛烈。NAND芯片价格止跌回升后，目前报价仍与三星、铠侠、SK海力士、美光等供应商达到损益两平点有一段差距。国内重量级NAN
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近日，CES2024以其独特的视角和前瞻性的技术，吸引了全球的目光。作为全球最大的消费电子展，CES一直是各大科技公司展示最新技术和产品的舞台。作为国内知名的半导体存储品牌企业，江波龙在CES期间展示了其最新的存储技术和产品。在本次CES展会期间，江波龙展出了其最新的嵌入式存储、固态硬盘（SSD）、内存条以及存储卡等产品。这些产品采用了先进的制程和存储技术，具备更高的容量、更快的读写速度以及更可靠的数据保护等特点，得到了现场观众和媒体的一致好评。 （图：FORESEE产品全家福）以ChatGPT
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RAID（Redundant Array of Independent Disks）是将多块物理硬盘通过RAID控制卡组合成虚拟的单块大容量硬盘使用，从而提供比单个硬盘更高的存储性能、更高的I/O性能及可靠性。1 硬盘组和虚拟磁盘由于现代数据中心业务量的与日俱增，单台服务器上需要运行的数据也日益增多。当单个物理硬盘在容量和安全性上不足以支持系统业务时，就需要将多个硬盘以某种特定方式组合起来，对外作为一个可见的硬盘来使用，才可满足实际需要。硬盘组，就是将一组物理硬盘组合起来，作为一个整体对外体现，是虚拟磁盘
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2022年ChatGPT的出现，掀起了全球再一次的AI应用热潮，凭借强大的功能和杰出的用户体验，生成式AI（AIGC）成为2022年开始最引人关注的技术新浪潮。生成式AI使用深度学习模型，利用现有文本、图像、音频等内容生成全新内容、解决方案或新概念的人工智能技术，可以通过学习输入数据的统计规律，来创造新的数据，因此它可以形成创造性的表达，极大地拓展了人工智能在各个领域的应用前景。并且可以通过AI大模型的经验分析，以极有想象力的方式生成众多满足用户创意需求的原创内容，并通过包括文本、图像、音频、视频甚至各类
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存储介绍
存储
cún chǔ （存存储储） 1.把钱或物等积存起来。《清会典事例·户部·库藏》：“户部奏部库空虚，应行存储款项。”《清会典·户部仓场衙门·侍郎职掌》：“每年新漕进仓，仓场酌量旧存各色米多寡匀派分储，将某仓存储某年米色数目，造册先期咨部存案。” 鲁迅 《书信集·致李小峰》：“《旧时代之死》之作者之家族，现颇窘，几个友人为之集款存储，作孩子读书之用。” 2.指积存的钱或物等 [
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