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存储密度 文章 进入存储密度技术社区

三星开始量产第8代V-NAND,存储密度高达1Tb

  • 作为全球化的半导体企业,正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上所承诺的,三星今日宣布,已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb(太字节)三比特单元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度,可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。三星电子第八代V-NAND,1Tb三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hu表示:"市场对更高密度、更大容量存储的需求,推动了V-NAND层数的增加,三星采用3D缩放(3
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