上海，2012年11月20日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会做出重大贡献。
与传统硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率，并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率器件的商业化
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富士通 功率器件 GaN
富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会做出重大贡献。
与传统硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率，并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率器件的商业化，从而可以通过硅晶圆直径的增加，来实现低成本生产。按照此目标，富
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富士通 功率器件 硅基板
在稳压电源中主元器件采用功率半导体器件，如功率晶体管（GTR）、功率场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（I...
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逆变器的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管（GTR），功率场效应管（MOSFET），绝...
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可采用任何5V电源给高容量电池充电，同时保持低运行温度便携式电子产品设计人员面临着这样的挑战，就是要开...
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过去15到20年间，汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展到蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因为其能够耐受汽车电子系统中常遇到的掉载和系统能量突变等引起的瞬态高压现象，且其封装简单，主要采用TO220 和 TO247
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一、导言汽车中使用电子产品可以追溯到使用电动启动器替代手动曲柄的20世纪初。上世纪60年代，随着固体电...
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随着全球能源的日趋紧张，节能节电迫在眉睫。电能转换是节能节电的重要环节。在电能转换过程中，转换期间的...
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功率器件 开发应用 实例图解
混合动力汽车(HEV)市场的增长在很大程度上取决于每加仑/英里这一能耗指标及追加投入的每个硬币所带来的好处以及混合系统现场的可靠性。消费者将混合汽车与标准汽车进行比较，并期待在整体更低拥有成本的前提下起码具
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HEV 功率器件 混合动力汽车 中的应用
全球领先的先进半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE：6723，以下简称“瑞萨电子”)日前宣布推出14个针对汽车应用的新型智能功率器件(Intelligent Power Device, 以下简称“IPD”)，包括µPD166023在内的该系列产品面向外部车灯驱动(如头灯和雾灯)，电加热座椅和电机驱动等典型车身应用。
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日本知名半导体制造商罗姆(ROHM)于2012年3月20日-22日参加了业内最具影响力的综合性电子展览会“慕尼黑上海电子展”。此次，罗姆在“相乘战略”(注1)、“功率器件战略”(注2)、“LED战略”(注3)、“传感器战略”(注4)这四大战略的立足点上展示了符合中国市场的、满足客户需求的众多产品与技术，展现了罗姆集团强大的综合技术实力。
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碳化硅(SiC)功率器件的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出支持业界首款用于碳化硅MOSFET功率器件且符合全面认证的SPICE模型。新型SPICE模型能够帮助电路设计人员轻松地进行效益评估。与同级别的传统硅功率开关器件相比，科锐碳化硅Z-FET MOSFET功率器件能够实现更高的效率。
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科锐 功率器件
全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社(以下简称“瑞萨电子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)复合功率器件，它们是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款产品在单一封装中结合了多个碳化硅二极管和多个功率晶体管，组成电源转换电路。这些功率器件是瑞萨电子推出的采用碳化硅的第二个功率半导体产品系列。碳化硅是一种能有效降低损耗的新材料。全新功率器件旨在用于家电(如空调)、PC服务器和太阳能发电系统等电力电子产品。
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一引言绿色节能已经成为当今数据中心建设的潮流，而能源使用效能值（PUE）则是衡量数据中心竞争力的一个重...
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