制造工艺 文章
- 据外媒报道，在今年的IEEE国际电子设备会议（IEDM）上，芯片巨头英特尔发布了2019年到2029年未来十年制造工艺扩展路线图，包括2029年推出1.4纳米制造工艺。
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英特尔 1.4纳米 制造工艺
- 1、极板的制造包括：铅粉制造、板栅铸造、极板制造、极板化成等。⑴铅粉制造设备铸粒机或切段机、铅粉机及...
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铅酸蓄电池 制造工艺
- ●通过前玻璃基板/彩色滤光基板工艺过程形成精确排列的彩色滤光层。●薄膜基板工艺形成薄膜晶体管液晶（TFT...
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TFT-LCD 制造工艺 滤光层
- 1．电源逆变器的持续输出功率与峰值输出功率有什么不同？持续功率和峰值功率因其表达的意义而不同。...
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电源 逆变器 制造工艺
- 球形led显示屏，在制作上分类两种：1、整球形led显示屏。一般这样的球比较小，直径2米左右，能够在近处观看整体；2、半球形led显示屏。一般这样的球比较大，需要在远处才能观看。LED球形屏制作，基本分为以下几种方式
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LED 制造工艺 实际用途
- LDMOS的性能概述 与双极型晶体管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6d ...
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LDMOS 性能 制造工艺
- 1.LED芯片检验镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极...
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LED 制造工艺 流程 扩片
- 据外媒报道，英特尔于昨日发布声明表示，公司将在美国工厂新一代制造工艺上投资60亿-80亿美元。
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英特尔 制造工艺
- 在向着4G手机发展的过程中，便携式系统设计工程师将面临的最大挑战是支持现有的多种移动通信标准，包括GSM、GPRS、EDGE、UMTS、WCDMA和HSDPA，与此同时，要要支持100Mb/s～1Gb/s的数据率以及支持OFDMA调制、支持MIMO天线技术，乃至支持VoWLAN的组网，因此，在射频信号链设计的过程中，如何降低射频功率放大器的功耗及提升效率成为了半导体行业的竞争焦点之一。目前行业发展呈现三条技术路线，本文就这三条技术路线进行简要的比较。
利用超CMOS工艺，从提高集成度来间接提升P
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射频 功率放大器 无线通信 芯片 制造工艺
- 半导体芯片结构尺寸的缩小使得RC延迟成为制约集成电路性能进一步提高的关键性因素。转向低k铜工艺技术是业界给出的解决方案。双大马士革工艺取代了传统的铝“减”工艺，成为低k铜互连材料的标准制造工艺。
为了能与芯片制造工艺完美结合，不产生可靠性问题，低k绝缘材料必须具备一系列期望的材料特性，对低k材料研发本身的挑战在于：在获得所需要的低介电常数的同时，低k材料还必须满足良好的热和机械特性。但目前并没有完全符合这些期望特性的低k材料被制造出来，因而给半导体制造工艺带来了挑战。
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半导体 集成电路 低k铜 制造工艺
- 市场需求和技术支撑组成了便携式产品走向全面单芯化的双重推动力。用于便携式产品的SoC正在大规模地包容包括ADC和PLL在内的模拟电路，单芯化设计有助于减少元件数量、芯片占板面积、BOM以及芯片功耗等。
集众多数字和模拟技术与一身的手机芯片是单芯化设计趋势的一个缩影。一个集成了基带、RF收发器、SRAM和PMU的SoC就几乎组成一个完整的手机芯片方案。TI、英飞凌、NXP和高通已经陆续推出了多个面向2G、2.5G和3G的单芯片方案。
即便是作为手机附属功能，Wi-Fi和AM/FM接收器的
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消费电子 单芯片 制造工艺 便携式 消费电子
- 摘 要：本文简述了RF 功率 MOSFET器件的应用，分析了以LDMOSFET工艺为基础的RF 功率 MOSFET的功能特性、产品结构和制造工艺特点。文中结合6寸芯片生产线，设计了产品的制造工艺流程，分析了制造工艺的难点，并提出了解决方案。关键词：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件结构；制造工艺
引言RF 功率 MOSFET的最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期，RF功率MOSFET还都是使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET
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LDMOSFET MOSFET RF RF专题 电源技术 功率 模拟技术 器件结构 制造工艺
- 提起半导体制造，台湾是全球工艺的领先者，而半导体制程则是台湾少数几个没有对大陆开放投资的项目。这一次，台湾经济主管机构召开“大陆投资政策审查会议”，会后宣布，茂德、力晶8英寸半导体厂项目(0.25)通过了政策审查，后续的0.18其实也已经通过了审查，这对整个半导体产业不得不说是个震撼。
初看起来，0.18都已经接近淘汰，0.25更是该走进历史的垃圾堆，但仔细研究却并非这么简单。
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半导体 制造工艺
- 极具成本效益的TPM解决方案，专门为PC制造商和OEM厂商设计， 达到可信计算组最新标准 全球第一个推出完全符合TCG(可信计算组)TPM1.2规范的可信平台模块(TPM)的芯片制造商意法半导体（纽约证券交易所代码：STM)，又推出了一个采用该公司先进的0.15微米CMOS EEPROM制造工艺的新模块。新产品ST19NP18是在取得巨大成功的上一代ST19WP18 TPM的基础上改进而成的，制造技术采用了能够给PC制造商带来更多成本效益的0.15微米制造工艺。 安全芯片T
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0.15微米 1.2可信平台模块 ST TCG 单片机 嵌入式系统 意法半导体 制造工艺 模块
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