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击穿 文章

高压电解电容波峰焊放电击穿板上芯片的机理研究及对策

  • 王大波,施清清,李会超,宗  岩 (珠海格力电器股份有限公司,广东 珠海 519000)摘  要:芯片失效作为困扰电子行业的难题,失效机理复杂,对于因生产现场环境造成的过电、静电失效,环 节无法锁定。通过对高压电解电容带电插装对印制电路板上芯片损伤分析,确定主板过波峰焊时锡面连锡短路 导致高压电解电容放电击穿芯片的失效机理,并制定管控对策,有效降低芯片失效不良。 关键词:芯片失效;高压电解电容;击穿;波峰焊;PCBA0  引言 随着电子技术的发展,小型化、集成化的芯片被应 用
  • 关键字: 202003  芯片失效  高压电解电容  击穿  波峰焊  PCBA  

LED电源设计实用经验问答分享

  • 在LED电源产品的设计过程中,工程师们需要处理的绝不仅仅是电路设计问题,更多的是LED电源的驱动方案选择、LED的寿命维系以及后期的维护和检修工作等。
  • 关键字: LED  电源设计  驱动  击穿  

电子器件在工厂车间生产过程中的防静电问题分析与研究 

【E问E答】MOS管为什么会被静电击穿?

  •   MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏),又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式:一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样,有很高的输入电阻,只是MOS管的输入电阻更高。  静电放电形成
  • 关键字: MOS  击穿  

教你如何测量判断电容之击穿、漏电和失去容量

  • 用万用表判断电容器质量视电解电容器容量大小,通常选用万用表的R×10、R×100、R×1K挡进行测试判断。...
  • 关键字: 电容  击穿  漏电  失去容量  

分析LED被静电击穿的现象及原理

  • LED内部的PN结在应用到电子产品的制造、组装筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节,难免不受静电感应影响而产生感应电荷。若电荷得不到及时释放,将在两个电极上形成的较高电位差,当电荷能量达到LED的承受极限值
  • 关键字: LED  分析  静电  击穿    

MOS管击穿的原因及解决方案

  • MOS管被击穿的原因及解决方案如下:第一、MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外...
  • 关键字: MOS管  击穿  解决方案  

开关电源中功率晶体管的二次击穿及防护

  • 中心议题: 功率晶体管二次击穿的原因 避免功率晶体管二次击穿的措施 开关电源中可选用的缓冲电路解决方案: 耗能式关断缓冲电路 耗能式开通缓冲电路 无源回馈关断缓冲电路 无源回馈开通缓冲电
  • 关键字: 防护  击穿  晶体管  功率  开关电源  

功率MOSFET雪崩击穿问题分析

  • 摘要:分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因,以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比,反向偏置时MOSFET雪崩击穿过程不存在“热点”的作用,而电气量变化却十分复杂。寄生器件在
  • 关键字: 问题  分析  击穿  雪崩  MOSFET  功率  

为功率MOSFET增加自动防故障击穿保护

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击穿介绍

击穿---绝缘物质在电场的作用下发生剧烈放电或导电的现象叫击穿。 例如,平常我们使用的验电笔中的氖管发光,就是氖管两端的电压超过70V而被击穿。 电容器的结构特性与作用   1.电容器的结构特性 电容器是由两个相互靠近的金属电极板,中间夹一层绝缘介质构成的。在电容器的两个电极加上电压时,电容器就能储存电能。   1.电容器   (1)电容器:两块相互靠近又彼此绝缘的导体组成电容器.电容 [ 查看详细 ]

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