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功率半导体 文章 进入功率半导体技术社区

全球功率半导体TOP10,各有千秋

  • 近日,Yole 集团旗下半导体市场研究公司 YoleIntelligence 发布的功率半导体市场研究报告《StatusofthePowerElectronics2023》包含了 2020 年至 2022 年功率半导体供应商(分立+模块)的销售排名。细看榜单,全球功率半导体十强中有一半为日本企业,包括三菱电机、富士电机、东芝、瑞萨、罗姆。欧洲企业有英飞凌和意法半导体,美国企业有安森美、威世,中国仅有一家企业入选——闻泰科技旗下的安世半导体。以下为 2020 年至 2022 年功率半导体供应商前 20 榜单
  • 关键字: 功率半导体  

储能市场的光,国产半导体公司能借到吗?

  • 储能市场被视作下一个万亿投资机遇的风口。截至 2022 年底,全国已投运新型储能项目装机规模达 870 万千瓦,平均储能时长约 2.1 小时,比 2021 年底增长 110% 以上。分省域来看,截至 2022 年底,累计装机规模排名前 5 的省份分别为:山东 155 万千瓦、宁夏 90 万千瓦、广东 71 万千瓦、湖南 63 万千瓦、内蒙古 59 万千瓦。今年上半年,工商业储能产业链企业融资金额已超过 30 亿元,有 200 多家企业布局。在整个储能产业链中,半导体企业是不可或缺的一环。起飞的储能赛道,对
  • 关键字: 储能  电池管理  功率半导体  国产半导体  

汽车芯片,有两大好赛道

  • 汽车的智能化和电动化趋势,势必带动车用半导体的价值量提升,其中功率半导体和模拟芯片便迎来了发展良机。先看功率半导体,车规功率半导体是新能源汽车的重要组件,无论整车企业还是功率半导体企业都在瞄准这一赛道。新能源汽车电池动力模块都需要功率半导体,混合动力汽车的功率器件占比增至 40%,纯电动汽车的功率器件占比增至 55%。再看车规模拟芯片,模拟芯片在汽车各个部分均有应用,包括车身、仪表、底盘、动力总成及 ADAS,主要分为信号链芯片与电源管理芯片两大板块。如今,新能源汽车在充电桩、电池管理、车载充电、动力系统
  • 关键字: 功率半导体  SiC  GaN  模拟芯片  

重大突破!中国功率半导体封测再添“利器”

  • IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种功率半导体器件,俗称电力电子装置的“心脏”,作为国家战略性新兴产业,在高铁、新能源汽车、轨道交通、智能电网、航空航天等领域应用极广。近日,由中科院高能物理研究所济南研究部(济南中科核技术研究院)自主研发的全自动IGBT缺陷X射线三维检测设备已经正式亮相。该设备基于X射线计算机层析成像技术,并将人工智能(AI)算法引入检测系统,可对不合格产品进行自动识别及分拣。据济南中科核技术研究院介绍,这一重大成果实现了IGBT模块的全自动在线无损检测,数据实时反馈存储,有效解决了双层焊
  • 关键字: 功率半导体  封测  

功率半导体“放量年”,IGBT、MOSFET与SIC的思考

  • 4月24日,东芝电子元器件及存储装置株式会社宣布,在石川县能美市的加贺东芝电子公司举行了一座可处理300毫米晶圆的新功率半导体制造工厂的奠基仪式。该工厂是其主要的分立半导体生产基地。施工将分两个阶段进行,第一阶段的生产计划在2024财年内开始。东芝还将在新工厂附近建造一座办公楼,以应对人员的增加。此外,今年2月下旬,日经亚洲报道,东芝计划到2024年将碳化硅功率半导体的产量增加3倍以上,到2026年增加10倍。而据日媒3月16日最新消息,东芝又宣布要增加SiC外延片生产环节,布局完成后将形成:外延设备+外
  • 关键字: 功率半导体  IGBT  MOSFET  SIC  

汽车结构性缺芯 国产碳化硅功率半导体有望四季度“上车”

  • 4月7日,中国汽车芯片产业创新战略联盟功率半导体分会在长沙成立,将加快汽车功率芯片的国产化。在成立大会暨汽车功率芯片发展研讨会期间,第一财经记者获悉,汽车结构性缺芯给国产芯片带来机会,降本提质是国产功率芯片尤其是碳化硅功率半导体“上车”的关键;三安光电用于电动车主驱的碳化硅功率半导体有望今年四季度正式“上车”。  汽车结构性缺芯给国产芯片带来机会  有行业专家向第一财经记者表示,一辆电动车如果前驱与后驱都用功率半导体,功率半导体约占电机控制器的成本50%。奇瑞汽车研发总院芯片规划总监郭宇辉告诉第一财经记者
  • 关键字: 汽车电子  功率半导体  碳化硅  

强化产业链协作,中国汽车芯片创新联盟功率半导体分会成立

  • 4月7日,由中国汽车芯片产业创新战略联盟(以下简称:中国汽车芯片创新联盟)主办,湖南三安承办的“汽车功率半导体分会成立大会暨汽车功率芯片发展研讨会”在长沙举办。近80位政府嘉宾、企业高管、行业专家、新闻媒体齐聚一堂,共谋中国新能源汽车及功率半导体产业的发展之道,促进产业链跨界合作和多元融合生态的形成,携手共创汽车功率半导体行业的新局面。成立分会 推进产业高质量发展当前,汽车行业正处在从传统化石能源驱动逐步向全电驱动转换的巨大历史变革当中。新能源汽车进入发展快车道,汽车功率芯片是新能源汽车的重要器
  • 关键字: 产业链协作  汽车芯片  功率半导体  湖南三安  

