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功率元件 文章

技术讲座:用氧化镓能制造出比SiC性价比更高的功率元件

  • 与SiC和GaN相比,beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的beta;-Ga2O3晶体管。下面请这些研究小组的技术人员,以论
  • 关键字: SiC  讲座  功率元件  氧化镓    

使用烧结铜的功率元件封装技术 可靠性提高10倍

  •   日立制作所在“PCIMEurope2016”并设的会议上发表了使用烧结铜的功率元件封装技术。该技术的特点是,虽为无铅封装材料,但可降低材料成本并提高可靠性。   对作为可靠性指标的“功率循环耐受量”实施测定的结果显示,循环次数达到了以往含铅焊锡的10倍以上。具体来说,在功率元件最大结温(Tjmax)为175℃、ΔTj为125℃的条件下实施功率循环试验时,以往的含铅焊锡最高为5万次,而使用烧结铜时达到55万次。在实施-40℃至+200℃的热循
  • 关键字: 功率元件  功率元件  

电源系统设计的无风险路径(下)

  •   接上篇      步骤2——构建   构建系统的第一个步骤是创建一个电源系统的方框图,从输出开始,然后向输入后向推进。从最低功率级别开始它的运作更好,并从那里继续工作,以便可以审查功率元件类别,并随功率级别的增加在必要时做出改变。   根据适当功率级别选择正确的元件类别非常重要。例如,在低功耗条件下,系统级封装产品(SiP),如Vicor ZVS降压稳压器是最好的解决方案。在较高功率级别,更好的方法可能是使用Vicor的ChiP
  • 关键字: Vicor  电源系统  功率元件  SELV  稳压器  

电源系统设计的无风险路径(上)

  •   摘要:现在,高性能电源系统已经有了长足进展,设计人员正在使用多个输入电压,驱动种类繁多应用的多路电压轨。为了确保PoL稳压器尽可能靠近负载的需求,设计人员需要在一个非常小的范围实现大量功率转换功能。与此同时,企业资源正趋于扩展到工程师,常常是由多面手,而不是电源专家来负责设计电源系统。因此,当今复杂的电源要求可能令设计人员非常头痛:如何利用不同资源为多样化的负载提供高性能电源,从而保证架构的所有部分都在其功率和散热范围内运行,同时还可优化效率和成本目标。   工程师如何充分利用现在可用的高性能构建模
  • 关键字: Vicor  电源系统  功率元件  SELV  稳压器  201412  

强化功率元件战力 MCU厂猛攻直流变频马达

  •   微控制器(MCU)厂商正积极补强功率半导体元件战力,强攻直流变频马达市场。无论是直流无刷马达(BLDC)或永磁同步马达(PMSM),其与交流感应马达最大的不同之处,就在于变频电路的设计,因此MCU厂为了直攻变频马达市场,除了提升MCU的控制性能之外,亦戮力强化与MCU搭配的功率元件战力。   德州仪器(TI)马达事业部现场应用工程师刘俊男表示,欧盟在2015年时预计将7.5千瓦(kW)以上之马达最低能效标准(MEPS)提升至IE3,到2017年时,才将IE3管制范围向下探至0.75kW以上,从这
  • 关键字: 功率元件  MCU  

英飞凌:GaN功率元件前景虽好,但采用为时尚早

  • GaN被认为是下一代的功率元件,被赋予了代替SiC的神圣使命。但是近日,来自英飞凌的MarkMuenzer表示,其前景虽好,但是还没到广泛使用的时候,因它还有很多未被探索出来的部分。
  • 关键字: GaN.功率元件  

车用功率元件新思路,满足车规为首要任务

  • 随着美国电动车大厂Tesla在电动车市场开始突破重围后,全球电动车市场也开始弥漫着一股相当乐观的气氛。不过, ...
  • 关键字: 功率元件  车规  

PV逆变器应用升温,推动SiC功率元件发展

  • 碳化硅(SiC)功率元件正快速在太阳能(PV)逆变器应用市场攻城掠地。SiC功率元件具高频和耐高温特性,不仅可较传...
  • 关键字: PV  逆变器  SiC  功率元件  

技术讲座:用氧化镓能制造出比SiC性价比更高的功率

  • 与SiC和GaN相比,beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的beta;-Ga2O3晶体管。下面请这些研究小组的技术人员,以论
  • 关键字: SiC  讲座  功率元件  氧化镓    

技术讲座:用氧化镓能制造出比SiC性价比更高的功率元件(二)

  • 基板成本也较低采用β-Ga2O3制作基板时,可使用“FZ(floatingzone)法”及“EFG(edge-definedfilm-fed...
  • 关键字: 氧化镓  SiC  功率元件  MOSFET  LED  

技术讲座:用氧化镓能制造出比SiC性价比更高的功率元件(一)

  • 与SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源...
  • 关键字: SiC  功率元件  GaN  导通电阻  

IGBT功率元件的应用及保护技术

  • 1 引言  随着半导体元件制造工艺的完善和制造技术的提高,半导体功率元件正朝着大电流、高电压、快通断、 ...
  • 关键字: IGBT  功率元件  

SiC国际会议:从功率元件到传感器和集成电路

  •   作为新一代功率半导体材料而备受关注的SiC国际会议“ICSCRM2011”于2011年9月11~16日(当地时间)在美国俄亥俄州克利夫兰举行。会上围绕着SiC基板(晶圆)、元件工艺、各种元件以及相关电路应用等题目进行了成果发表。虽然以SiC制功率元件相关成果为中心,但发表的内容其实涉及多个方面。比如,还有采用SiC制成的传感器及可支持高温工作的集成电路,以及SiC材料金刚石和在SiC基板上形成石墨烯等成果发表。  
  • 关键字: 功率元件  传感器  

HEV系统的主要部件:功率元件解析

  • 功率元件是最重要的部件就功能和成本而言,功率元件在逆变器中是最为重要的部件。要想降低成本,如何使用...
  • 关键字: 功率元件  开关  IGBT  电容  电流  
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功率元件介绍

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