- 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A，该芯片可耐压150 V。富士通半导体将于2013年7月起开始提供新品样片。该产品初始状态是断开(Normally-off)，相比于同等耐压规格的硅功率器件，品质因数(FOM)可降低近一半。
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富士通 功率器件 GaN MB51T008A
- 微型隔离器的应用可进一步缩小电动及混合动力汽车功率逆变器的体积
瑞萨电子公司开发的配有内置式微型隔离器的 IGBT 驱动器智能器件
日本东京讯-全球领先的半导体及解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE：6723)今天宣布开发出了隔离型IGBT驱动器的R2A25110KSP智能型功率器件， 适用于电动和混合动力汽车功率逆变器。R2A25110KSP中融入了瑞萨电子公司最新开发的微型隔离器隔离专项技术。这些技术可为汽车应用系统建立更可靠、更紧凑的系统。
用于驱动电动和混合动力汽车中的电机
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瑞萨 功率器件
- 电磁干扰一般通过空间辐射和通过导线传导，在工程领域一直是人们要解决的难题和研究热点。驱动单元作为大功率...
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电磁兼容 电磁干扰 逆变 功率器件
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MOSFET 功率器件
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IR 功率器件 节能设计
- 扬州电子信息产业近年来快速发展，从电线电缆独大，到新能源和新光源产业崛起，“三分天下”格局初成。目前，电线电缆约占1/3，新光源和新能源各占20%强，电子信息制造业结构趋于合理。未来将通过规划引导、项目推动、创新突破等3大举措，促进电子制造业加快发展。
布局3大产业
扬州电子制造业形成电线电缆、新光源、新能源3大产业齐头并进新格局，结构得到优化。
目前，扬州光伏新能源产业已形成电子级高纯度多晶硅、单晶硅、硅片、电池片、组件全产业链生产能力，多晶硅太阳能电池年产
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电子制造 功率器件
- 功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保护，以避免如欠压，缺失饱和，米勒效...
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隔离驱动 PowerMOSFET 功率器件
- 1 引言80年代问世的绝缘栅双极性晶体管IGBT是一种新型的电力电子器件，它综合了gtr和MOSFET的优点，控制方便、开关速度快、工作频率高、安全工作区大。随着电压、电流等级的不断提高，IGBT成为了大功率开关电源、变频
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IGBT 功率器件 方法
- 第三步：确定热要求 选择MOSFET的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情 ...
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功率器件
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功率器件
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IGBT Power MOSFET 功率器件
- 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保护，以避免如欠压，缺失饱和，米勒效 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出四款全极性霍尔效应开关，其磁场检测的敏感度适合于多种产品设计的接近效应与位置检测功能。这些微功率器件也为电池及低功率操作进行了优化，在3V供电下一般仅消耗24 μW。
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Diodes 功率器件 霍尔效应
- “十二五”规划出台以后，国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视，同时，“节能减排”工作也深入开展，中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT等半导体功率器件作为关键部件，受到了国家的重视，近两年更是列入国家重大科技专项中提供多方位的支持。
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是继双极晶体管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半导体分立器件，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高的特点，广泛用于小体积、高效率的变频电源、电机
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新能源 功率器件 IGBT
功率器件介绍
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