IT之家 10 月 25 日消息，RISC-V 生态系统中的关键公司之一 SiFive，正在经历一场重大的重组，这场重组主要是大规模裁员和业务重心转移，这一举动给 SiFive 的未来以及其对 RISC-V 的贡献带来了不确定性。IT之家注意到，RISC-V 已经成为制造微型低成本核心的热门选择，但也有一些公司研发高性能的基于 RISC-V 的产品，SiFive 就是这样一家公司，该公司提供现成的设计，也根据客户的需求制作定制核心。但今天 SiFive 发布声明称，正在裁减约 20% 的员工（约
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RISC-V SiFive
IT之家 10 月 24 日消息，Milk-V Oasis 是一款即将上市的迷你 ITX 主板，搭载 Sophgo SG2380 RISC-V 处理器。该处理器集成了 16 核的 SiFive P670 CPU 以及 SiFive X280 神经处理单元，AI 性能最高 20 TOPS（每秒万亿次运算）。这款 Oasis 主板来自深圳市群芯闪耀科技有限公司，表示将以实惠的价格提供“真正的桌面级 RISC-V PC”体验，官方计划 2024 年第 3 季度交付。Oasis 主板尺寸为 170 x
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RISC-V CPU
近日，据媒体报道，三星电子存储业务主管李政培称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品，希望明年初可以实现量产。三星正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。目前，存储产业处于缓速复苏阶段，大厂们正在追求存储先进技术的研发。从当前进度来看，NAND Flash的堆叠竞赛已经突破200层大关：SK海力士已至321层，美光232层，三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层）。据悉，三星将于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层）
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三星 第九代 V-NAND 闪存
RISC-V定制计算领域的领导者Codasip®近日宣布：推出一款全新的、高度可配置的RISC-V基准性处理器系列，以实现无限创新。该系列被命名为“700系列”，包括多款应用处理器和嵌入式处理器内核。700系列通过引入一个不同的、可满足更高性能需求的出发点，来进一步完善了Codasip已广受欢迎的嵌入式处理器内核。Codasip的客户可以使用Codasip Studio™设计工具来针对其目标应用场景优化每一种基准性内核。该系列的首款内核是A730，这是一款64位的RISC-V应用处理器内核，目前已提供给早
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Codasip 定制计算 RISC-V处理器
10月18日消息，高通周二宣布与谷歌合作，采用基于RISC-V技术的芯片制造智能手表等可穿戴设备。RISC-V是一种开源技术，与英国芯片设计公司Arm的昂贵专有技术竞争。RISC-V可用于制造智能手机芯片和人工智能高级处理器。尽管立法者对别国利用美国公司之间的开放合作文化推动自己的半导体产业表示担忧，但美国公司仍在积极推进基于RISC-V的技术。高通计划在全球范围内实现基于RISC-V的可穿戴设备解决方案商业化，包括美国。高通表示，这将有助于安卓生态系统中更多产品利用低功耗、高性能的定制处理器。
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高通 谷歌 可穿戴设备 RISC-V芯片
业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice (股票代码 603986) 今日宣布，正式推出基于RISC-V内核的GD32VW553系列双模无线微控制器。GD32VW553系列MCU支持Wi-Fi 6及Bluetooth LE 5.2无线连接，以先进的射频集成、强化的安全机制、大容量存储资源以及丰富的通用接口，结合成熟的工艺平台及优化的成本控制，为需要高效无线传输的市场应用持续提供解决方案。全新产品组合提供了8个型号、QFN40/QFN32两种小型封装选项，现已开放样片和开发板卡申请，并将于12
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兆易创新 RISC-V GD32VW553 双模 无线 微控制器
RISC-V 运算的先驱和领导厂商SiFive, Inc.近日宣布推出两款新产品，旨在满足高性能运算的最新需求。SiFive Performance™ P870 和 SiFive Intelligence™ X390 提供最新水准的低功耗、运算密度和矢量运算能力，三者结合起来将为日益增长的资料密集型运算提供必要的性能提升。这些新产品共同创建了标量和矢量运算的强大组合，可满足现今数据流和运算密集型人工智能应用于消费性、车用和基础设施市场的需求。在圣克拉拉举行的现场新闻和分析师活动上，SiFive 同时也宣布
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SiFive 生成式AI RISC-V
