- 王大波，施清清，李会超，宗 岩 （珠海格力电器股份有限公司，广东 珠海 519000）摘 要：芯片失效作为困扰电子行业的难题，失效机理复杂，对于因生产现场环境造成的过电、静电失效，环 节无法锁定。通过对高压电解电容带电插装对印制电路板上芯片损伤分析，确定主板过波峰焊时锡面连锡短路 导致高压电解电容放电击穿芯片的失效机理，并制定管控对策，有效降低芯片失效不良。 关键词：芯片失效；高压电解电容；击穿；波峰焊；PCBA0 引言 随着电子技术的发展，小型化、集成化的芯片被应 用
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202003 芯片失效 高压电解电容 击穿 波峰焊 PCBA
- 在LED电源产品的设计过程中，工程师们需要处理的绝不仅仅是电路设计问题，更多的是LED电源的驱动方案选择、LED的寿命维系以及后期的维护和检修工作等。
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LED 电源设计 驱动 击穿
- MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏)，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样，有很高的输入电阻，只是MOS管的输入电阻更高。 静电放电形成
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MOS 击穿
- 用万用表判断电容器质量视电解电容器容量大小，通常选用万用表的R×10、R×100、R×1K挡进行测试判断。...
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电容 击穿 漏电 失去容量
- LED内部的PN结在应用到电子产品的制造、组装筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节，难免不受静电感应影响而产生感应电荷。若电荷得不到及时释放，将在两个电极上形成的较高电位差，当电荷能量达到LED的承受极限值
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LED 分析 静电 击穿
- MOS管被击穿的原因及解决方案如下：第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外...
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MOS管 击穿 解决方案
- 中心议题： 功率晶体管二次击穿的原因 避免功率晶体管二次击穿的措施 开关电源中可选用的缓冲电路解决方案： 耗能式关断缓冲电路 耗能式开通缓冲电路 无源回馈关断缓冲电路 无源回馈开通缓冲电
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防护 击穿 晶体管 功率 开关电源
- 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比，反向偏置时MOSFET雪崩击穿过程不存在“热点”的作用，而电气量变化却十分复杂。寄生器件在
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问题 分析 击穿 雪崩 MOSFET 功率
击穿介绍
击穿---绝缘物质在电场的作用下发生剧烈放电或导电的现象叫击穿。 例如，平常我们使用的验电笔中的氖管发光，就是氖管两端的电压超过70V而被击穿。 电容器的结构特性与作用
1．电容器的结构特性 电容器是由两个相互靠近的金属电极板，中间夹一层绝缘介质构成的。在电容器的两个电极加上电压时，电容器就能储存电能。
1．电容器
(1)电容器：两块相互靠近又彼此绝缘的导体组成电容器．电容 [
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