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光刻工艺 文章

浅析半导体行业图形化工艺之光刻工艺

  •   图形化工艺是要在晶圆内和表面层建立图形的一系列加工,这些图形根据集成电路中物理“部件”的要求来确定其尺寸和位置。  图形化工艺还包括光刻、光掩模、掩模、去除氧化膜、去除金属膜和微光刻。图形化工艺是半导体工艺过程中最重要的工序之一,它是用在不同的器件和电路表面上建立图形的工艺过程。这个工艺过程的目标有两个:  1. 在晶圆中和表面上产生图形,这些图形的尺寸在集成电路或器件设计阶段建立。  2. 将电路图形相对于晶圆的晶向及以所有层的部分对准的方式,正确地定位于晶圆上。  除了两个结果外,有许多工艺变化。
  • 关键字: 光刻工艺  晶圆  
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光刻工艺介绍

光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺在此之后,晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。被除去的部分可能形状是薄膜内的孔或是残留的岛状部分。 光刻工艺也被称为大家熟知的Photomasking, masking, photolithography, 或micr 光刻 olithography。在晶圆的制造过程中,晶体三极管、二极管、电容、电阻和金属 [ 查看详细 ]

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