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EEPW首页 >> 主题列表 >> 击穿电压最高的1050v mosfet viper转换器

击穿电压最高的1050v mosfet viper转换器 文章

SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著

  • 商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史,自问世以来,MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件,被广泛用于电源、电机驱动等电路设计。不过,这一成功也让MOSFET和IGBT体会到因成功反而受其害的含义。随着产品整体性能的改善,特别是导通电阻和开关损耗的大幅降低,这些半导体开关的应用范围越来越广。结果,市场对这些硅基MOSFET和IGBT的期望越来越高,对性能的要求越来越高。尽管主要的半导体研发机构和厂商下大力气满足市场要求,进一步改进MOSFET/ IGBT产品,但在某些时候,收益递减
  • 关键字: SiC MOSFET  意法半导体  

减慢开关转换时要谨慎

  • 开关调节器中的快速开关瞬变是有利的,因为这显著降低了开关模式电源中的开关损耗。尤其是在高开关频率时,可以大幅提高开关调节器的效率。但是,快速开关转换也会带来一些负面影响。开关转换频率在20 MHz和200 MHz之间时,干扰会急剧增加。这就使得开关模式电源开发人员必须在高频率范围内,在高效率和低干扰之间找到良好的折衷方案。此外,ADI公司提出了创新的Silent Switcher®技术,即使是极快的开关边沿,也可能产生最小电磁辐射。图1.对开关模式电源进行开关转换,在开关节点处施加输入电压。图1显示了快速
  • 关键字: 开关  MOSFET  

ROHM开发出4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),开发出6款沟槽栅结构※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品(650V/1200V耐压),非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。此次新开发的系列产品采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装(TO-247N)相比,开关损耗可降低约35%,非常有助于进一步降低各种设备的功耗。另外,罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT304
  • 关键字: SiC  MOSFET  

中欧“大咖”齐聚深圳,共话第三代半导体发展

  • 最近,由深圳市科学技术协会、坪山区人民政府、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导,青铜剑科技、深圳第三代半导体研究院、南方科技大学深港微电子学院主办,深圳基本半导体、深圳中欧创新中心承办的第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”在深圳五洲宾馆成功举办。来自中国和欧洲的专家学者、企业高管、投资精英等近200名代表参会,围绕第三代半导体技术创新、产业发展、国际合作进行深入探讨与交流,加速第三代半导体材料国产化替代进程,助力国产半导体开辟一片新天地。深圳市科学技术协会党组书记林祥、深圳市坪山区科技创新局局长黄鸣出席论
  • 关键字: 碳化硅  二极管  MOSFET  

Diodes公司推出微型车用 MOSFET,可提供更高的功率密度

  • Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 今日宣布推出额定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及额定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ,两者均为符合车用规范的 MOSFET,采用 DFN2020 封装。这两款微型 MOSFET 仅占较大封装 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 区域,可在直流对直流 (DC-DC) 转换器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎盖下」的汽车应用之中,提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 时的 RDS(ON) 标
  • 关键字: MOSFET  汽车  

针对高耐用性和可靠性电源需求,意法半导体推出市场上击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器

  • 中国,2019年7月29日——意法半导体VIPer26K发布高压功率转换器,集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET,使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。VIPer26K MOSFET具有极高的额定电压,无需传统垂直堆叠FET和相关无源元件,即可实现类似的电压处理能力,可采用尺寸更小的外部缓冲器元件。转换器内置漏极限流保护功能,MOSFET包含一个用于过温保护的senseFET引脚。单片集成高压启动电路、内部误差放大器和电流式PWM控制器,VIPER26K支持所有常见开关式电源拓扑,包括原边或副
  • 关键字: 电源  意法半导体  击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器  

SiC将达23亿美元规模,技术精进是主攻方向

  •       SiC(碳化硅)作为第三代半导体,以耐高压、高温和高频,在高性能功率半导体上显出优势。在应用中,在光伏和服务器市场最大,正处于发展中的市场是xEV(电动与混动汽车)。随着SiC产品特性越做越好,在需要更高电压的铁路和风电上将会得到更多的应用。      不过,制约SiC发展的,最主要的是价格,主要原因有两个,一个是衬底,一个是晶圆尺寸所限。例如晶圆尺寸越大,成本也会相应地下降,ROHM等公司已经有6英寸的晶圆片。在技术方面,众厂商竞争
  • 关键字: SiC  MOSFET  