IT之家 10 月 12 日消息，近日，业界首款基于 RISC-V 架构的 Cat.1 模组 ML305M 在 2023 中国移动全球合作伙伴大会上首次亮相。据介绍，ML305M 基于中移芯昇科技 CM8610 开发。CM8610 是国内首颗基于 64 位 RISC-V 内核的 LTE Cat.1bis 通信芯片，采用 22nm 工艺，具有高集成度以及外围极简 BOM 设计，edrx 待机电流达到 0.74mA，最小接收灵敏度达到-101dBm，并支持 VoLTE。中移物联 OneMO 表示，M
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RISC-V 中国移动 LTE
在中美科技战的新战线上，拜登政府正面临一些立法者的施压，要求限制美国公司开发在中国广泛使用的免费芯片技术，此举可能会颠覆全球科技行业的跨境合作方式。 争论的焦点是RISC-V，发音为“风险五”，这是一种开源技术，与英国半导体和软件设计公司Arm Holdings（O9Ti.F）的昂贵专有技术竞争。RISC-V可以用作从智能手机芯片到人工智能高级处理器的任何产品的关键成分。 一些议员——包括两位共和党众议院委员会主席、共和党参议员马尔科·卢比奥和民主党参议员马克·华纳——以国家安全为由，
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RISC-V 芯片法案
中美科技竞争又有新动向。美国政府正面临国会压力，要求限制美国企业投入RISC-V的开源芯片技术发展，目前RISC-V的开源性使得这项技术在中国大陆获得广泛的应用以及发展，但如果禁止的话，可能对全球科技业的跨国合作造成冲击。据《路透社》6日报导， 这一次的争议焦点主要集中在RISC-V上，这是一种开放原始码架构，与英国的安谋国际科技公司（Arm Holdings）的竞争激烈。RISC-V可应用于智能手机芯片到先进人工智能处理器等各种产品。一些国会议员以国家安全为由，敦促拜登政府针对RISC-V问题采取行动，
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RISC-V 开源芯片
随着PD3.1协议的市场应用越来越多，市场对PD3.1协议控制器也提出了更多的要求，如何更好地确保协议的稳定性的同时增加更多系统级功能，这对传统PD协议控制器提出了更大的挑战。广芯微电子宣布开源基于RISC-V内核的PD控制器，以支持客户更好地部署快充系统和差异化功能。芯片框图UM3506 SoC 芯片创新性地集成了基于 RISC-V ISA 的 32 位微处理器内核作为通用的集中式 TCPM 管理器。优化后的 RISC-V 内核配合片上 FLASH 闪存/SRAM 存储器、增强的外设和广泛的系统资源，在
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RISC-V 快充协议
9月6日，软银旗下芯片设计公司Arm提交给美国证券交易委员会（SEC）的首次公开募股（IPO）文件显示，苹果已与Arm就芯片技术授权达成了一项“延续至2040年以后”的新合作协议。目前，Arm拒绝就其提交文件以外的内容发表评论，苹果也没有立即回复置评请求。Arm IPO吸引各路巨头Arm在科技行业扮演着不可或缺的角色，它将其芯片设计授权给包括苹果在内的500多家公司，已经占据了智能手机芯片领域95%以上的市场份额，包括平板电脑等，实际上已经完全控制了整个移动芯片领域。从Apple Watch到iPhone
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苹果 Arm RISC-V IPO 软银
IT之家 9 月 6 日消息，Milk-V 近日推出了名为 Meles 的单板计算机（SBC），其外观接近于树莓派 Model B。Meles 的大小和端口均和树莓派 Model B 类似，只是并没有使用基于 ARM 的处理器，而是使用基于 RISC-V 架构的 2GHz 平头哥曳影 T-Head TH1520 四核处理器。IT之家在此附上 Meles 单板计算机端口如下：1 个 HDMI 2.0 端口1 个千兆端口4 个 USB 3.0 主机端口1 个 USB 2.0 Type-C 端口1 个
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RISC-V
这是最好的一届RISC-V中国峰会，虽已落幕一周，但它流传的故事依旧激昂人心，它引发的话题仍未褪色，它带来的启发依旧值得我们细细品味。 后摩尔时代，芯片制造工艺遭遇瓶颈，在产业从技术到商业不断循环的“Tick-Tock”式迭代规律下，RISC-V开源指令集横空出世，开辟了芯片商业模式更迭的崭新篇章。如今，万物互联已成必然，计算场景复杂多变，RISC-V设计的初衷便是覆盖各种计算场景，这与时代需求完美契合。无论从商业还是技术角度， RISC-V进入高性能应用场景已成必然。 在2
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RISC-V 赛昉科技
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%，该参数是650 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）。Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各
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Vishay 650 V 功率MOSFET
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