飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 推出一款采用8-DIP封装的高集成度FPS功率开关产品FSFM300，让LCD显示器和电视机、机顶盒及DVD播放器设计人员无需采用散热片，即能够实现高达30W的输出功率，使到LCD显示器的外形更小巧，并降低设计的总体成本。FSFM300是高集成度的绿色FPS开关，在成本和散热性能都较好的8-DIP封装内集成了脉宽调制 (PWM) IC和耐雪崩SenseFET MOSFET。新产品通过在芯片中集成SenseFET，实现较其它解决方案更少的
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Fairchild FPS 功率开关 FSFM300
意法半导体推出STC03DE220HV ESBT（发射极开关双极晶体管）功率开关，新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效，降低产品的成本、组件数量和尺寸。
STC03DE220HV是额定击穿电压2200V的ST ESBT新系列的首款产品。在电源电压90V AC到690V AC的通用输入转换器中，新产品让设计工程师采用单功率开关的反激式拓扑。使用一个通用的硬件平台，再配合适合的控制器如L6565，ST完整的ESBT产品让设计工程师能够开发最大功率达到250W的准谐振转换器。
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ST 意法半导体 功率开关 ESBT
引言
在工作于自激振荡模式的SMPS中，需要检测磁芯的完全去磁状态。去磁检测的最新技术基于对与变压器主绕组耦合的辅助绕组的使用。此绕组可对磁芯实际去磁后出现的零电压进行检测(ZCD)。在准谐振工作中，重新启动新一轮导通周期的最佳时机位于功率MOSFET漏极电压的“谷点”处。电压ZCD和漏极电压谷点之间的时间间隔取决于漏极振铃周期。
本文描述了一种被称为SOXYLESS的新技术，它无需采用辅助绕组和时间补偿元件就能进行“谷点”检测。
So
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安森美 功率开关 电容 磁芯去磁检测
飞兆半导体推出MicroFET功率开关产品FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z，适用于充电、异步DC/DC和负载开关等低功耗 (<30V) 应用。这些功率开关可在低至1.5V的栅级驱动电压下工作，同时提供较之于其它解决方案降低75% 的RDS(ON)和降低66% 的热阻。FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z采用飞兆半导体先进的PowerTrench® 技术，封装为2.0mm x 1.6mm SC-75，较3 x 3mm SSOT-6封装及SC-70封装体积分别减小65%
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模拟技术 电源技术 飞兆半导体 MicroFET 功率开关 工业控制
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出绿色FPS e-Series 的全新飞兆功率开关(FPS) 产品系列，可为DVD播放器、机顶盒、LCD显示器和其它25W及更低的电源设计提供高能效和高系统可靠性。这些绿色FPS产品以飞兆半导体专有的谷底导通(valley switching) 技术为基础，与传统的硬开关转换器拓扑相比，能够提高功率转换效率1%，并降低EMI的量可达5dB。这些高度集成的FPS器件结合了完全达到额定雪崩值SenseFET、电流模式脉冲宽度调制 (PW
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e-SeriesTM FPSTM 电源技术 飞兆 功率开关 模拟技术
功率开关介绍
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