- 由于ASIC的研发成本居高不下，加上近来FPGA不断整合更多的功能，同时也突破了过往功耗过高的问题，尤其当进入28奈米制程之后，其性价比开始逼近ASSP与ASIC，促使FPGA开始取代部分ASIC市场，应用范围也逐步扩张。
掌握这样的趋势，让FPGA大厂Xilinx在28奈米的产品营收持续成长。Xilinx企业策略与行销资深副总裁SteveGlaser指出，预估今年在28奈米产品线将会有1亿美元的营收，市占率高达61%，而2014年更将大幅成长，目标将成长至2亿5千万营收表现，市占率也将成长
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Xilinx 制程
- 行动运算产品市场持续朝产品薄化方向设计，目前相关设计多使用整合晶片减少元件用量，对于异质核心的封装整合，若仍使用旧有的封装技术将会造成成品元件仍具一定程度占位面积，必须利用堆叠与更复杂的3DIC技术进行元件整合的积极微缩设计…
矽晶片的制程技术，一直是推进行动终端产品跃进式升级、改善的关键驱动力，以往透过SoC(systemonachip)将不同用途的异质核心进行整合，目前已经产生简化料件、缩减关键元件占位面积的目的，但随着使用者对于行动装置或可携式装置的薄化、小型化要求越来越高，
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3D 制程 矽穿孔
- 就在市场普遍关注晶圆代工厂的28纳米制程竞争之际，晶圆代工龙头台积电(2330)仍积极将现有技术升级为特殊技术制程产能，原因就是持续看好行动装置及智能穿戴装置的强劲成长动能，包括嵌入式快闪存储器(eFlash)、CMOS影像传感器、指纹辨识元件、微机电及光感测元件等，都是台积电未来2～3年的布局重点。
台积电董事长张忠谋在上周法说会中，特别提及特殊技术重要性，因为行动装置及智能穿戴装置的ARM架构核心处理器芯片，会大量用到28纳米以下先进制程，但其它的类比或感测芯片同样重要，而这些芯片虽不需应用
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- 自从ARM决定从行动装置跨足到伺服器市场后，无不加快自己在制程技术上的脚步，好能跟Intel一决高下，不过当然还是必须协同主要合作夥伴(台积电与三星)的技术进度。对ARM来说，去年年底宣布成功试产(Tape Out)14nm FinFET制程技术的三星，将是有助于提高自家处理器效能的关键，但目前仍有技术上的问题必须克服。
日前ARM已正式对外公布2013年Q1财报，营收同样继续维持成长，主要营收的大多比重皆是来自于IP技术授权(ARMv8、Mali、big.LITTLE技术)。而低功耗一直以来都
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- 在LED制程中，蓝宝石基板虽然受到来自Si与GaN基板的挑战，但是考虑到成本与良率，蓝宝石在近两年内仍然具有优势，可以预见接下来蓝宝石基板的发展方向是大尺寸与图案化(PSS)。由于蓝宝石硬度仅次于钻石，因此对它进行
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LED 基板 芯片 制程
- 继日前与台积电延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安谋国际(ARM)再于14日宣布与格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)签订合约，双方将合推采用格罗方德20奈米制程与鳍式场效电晶体(FinFET)技术的ARM核心系统单晶片(SoC)，并携手发展新一代Mali绘图处理器(GPU)核心。
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问:作为中国本土的旗舰型制造企业，您认为中国制造型企业，应该如何用创新去应对调整？如何走特色发展的道路？
答：首先从工艺方面来看，这15年是非常特殊的时期，发展速度很快。我记得我们在做90nm的时候，我们就有一种想法，觉得做到40、45nm的时候就差不多了，不过后来又发现还在演进。所以我相信，尤其我们年轻一代，用创新精神会继续往下做。
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- 今天来探讨LED晶圆的生长制程，早期在小积体电路时代，每一个6英寸的晶圆上制作数以千计的晶粒，现在次微米线宽的...
