- 意法半导体日前推出一款250A表面贴装的功率MOSFET晶体管，新产品拥有市场上最低的导通电阻，可以把功率转换损耗降至最低，并提高系统性能。
新产品STV250N55F3是市场上首款整合ST PowerSO-10™ 封装和引线带楔焊键合技术的功率MOSFET，无裸晶片封装的电阻率极低。新产品采用ST的高密度STripFET III™ 制程，典型导通电阻仅为1.5毫欧。STripFET III更多优点包括：开关损耗低，抗雪崩性能强。除提高散热效率外，九线源极连接配置还有助于
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MOSFET ST 意法半导体 晶体管
- 不同应用对功率半导体器件提出了新的需求，包括低功耗、高可靠性、高速度、小尺寸等，这些新的需求又对功率半导体器件的生产工艺提出了种种新的挑战。
天津中环半导体股份有限公司技术部部长饶祖刚表示，性能不同的功率半导体器件满足了差异化应用的需求，而这些不同功率半导体器件对制造工艺提出了多重挑战。
功率器件要满足差异化应用需求
功率半导体器件工作在大功率条件下，除了要具备低功耗的特点外，不同的应用还提出了一些新需求。例如，在电动车、混合动力汽车这样的应用中，功率半导体器件需要
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功率半导体器件 低功耗 MOSFET
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高频、高输入电源电压 (100V) MOSFET 驱动器 LTC4446，用来驱动双晶体管正激式转换器中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率 MOSFET 和一个凌力尔特公司的 DC/DC 控制器一起，可组成一个完整的高效率双晶体管正激式转换器，或者可以配置为快速动作的高压 DC 开关。
这个强大的驱动器以 1.2Ω 下拉阻抗驱动高端 MOSFET 时可以提供高达 2.5A 的电流
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凌力尔特 MOSFET 驱动器 转换器
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4447，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器加上功率 MOSFET 和一个凌力尔特公司的 DC/DC 控制器，就可组成一个完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压或升压型 DC/DC 转换器。
LTC4447 在一个 4V 至 6.5V 的电压范围内对上端和下端 MOSFET 栅极进行轨至轨驱动，并可从一个高达 38V 的电
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凌力尔特 MOSFET 驱动器 转换器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB，该器件采用 MICRO FOOT® 芯片级封装，具有业界最小占位面积以及 1.2 V 时业界最低的导通电阻。
随着便携式电子设备的体积越来越小以及它们功能的不断增加，电源管理电路的可用板面空间会极大减少。为实现消费者对用电池做电源的电子设备的更长运行时间的期望，
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Vishay MOSFET 芯片 手机 PDA 数码相机 MP3 智能电话
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高频、高输入电源电压 (100V) MOSFET 驱动器 LTC4446，用来驱动双晶体管正激式转换器中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率 MOSFET 和一个凌力尔特公司的 DC/DC 控制器一起，可组成一个完整的高效率双晶体管正激式转换器，或者可以配置为快速动作的高压 DC 开关。
这个强大的驱动器以 1.2Ω 下拉阻抗驱动高端 MOSFET 时可以提供高达 2.5A 的电流
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凌力尔特 MOSFET 驱动器 转换器
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高频、高输入电源电压 (100V) MOSFET 驱动器 LTC4446，用来驱动双晶体管正激式转换器中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率 MOSFET 和一个凌力尔特公司的 DC/DC 控制器一起，可组成一个完整的高效率双晶体管正激式转换器，或者可以配置为快速动作的高压 DC 开关。
这个强大的驱动器以 1.2Ω 下拉阻抗驱动高端 MOSFET 时可以提供高达 2.5A 的电流
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Linear MOSFET 驱动器 转换器
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 60V、高压侧电流检测 DC/DC 转换器 LT3755，该器件为驱动大电流 LED而设计。4.5V 至 40V 的输入电压范围使其适用于多种应用，如汽车、工业和建筑照明。LT3755 使用外部 N 沟道 MOSFET，可以用标称 12V 的输入驱动多达 14 个 1A 的白光 LED，提供超过 50W 的功率。该器件具高压侧电流检测，能够用在升压、降压、降压-升压或 SEPIC 和反激式拓扑中。LT3755 在升压模
