在上海一场以“匠心独运，卓越创芯”为主题的IC技术峰会上，长江存储CEO杨士宁先生参会并发表了题为《发展存储产业的战略思考》的演讲。在演讲中，他对为什么选择发展存储、为什么选择3D NAND Flash作为突破口、还有3D NAND Flash将面临什么样的挑战等问题，作了深刻的分析。
为什么中国要发展存储产业
在详细介绍为什么中国要发展存储产业之前，杨士宁首先对存储产业的整体状况作了一个分析。根据他的说法，在全球的半导体存储产品中，NAND 和
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长江存储成立后，大陆在这个阶段于半导体的宏观布局重新成形。但是为什么挑由存储器入手?这是个关键选择。尤其是在台湾的 DRAM 产业甫因规模经济不足导致研发无法完全自主而缓缓淡出之际，这样的选择需要一番辩证。进口替代当然是原因之一，但不是全部。
回归基本面来看。半导体之所以为高科技是因为有摩尔定律，容许其不断的制程微缩，而其经济效益也高度依赖摩尔定律。DRAM 在很长的一段时间里是半导体业的驱策技术(driving technology)，也就是说DRAM的制程领导其它的半导体制程前进。半导体的先
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中国大陆大力扶植半导体产业，遭遇美国川普新政府全力阻挡，未来恐加速自主研发。资深半导体业界人士分析，中国大陆半导体产业进入群雄争头，对外挖角行动也会加快，借将台厂资深半导体菁英，只是序幕，且未来挖角行动也会扩大到其他国家。
中国大陆稍早在国家发展半导体集成纲要中，明定中芯和紫光为主导逻辑晶片和存储器两大指标厂，不过各地方竞相争首，希望获得中央关注及国家产业发展基金(大基金)青睐注资。中芯目前是中国大陆晶片制造龙头，但和全球尖端制造厂相比，技术仍落后一大截，虽然中芯去年市值超越联电，但因两地本益比
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随着华亚科在2016年正式被美光收购，也标志着台湾地区自主存储器产业没落，虽然还有相关产业存在，但已不是台湾地区公司和资本主导。
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据台湾媒体报道，大陆打造上中下游一条鞭的半导体航空母舰的轮廓看似越来越清晰，但其实格局越拉越大，剧情超展开，且紫光集团在当中扮演的角色越来越重要，更是提供满满大平台，吸引台湾半导体现役、退役、半退役人士纷纷加入，贡献毕生所学，且燃尽余生来协助大陆打造国家级半导体产业舰队，这支舰队“made in Taiwan”!
紫光已成大陆发展半导体产业之首，除了打造DRAM和NAND Flash存储器产业外，紫光的布局明显地已经进入晶圆代工领域。日前紫光再度加码大陆晶圆代工龙头中芯国
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虽然我国缺乏大规模存储芯片生产厂家，但全球集成电路产业增长放缓，为我国实现赶超、缩小差距提供了难得机遇。
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全球顶级研究人员汇聚三藩市，参加IEEE国际电子元件会议(IEDM)。斯坦福大学团队在会议上发表的一篇论文，正是这种洞察细节精神的体现。
由IBM电子工程师出身的黄汉森教授(H.S.PhilipWong)指导该团队，在深入研究一种新型资料储存技术。对于智慧手机和其他移动设备而言，高效节能是至关重要的，因此此种资料存储技术将是这些设备的理想选择。
这种新技术产品称为电阻式存储器，缩写为RRAM。电阻式存储器基于一种新型半导体材料，此种半导体材料能够以阻止或允许通过电子流的方式，形成状态值&l
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引起全球集成电路产业重大关注的国家存储器基地项目，2016年12月30日正式开工。立志打造中国集成电路产业航母的紫光集团入股长江存储，执掌项目建设，亦引人注目。
2016年12月30日，紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国接受长江日报记者采访时表示，参与建设国家存储器基地，对于紫光集团来说，责任和压力很大，这是事关国家战略、“使命必达”的战役，也是真刀真枪的全球市场竞争。
谈项目：这是“中国存储器航母”起航
“国家存储器基地
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倾大陆国家之力的中国长江存储存储器基地正式于2016年12月30日开工，而此项目前身为武汉新芯存储器基地，在历经中国紫光与武汉新芯合体后，重新找地建新厂，强调要打造全球单座洁净室面积最大的3DNANDFlash新厂。
