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充电损害 文章

为IC设计减少天线效应

  • 如同摩尔定律所述,数十年来,芯片的密度和速度正呈指数级成长。众所周知,这种高速成长的趋势总有一天会结束,只是不知道当这一刻来临时,芯片的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展,芯片密度不断增加,而闸级氧化层宽度不断减少,超大规模集成电路(VLSI)中常见的多种效应变得原来越重要且难以控制,天线效应便是其中之一。
  • 关键字: IC设计  天线  天线效应  充电损害  MOS  
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充电损害介绍

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