华为强力扫货 手机、服务器用MOSFET急单声声催

  • 中美贸易战战火延烧,华为禁令事件已经让大陆业者火速要求逻辑IC供应链紧急备货,熟悉功率元件业者透露,除了巩固华为海思晶圆代工、封测代工供应链以及台系逻辑IC供应体系外,疯狂扫货力道已经蔓延到功率基础元件金氧半场效晶体管(MOSFET)。
  • 关键字: 华为  MOSFET  中美贸易战  

现代IGBT/MOSFET栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制

  •   Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers       作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司(德国 慕尼黑)  摘要:通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。  关键词:IGBT; MOSFET; 栅极驱动器;耐受性;隔离    &nb
  • 关键字: 201905  IGBT  MOSFET   栅极驱动器  耐受性  隔离  

工程师必须掌握的MOS管驱动设计细节

  • 一般认为MOSFET是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS的G、S两级之间,有结电容存在。这个电容会让驱动MOS变的不那么简单......
  • 关键字: MOS  MOSFET  

SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10个机型, 产品阵容丰富且支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101

  •   全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向车载充电器和DC/DC转换器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10个机型,该系列产品支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※2),而且产品阵容丰富,拥有13个机型。  ROHM于2010年在全球率先成功实现SiC MOSFET的量产,在SiC功率元器件领域,ROHM始终在推动领先的产品开发和量产体制构建。在需求不断扩大的车载市场,ROHM也及时确立车载品质,并于2012年开始供应车载充电器用的SiC肖特
  • 关键字: ROHM  SiC  MOSFET  

安森美半导体推出新的工业级和符合车规的SiC MOSFET,补足成长的生态系统,并为迅速增长的应用带来宽禁带性能的优势

  •   2019年3月19日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出了两款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。  这标志着安森美半导体壮大其全面且不断成长的SiC 生态系统,包括SiC二极管和SiC驱动器等互补器件,以及
  • 关键字: 安森美  MOSFET  

600V 超级结MOSFET “PrestoMOS”系列产品助力变频空调节能

  •   全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品,在保持极快反向恢复时间(trr※1))的同时,提高设计灵活度,非常适用于空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日,该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。  此次开发的新系列产品与以往产品同样利用了ROHM独有的寿命控制技术,实现了极快的反向恢复时间(trr)。与IGBT相比,轻负载时的功耗成功减少了58%左右。另外,通过提高导通MOSFET所需要的电压水
  • 关键字: ROHM  MOSFET   

Diodes 公司的双极晶体管采用 3.3mm x 3.3mm 封装并提供更高的功率密度

  •   Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商,产品涵盖广泛领域,包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场。公司推出 NPN 与 PNP 功率双极晶体管,采用小尺寸封装 (3.3mm x 3.3mm),可为需要高达 100V 与 3A 的应用提供更高的功率密度。新款 NPN 与 PNP 晶体管的尺寸较小,可在闸极驱动功率 MOSFET 与 IGBT、线性 DC-DC 降压稳压器、PNP LDO 及负载开关电路,提供更高的功率密度设计。 
  • 关键字: Diodes  MOSFET   

Vishay携最新MOSFET、IC、无源器件和二极管技术亮相APEC 2019

  •   2019年3月12日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,将在3月17日-21日于加利福尼亚州阿纳海姆(Anaheim,California)举行的2019年国际应用电力电子展会(APEC)上展示其强大产品阵容。Vishay展位设在411展台,将展示适用于广泛应用领域的最新业内领先功率IC、无源器件、二极管和MOSFET技术。  在APEC 2019上展示的Vishay Siliconix电源IC包括SiC9xx microBR
  • 关键字: Vishay  MOSFET  
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击穿电压最高的1050v mosfet viper转换器介绍

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