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LED 晶圆 生长 制程
- 台积电公司今(10)日公布2009年十月营收报告，就非合并财务报表方面，营收约为新台币291亿8,100万元，较今年九月增加了4.1%，较去年同期增加了2.9%。累计2009年一至十月营收约为新台币2,259亿2,700万元，较去年同期减少了21.9%。
就合并财务报表方面，2009年十月营收约为新台币302亿1,900万元，较今年九月增加了4.4%，较去年同期增加了2.5%。累计2009年一至十月营收约为新台币2,338亿6,600万元，较去年同期减少了21.5%。
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台积电 40nm 制程
- 据业界分析，台积电的40nm制程目前仍然存在着良率不足的问题。今年早些时候，台积电曾公开承认此问题，但后来他们宣称已解决先前大部分良率问题。不过，根据本周四Nvidia公司举办的一次会议的内容，我们可以看出Nvidia公司内部对台积电的40nm产能及良率方面仍然存在较大的担忧。而另外一 家厂商AMD也是深受其害。
不过并非所有厂商的情况均是如此，比如Altera公司便表示其委托台积电代工的40nm FPGA产品“良率数据良好。”
相比之下，Nvidia则对台积电的4
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- 市场研究公司iSuppli指出，IC市场低迷很可能缩小第一阶纯代工厂商阵营，未来第一阶代工厂商的数量可能减少至3家。
“2009年是代工厂商希望赶紧过去的一年。”iSuppli分析师Len Jelinek在一份声明中表示，“然而，明年很可能出现新的挑战，竞争成本的增长将使玩家数量减少。”
2009年全球纯代工厂商收入预计为178亿美元，减少10.9%，明年将增长21%至216亿美元。
“开发实现下一代制程的成本迅速增长。想在
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- 台积电近日表示，虽然尚未公布今年的资本支出计划，但仍将持续进行设备采购，并以提升45、40纳米的先进制程产能为主。
台积电本周连续公告自AMAT等厂商购入设备，金额累计达54.8亿台币。据悉，第二季台积电投资设备金额将超过100亿台币。对此，台积电代理发言人曾晋皓对表示，“设备采购基本上以45、40纳米的先进制程为主，我们在这方面较缺乏，至于投入多少要以市场需要而定。”他并指出，公司今年资本支出还没决定，但还没决定不代表不买设备。
虽然台积电未说明在45、40纳米先
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台积电 制程
- 台积电今（24）日表示，领先专业集成电路制造服务领域推出40纳米制程。此一新世代制程包括提供高效能优势的40纳米泛用型制程（40G）以及提供低耗电量优势的40纳米低耗电制程（40LP）；同时提供完备的40纳米设计服务套件及包括经过制程验证的合作厂商硅智材、设计自动化工具，以及台积公司的电性参数模型（SPICE Model）及核心基础硅智材的完整设计生态环境。而首批客户产品预计于2008年第二季产出。
台积公司40纳米制程重点：
芯片闸密度（Raw gate density）是65纳米制
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- IBM联盟开发出可在32纳米芯片中加速实现一种被称为“high-k/metal gate(高电介质金属栅极)”的突破性材料。这种新方法是基于被称为“high-k gate-first(高电介质先加工栅极)”加工工艺的方法，为客户转向高电介质金属栅极技术提供了一种更加简单和更省时间的途径，由此而能够带来的益处包括性能的提高和功耗的降低。通过使用高电介质金属栅极，IBM与联盟合作伙伴成功地开发出比上一代技术体积小50%的芯片，同时提高了众多性能。使用这种新技术的
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2008年1月15日，中国北京-全球领先的可编程逻辑器件（PLD）供应商赛灵思公司（Xilinx, Inc. (NASDAQ: XLNX)）宣布推出其最新的90nm低成本Spartan™-3A FPGA器件。针对数字显示、机顶盒以及无线路由器等应用而优化的这些小封装器件满足了业界对更小器件封装尺寸的需求，为成本极为敏感的消费电子设计提供将更好的支持。
Spartan-3系列平台:低成本消费应用的首选
赛灵思在大批量消费应用领域所取
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