- 电路的功能稳定度好的基准电压应用范围很广，它涉及到所有的模拟电路。本电路采用了产生基准电压。当然也可用普通齐纳二极管代替专用IC。可以说这是具有通用性的基准电压发生器。电路工作原理OP放大器采用单一电源，
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功能 原理 介绍 电路 发生 10V 基准 电压 2.5
- 电路的功能产生基准电压用的二极管，如果采用温度补偿式，就须加大偏流，如NEC公司的IS2190系列产品，必须有10MA的偏流，该偏流不是由电源供给的，而是由输出端供给的，这样即使电源变动，也能保证稳定工作，另外因为
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发生 电路 功能 原理 电压 基准 补偿 齐纳 二极管 10V
- 电路的功能这种PWM式的D-A转换器，数据范围为0~255（8位二进制），因此能以10MV为一步，产生0~2.55V的电压另外通过改变电阻R2可使满量程电压在10V以内随意设定。电压变化取决于脉冲占空比，因此，只要基准电压稳定，
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电压 功能 原理 分析 电路 基准 准确 PWM 步进 发生
- 目前，基准电压源被广泛应用与高精度比较器，A/D，D/A转换器，动态随机存储器等集成电路中。基准电压源是集成电路中一个重要的单元模块。它产生的基准电压精度，温度稳定性和抗噪声干扰能力直接影响到芯片，甚至整个
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基准 技术 介绍 电压 设计 Pipeline ADC 14位
- 本文采用一种低电压带隙基准结构。在TSMC0．13mu;m CMOS工艺条件下完成，包括核心电路、运算放大器、偏置及启动电路的设计，并用Cadence Spectre对电路进行了仿真验证。基准电压是数模混合电路设计中一个不可缺少的
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电压 方法 设计 基准 供电 电路
- 在要求绝对测量的应用场合，其准确度受使用基准值的准确度的限制。但是在许多系统中稳定性和重复性比绝对精度更重要;而在有些数据采集系统中电压基准的长期准确度几乎完全不重要，但是如果从有噪声的系统电源中派生基
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设计 电压 基准 精密
- 摘要：为了满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，提出了一种在0．25mu;m N阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性
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研究 电压 基准 CMOS 低温
- 通常我们选用稳压二极管作为基准电压源，这是最简单、也是最传统的方法，按照所需电压值选一个对应型号的稳压管当然可以，但选得是否合适、是否最佳，却大有讲究。 最基本的电压基准源电路如图1(a)、稳压管的击穿
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介绍 选用 设计 电压 基准
- 摘要：本文针对传统基准电压的低PSR以及低输出电压的问题，通过采用LDO与带隙基准的混合设计，并且采用BCD工艺，得到了一种可以输出较高参考电压的高PSR(电源抑制)带隙基准。此带隙基准的1.186 V输出电压在低频时PSR
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实现 基准 PSR
- 1 引 言 随着各种便携式移动通信和计算产品的普及，对电池的需求大大加强，但是电池技术发展相对落后，降低电路的功耗成为IC设计关注的一个焦点;电路的功耗会全部转换成热能，过多的热量会产生焦耳热效应，加剧硅
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基准 设计 电压 电流 消耗 380nA 最大
- 摘要 设计了一款带隙基准电压源，基于0．18mu;m的CMOS工艺，在Hspice下仿真，仿真结果表明，温度在-25～80℃内变化时，温度系数为9．14times;10-6℃；电源电压在3～5 V之间变化时，基准电压在1 250plusmn;43 mV内
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仿真 设计 电压 基准
- 摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工艺，在Hspice下，对四利PMOS管基准电压源进行了分析和仿真，文中给出了每种电路仿真时的电路参数和仿真结果。
关键词：基准电压；CMOS集成电路；Hspice
0 引言
模拟电路广泛
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仿真 分析 电压 基准 CMOS
- 但是，由于本设计采用LDO供电，而LDO的参考电压是bg，存在死循环，即bg低，则LDO低，所以基准核心的VQC5无法给VQCS2提供电流，也就无法提高VQC2的电压即bg，因此需要外界提供大电流bias-start，使得当LDO无法启动基
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方案 设计 基准 抑制 电源
- 摘要：本文针对传统基准电压的低PSR以及低输出电压的问题，通过采用LDO与带隙基准的混合设计，并且采用BCD工艺，得到了一种可以输出较高参考电压的高PSR(电源抑制)带隙基准。此带隙基准的1．186 V输出电压在低频时PS
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设计 基准 抑制 电源
- 基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6 V的CMOS基准电压源。
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设计 电压 基准 CMOS 0.18
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