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凌力尔特 转换器 高压侧电流检测 LED MOSFET
- Maxim推出内置MOSFET开关的8串白光LED (WLED)驱动器MAX17061。器件采用内部开关型电流模式升压控制器驱动LED阵列，最多可驱动8串并联的LED (每串可连接10个LED)。为保证均匀的LED亮度，每串LED采用一个电流源驱动，各串之间的电流均衡精度可达±1.5%。另外，MAX17061还提供一路DPWM信号，用于精确控制WLED亮度。该DPWM信号可通过PWM接口、SMBus™兼容接口、或这两者同时进行控制。DPWM信号的频率由外部电阻设置，进一步增加
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Maxim MOSFET WLED 驱动器
- 过去15到20年间，汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展成为蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因为其能够耐受汽车电子系统中常遇到的掉载和系统能量突变等引起的瞬态高压现象。且封装很简单，主要采用TO220 和 TO247封装。电动车窗、燃油喷射、间歇式雨刷和巡航控制等应用已逐渐成为大多数汽车的标配，在设计中需要类似的功率器件。在这期间，随着电机、螺线管和燃油喷射器日益普及，车用功率MOSFET也不断发展壮大。
今天的汽车电子系统已开创了功率器件的新时代。本文将介绍和讨论几种推动汽车
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汽车电子 MOSFET 沟道型 功率 解决方案
- 对于主板设计师来说，要设计处理器电压调节模块(VRM)来满足计算机处理器永无止境的功率需求实在是个大挑战。Pentium 4处理器要求VRM提供的电流提高了约3倍。英特尔将其VRM指标从8.4版本升级到9.0版本，涵盖了新的功率要求，以继续追随摩尔(Moore)定律。
在过去的10年间，VRM电流要求一直在增加，正如英特尔所公布的，IccMAX从VRM9.0中的60A发展成驱动高端4核处理器的VRM11.0所要求的150A。与此同时，电流切换速率要求也有相当大的提高；芯片插座处的dI／dT从45
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MOSFET VRM 英特尔 低功耗 芯片 PWB
- 2008年5月26日,瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，推出和高频功MOSFET，以实现业界最高功效级别*1 和IEC61000-4-2的4级ESD标准*2 的高可靠性。这些器件适用于手持式无线设备发射器的功率放大器。
这两种产品可以放大转换为高频的音频信号，以发射规定的输出功率，并将该功率传送给天线。1 W输出的RQA0010的将从2008年8月开始在日本提供样品，0.25 W输出的RQA0014样品将于9月开始提供。
这两种产品具有以下特点。
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瑞萨科技 MOSFET 无线设备 发射器 功率放大器
- 环境污染、温室效应、不可再生能源日趋枯竭……这些日益威胁人类生存的难题已经使全球有识之士认识到节能减排提高能效是未来科学技术活动一项长期的任务。正如英飞凌科技奥地利有限公司全球开关电源高级市场经理Thomas Schmidt所言：“能效不仅是个时髦词汇，更是一个全球挑战！”如何应对这项挑战？各个半导体纷纷从半导体器件入手，帮助系统公司提升电源效率，这方面，英飞凌近年来动作频频，近日，英飞凌公司高调发布其最新的OptiMOS 3系列低压MOSFET，并
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英飞凌 半导体 OptiMOS MOSFET 导通电阻 CanPAK封装 DirectFET封装 电源管理
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) ，推出专为笔记本电脑、服务器CPU电源、图形，以及记忆体稳压器应用的同步降压转换器设计而优化的全新30V DirectFET MOSFET系列。
新器件系列结合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术，比标准SO-8器件的占位面积小40%，而且采用了0.7mm纤薄设计。新一代30V器件的导通电阻 (
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IR 同步降压 转换器 MOSFET
- Zetex Semiconductors（捷特科）推出一款驱动MOSFET的专用整流器控制器，从而使 50 至 150W 的同步反激式转换器成为完美的二极管。ZXGD3101 可使设计人员以表面贴装 MOSFET 取代有损耗的肖特基二极管，以实现更高的效率、更少的发热量，缩小电源尺寸和重量，同时简化整体电路设计。
ZXGD3101 有“零点检测器驱动器”之称，能准确检测达到零点
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Zetex 捷特科 MOSFET 整流器 控制器
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