功率半导体市场需求攀升,盛美上海首获Ultra C SiC衬底清洗设备采购订单

  • 今日,盛美上海宣布,首次获得Ultra C SiC碳化硅衬底清洗设备的采购订单。盛美上海指出,该订单来自中国领先的碳化硅衬底制造商,预计将在2023年第三季度末发货。当前,以碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)为主的第三代半导体迅速发挥发展,其中整体产值又以碳化硅占80%为重。据悉,碳化硅衬底用于功率半导体制造,而功率半导体被广泛应用于功率转换、电动汽车和可再生能源等领域。碳化硅技术的主要优势包括更少的开关能量损耗、更高的能量密度、更好的散热,以及更强的带宽能力。汽车和可再生能源等行业对功率半导体需求的增加
  • 关键字: 功率半导体  盛美上海  Ultra C SiC  衬底清洗  

SiC功率半导体市场分析;厂商谈IGBT大缺货

  • 根据TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体研究处最新报告《2023 SiC功率半导体市场分析报告-Part1》分析,随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化,将推动2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元,年成长41.4%。与此同时,受惠于下游应用市场的强劲需求,TrendForce集邦咨询预期,至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元,其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源2全球车用MCU市场规模预估2022年全球车用MCU市场规模达82
  • 关键字: SiC  功率半导体  IGBT  美光  

一文读懂功率半导体

  • 功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。凡是在拥有电流电压以及相位转换的电路系统中,都会用到功率器件,MOSFET、IGBT主要作用在于将发电设备产生的电压和频率杂乱不一的“粗电”通过一系列的转换调制变成拥有特定电能参数的“精电”、供给需求不一的用电终端,为电子电力变化装置的核心器件之一。在分立器件发展过程中,20世纪50年代,功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代,晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代
  • 关键字: 功率半导体  MOSFET  IGBT  

日本电子巨头罗姆将量产下一代半导体:提高用电效率、增加电动车续航里程

  • 据日本共同社日前报道, 日本电子零部件巨头罗姆(ROHM)将于今年12月量产下一代功率半导体,以碳化硅(SiC)为原材料。据悉,罗姆花费约20年推进研发碳化硅半导体。新一代半导体可让可提高机器运转的用电效率, 若装在纯电动汽车上,续航里程可提升一成,电池体积也可更小。据悉,罗姆将在福冈县筑后市工厂今年开设的碳化硅功率半导体专用厂房实施量产,还计划为增产投资最多2200亿日元(约合人民币114亿元),并将2025年度的碳化硅销售额上调至1100亿日元。公开资料显示, 碳化硅具备
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株洲中车时代功率半导体器件核心制造产业园项目开工

  • 据石峰发布消息显示,10月28日,株洲市中车时代功率半导体器件核心制造产业园项目开工。据悉,该项目位于株洲市石峰区轨道交通双创园内,占地约266亩,计划总投资逾52亿元,项目建成达产后,可新增年产36万片8英寸中低压组件基材的生产能力,产品主要面向新能源发电及工控家电领域。时代电气9月公告称,控股子公司株洲中车时代半导体有限公司,拟投资中低压功率器件产业化建设项目,包括中低压功率器件产业化(宜兴)一期建设项目和中低压功率器件产业化(株洲)建设项目(以下简称“株洲子项目”),项目投资总额约1,111,869
  • 关键字: 中车时代  功率半导体  

英飞凌在匈牙利设立新厂 扩充大功率半导体模块产能

  • 英飞凌科技(Infineon)于匈牙利采格莱德设立新厂,用于大功率半导体模块的组装和测试,以推动作为全球碳减排关键的汽车电动化进程。此外,英飞凌还进一步扩大了投资,提高大功率半导体模块的产能,广泛用于风力发电机、太阳能模块以及高能效马达驱动等应用,推动绿色能源的发展。英飞凌营运长Rutger Wijburg表示,英飞凌遵循的是长期可持续增长的发展道路。在低碳化和数字化趋势的推动下,英飞凌半导体解决方案的市场需求不断增长。采格莱德工厂为推动绿色能源的发展作出了重要贡献,新工厂的建设将进一步助力英飞凌满足日益
  • 关键字: 英飞凌科技  功率半导体  

功率半导体组件的主流争霸战

  • 功率半导体组件与电源、电力控制应用有关,特点是功率大、速度快,有助提高能源转换效率,多年来,功率半导体以硅(Si)为基础的芯片设计架构成为主流,碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等第三类半导体材料出现,让功率半导体组件的应用更为多元,效率更高。MOSFET与IGBT双主流各有痛点高功率组件应用研发联盟秘书长林若蓁博士(现职为台湾经济研究院研究一所副所长)指出,功率半导体组件是电源及电力控制应用的核心,具有降低导通电阻、提升电力转换效率等功用,其中又以MOSFET(金属氧化半导体场效晶体管)与IGBT(绝缘
  • 关键字:   碳化硅  氮化镓  功率半导体  

功率半导体冷知识之二:IGBT短路时的损耗

  • IGBT主要用于电机驱动和各类变流器,IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一,短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。IGBT是允许短路的,完全有这样的底气,EconoDUAL™3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的数据手册是这样描述短路能力的,在驱动电压不超过15V时,短路电流典型值是2400A,只要在10us内成功关断短路电流,器件不会损坏。IGBT的短路承受能力为短路保护赢得时间,驱动保护电路可以从容安全地关断短路电流。短路能力不是免费的器
  • 关键字: 英飞凌  IGBT  功率半导体  
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