10月24日,由青铜剑科技、基本半导体、中欧创新中心联合主办的第二届中欧第三代半导体高峰论坛在深圳会展中心成功举行。 本届高峰论坛和第三代半导体产业技术创新战略联盟达成战略合作,与第十五届中国国际半导体照明论坛暨2018国际第三代半导体论坛同期举行,来自中国、欧洲及其他国家的专家学者、企业领袖同台论剑,给现场观众带来了一场第三代半导体产业的盛宴。 立足国际产业发展形势,从全球视角全面探讨第三代半导体发展的现状与趋势、面临的机遇与挑战,以及面向未来的战略与思考是中欧第三代半导体高峰论坛举办的宗旨。目
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碳化硅(SiC)功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能,对电力电子行业的发展具有重要意义。作为最先实现产业化的 SiC 器件,SiC JBS能提供近乎理想的动态性能,基本半导体自主研发的650 -1700V 3D SiC™系列碳化硅肖特基二极管(SiC JBS)已火热上市,凭借其优越性能广受市场追捧。 SiC JBS产品优势 作为单极型器件,SiC JBS在工作过程中没有少数载流子储存,其反向恢复电流主要取决于耗尽层结电容,反向恢复电荷以及反向恢复损耗比Si超快恢复二极管要低一到两个数量级。更重
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6月26日-28日,基本半导体成功参展PCIM Asia 2018上海国际电力元件、可再生能源管理展览会。 基本半导体展台以充满科技感和未来感的蓝白为主色调,独有的3D SiC™技术和自主研发的碳化硅功率器件吸引了众多国内外参展观众的眼球。 全球独创3D SiC™技术 展会期间,基本半导体技术团队详细介绍了公司独创的3D SiC™外延技术,该技术能够充分利用碳化硅的材料潜力,通过外延生长结构取代离子注入,使碳化硅器件在高温应用中拥有更高的稳定性。优良的外延质量和设计灵活性也有利于实现高电流密度的
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4月9日上午,国家集成电路产业投资基金总裁丁文武一行莅临基本半导体考察调研。 基本半导体董事长汪之涵博士向丁文武介绍了公司自主研发的碳化硅功率器件产品,包括性能达到国际一流水平的碳化硅JBS二极管和MOSFET三极管,以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圆片。 随后丁文武一行听取了基本半导体总经理和巍巍博士对公司发展情况的汇报。丁文武对基本半导体的技术创新和战略定位予以充分肯定,并鼓励公司团队再接再厉,立足创新驱动,不断发展壮大,成为中国第三代半导体产业的领军企业。 国家集成电路产业投资基金是为促进集
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基本半导体 碳化硅 功率芯片 集成电路
12月19日,中国半导体行业协会换届大会暨第七届会员大会、第七届理事会第一次会议在上海召开。基本半导体总经理和巍巍博士受邀出席并当选新一届中国半导体行业协会理事,以碳化硅为代表的第三代半导体受到行业广泛关注。 2017年全球半导体产业重新进入加速发展通道,预计全年市场规模将增长至3465亿美元,中国市场成全球半导体产业引擎,近三年来市场规模都以超过全球20%的速度快速增长。与此同时,发展第三代半导体产业已经上升到国家战略,在政策和市场的双重驱动下,第三代半导体行业将迎来增长爆发期。 工业和信息化部
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