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场效应管 文章 进入场效应管技术社区

UnitedSiC(现名Qorvo)宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET

  • 2022年5月11日移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)系列。
  • 关键字: UnitedSiC  Qorvo  SiC  碳化硅  场效应管  

场效应管常用的三大作用:放大作用、恒流输出、开关导通

  • 1、放大电路场效应管具有输入阻抗高、低噪声等特点,因此经常作为多级放大电流的输入级,与三极管一样,根据输入、输出回路公共端选择不同,将场效应管放电电路分为共源、公漏、共栅三种状态,如下图是场效应管共源放大电路,其中:Rg是栅极电阻,将Rs压降加至栅极;Rd是漏极电阻,将漏极电流转换成漏极电压,并影响放大倍数Au;Rs是源极电阻,为栅极提供偏压;C3是旁路电容,消除Rs对交流信号的衰减。2、电流源电路恒流源在计量测试应用很广泛,如下图是主要是由场效应管组成的恒流源电路,这是可作为磁电式仪表调标尺工序。由于场
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怎么选择三极管和场效应管,看这篇就够了

  • 随着电子设备升级换代的速度,大家对于电子设备性能的标准也愈来愈高,在某些电子设备的电路设计与研发中,不仅是开关电源电路中,也有在携带式电子设备的电路中都是会运用到性能更好的电子元器件——场效应晶体管,因此正确挑选场效应晶体管是硬件工程师常常碰到的难点之一,也是极其重要的1个环节,场效应晶体管的挑选,有可能直接影响到一整块集成运放的速率和制造费,挑选场效应晶体管,可以从下列六大技巧下手。
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IGBT场效应管的工作原理及检测方法

  • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点,已逐步取代晶闸管和GTO(门极可关断晶闸管),是目前发展最为迅速的新一代电
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逆变电源设计基本常识

  • 电源,用通常理解的话说:是一种可以为我们电子电 器提供合适电压,电流,波形与频率的转换装置!比如:直流电源,可以理解为频率为零,波形为直线的
  • 关键字: 逆变电源  开关电源  场效应管  

分享:IGBT的检测方法

  • IGBT有三个电极,分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结
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三极管开关电路和场效应管电路优劣比较

  • 一般我们在做电路设计时候,三极管开关电路和MOS管开关电路有着以下四种区别:首先是三极管是用电流控制,MOS管属于电压控制;然后就是成本问题,三极
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【E课堂】模拟电子技术重难点盘点

  •   在绪论课中,除了简要介绍电子技术的发展及其应用概况,本课程的性质、任务和要求以及基本内容外,还应着重介绍本课程的学习方法。根据以往的经验, 笔者从学习“电路”课程过渡到学习“电子技术基础”课程时,总感到电子电路的分析与计算,不如“电路”课程中那样严格,那样有规律可循,时而忽略这个元 件,时而忽略了那个参数,不好掌握。  因而必须指明本课程是一门技术基础课,着重“技术”二字。在定性分析,搞清概念的基础上,进行定量估算。由于半导体器件参数的分散性,存在 较大的偏差,电阻、电容
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【E课堂】模拟电子技术的重点及难点简析

  •   模拟电子技术是电气工程及其自动化等专业的学生必须掌握的一门技术,此课程在专业培养计划中具有举足轻重的的地位,少年子弟江湖老,如今,走上工作岗位的我们在工作中也许会接触到这些知识,下面就模拟电子技术中的重难点做一些说明。  一、放大电路基础  作为本课程的基础,由于课程刚入门,概念较多,又要初步培养分析、计算能力,因此,必须放慢进度,保证足够的学时。  关于半导体的物理基础部分,因“物理”和“化学”两课中一般都已讲过,本课程不必重复,可从晶体的共价键结构讲起。PN结是重点内容,要求用物理概念讲清PN结的
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系统详解开关电源的基本工作原理

  • 几种基本类型的开关电源  顾名思义,开关电源就是利用电子开关器件(如晶体管、场效应管、可控硅闸流管等),通过控制电路,使电子开关器件不停地“接通”和“关断”,让电子开关器件对输入电压进行脉冲调制,
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常用大功率高耐压场效应管参数114种

  • 常用大功率高耐压场效应管参数114种
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图解绝缘栅型场效应管

  •   本文图文结合的解析了绝缘栅型场效应管的工作原理,希望对你的学习有所帮助。  增强型:VGS=0时,漏源之间没有导电沟道,在VDS作用下无iD。  耗尽型:VGS=0时,漏源之间有导电沟道,在VDS作用下iD。  1、结构和符号(以N沟道增强型为例)  在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极,半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。  其他MOS管符号  2、工作原理(以N沟道增强型为例)  (1) VGS=0时,不管VDS极性如何,其中总有一个PN结反偏,
  • 关键字: 场效应管  

【E课堂】绝缘栅型场效应管之图解

  •   增强型:VGS=0时,漏源之间没有导电沟道,在VDS作用下无iD。耗尽型:VGS=0时,漏源之间有导电沟道,在VDS作用下iD。  1. 结构和符号(以N沟道增强型为例)  在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极,半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。        其他MOS管符号        2. 工作原理(以N沟道增强型为例)        
  • 关键字: 场效应管  

场效应管的基本放大电路

  •   1.共源极电路  共源极电路可采用图16-14 所示的电路。这种电路的栅偏压是由负电压UG经偏置电阻RG提供的。该电路虽然简单.但R G不易取得过大.否则会在栅漏泄电流流过时产生较大的压降,使栅偏压发生变化.造成工作点的偏离。共源极基本放大电路的主要参数,可由以下各式确定:       2. 共漏极电路(源极输出器)  共漏极电路如图16-15 所示。该电路中除有源极电阻Rs提供的自偏压外,还有由R1和R2组成的分压器为栅极提供的固定栅偏压
  • 关键字: 场效应管  共源极电路  

场效应管原理、场效应管的小信号模型及其参数

  •   场效应管是只有一种载流子参与导电,用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET(Metal Oxide Sem
  • 关键字: 场效应管  二极管  
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场效应管介绍

目录 场效应管 1.概念: 2.场效应管的分类: 3.场效应管的主要参数 : 4.结型场效应管的管脚识别: 5.场效应管与晶体三极管的比较 场效应管   根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件。 1.概念:   场效应晶体管(Field Effec [ 查看详细 ]

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