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化学气相沉积 文章 进入化学气相沉积技术社区

利用缝隙抑制型钨填充接触区工艺来降低良率损失

  • 在早先的技术节点中，由于器件尺寸较大，能采用成核及平整化化学气相沉积(CVD)技术进行钨(W)填充。如今，由于插塞处的超小开口很容易发生悬垂现象，因此薄膜表面均匀生长的共形阶段可能在填充完成前就关闭或夹断，从而留下孔洞。
  • 关键字： 化学气相沉积  良率  化学机械抛光  
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化学气相沉积介绍

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