外延生长介绍
外延生长 外延生长【epitaxial growth】【】 在单晶衬底(基片)上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层的方法。外延生长技术发展于20世纪50年代末60年代初,为了制造高频大功率器件,需要减小集电极串联电阻。生长外延层有多种方法,但采用最多的是气相外延工艺,常使用高频感应炉加热,衬底置于包有碳化硅、玻璃态石墨或热分解石墨的高纯石墨加热体上,然后放进石英反应器中,也可采用红外辐 [
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