紫光集团于2016年12月30日在大陆武汉东湖高新区举移动土典礼，宣布中国国家存储器基地正式开工，该建设项目联合紫光集团、国家集成电路产业地方基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投等共同出资，项目总投资金额达240亿美元。
紫光集团暨长江存储董事长赵伟国赵伟国典礼中强调，
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今日，由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资240亿美元建设的国家存储器基地项目正式动工，预计 2018年建成投产，2020年完成整个项目，初期计划以先进的3D NAND为策略产品。
据悉，此次动工建设的存储器基地位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城，规划建设3座3D NAND 生产工厂，1座总部研发大楼和其他若干配套设施，总占地面积1968亩，预计到2020年可形成月产能30万片的规模，年产值将超过100亿美元，到2030年可提升到每月100万
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联华电子与嵌入式非挥发性存储器解决方案厂商Cypress今(14日)共同宣布，在联电制造的专有40奈米嵌入式电荷撷取(eCT)快闪存储器的微电脑控制器(MCU)已量产出货。 此次量产展现Cypress快闪存储器技术结合联电40奈米低功耗(40LP)逻辑制程的多年合作结果。 40奈米eCT 快闪存储器的尺寸仅为0.053μm2，比最接近之竞争对手的尺寸约小25%。 eCT快闪存储器可满足最严苛的高性能应用设计的两个关键特性，即8 nsec的随机存取速率和
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微控制器(MCU)在从电机控制，到信息娱乐系统和车身控制等越来越宽泛的汽车应用中提供至关重要的性能。随着价格的下降和整固的增加，微控制器正变得越来越普及，这意味着MCU被越来越多地视为商品。尽管存在这种商品化趋势，汽车系统设计工程师仍然认为不同的控制器会有很大的差异，包括各种级别的集成度和功率要求。选择MCU通常可以缩减材料成本(BOM)，从而有效地降低电子控制单元(ECU)本身的价格。 选择汽车MCU时，设计工程师可以考虑以下10个重要因素，实现成本压力与应用所需的特定性能特色之间的平衡。 1.
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根据ICInsights报道，在经历了2013年与2014年连续两年20%以上增长的好年景以后，2015年全球存储器市场陷入困境。无论是供应商合并、产能控制还是新型应用频出等过去认为是利好的事情，都没有拯救2015年的存储器市场。个人电脑市场的低迷导致存储器库存过多，从而在2015年下半年出现了价格暴跌，2015年存储器销售额最终为780亿美元，同比下降了3%。
这种颓势延续到了2016年上半年，但从2016年下半年开始情况发生了变化，存储器价格开始变得异常坚挺，而且持续到了2016结束。但由于
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SK海力士最先进72层3D NAND存储器传明年开始量产，韩联社周一引述知情人事消息报导指出，SK海力士计划于2017上半年完成芯片设计，位在利川(Icheon)的M14厂将可在下半年开始生产。
若按计划进行，SK海力士将成为全球第一个量产72层3D NAND的存储器厂。为因应市场需求增温，SK海力士上周已宣布将在韩国与中国两地，投资3.15兆韩圜来增加DRAM与NAND存储器产能。
随着微缩制程遭遇瓶颈，业者纷纷改以3D垂直方式堆叠存储器做突破，但工艺技术各不相同。目前技术领先的三星已于
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随着电子技术和信息化社会的发展，作为嵌入式系统和计算机的输出设备之一的微型打印机被广泛应用于生活当中。 基于世强代理的瑞萨 RZ/A1的微型打印模块系统主要包括MCU、字库芯片、热敏机芯(加热控制、温度检测、滚筒检测、缺纸检测、步进电机驱动)、串行接口电路等。 图：基于世强代理的瑞萨RZ/A1的微型打模块系统框图 瑞萨RZ/A1系列微处理器是以ARM Cortex-A9 CPU为内核，该CPU的时钟频率为400 MHz，DMIPS3为1000，拥有全球容量
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存储器介绍
什么是存储器
存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。
存储器的构成
构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [
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