IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展最为迅速的新一代电
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IGBT 场效应管
电机用于电梯、食品加工设备、工厂自动化、机器人、起重机……这样的例子不胜枚举。交流感应电机在这种应用中很常见，且总是通过用于电源级的绝缘栅双极晶体管（IGBT）来实现驱动。典型的总线电压为200 VDC至1,000 VDC。IGBT采用电子换向，以实现交流感应电机所需的正弦电流。在设计电机驱动器时，保护操作重型机械的人员免受电击是首要考虑因素，其次应考虑效率、尺寸和成本因素。虽然IGBT可处理驱动电机所需的高电压和电流，但它们不提供防止电击的安全隔离。在系统中提供安全隔离的重要任务由驱动IGBT的栅极驱动
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电机 IGBT
2019年4月30日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，将于5月7日开始的德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器。AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止IGBT和SiC肖特基二极管技术，提供低导通损耗和开关损耗，用于多方面的电源应用，包括那些将得益于更低反向恢复损耗的应用，如基于图腾柱的无桥功率因数校正(PFC)和逆变器。该器件将硅基IGBT与SiC肖特基势垒
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安森美半导体 IGBT SiC肖特基二极管技术
Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers 作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德国 慕尼黑） 摘要：通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。 关键词：IGBT; MOSFET; 栅极驱动器；耐受性；隔离 &nb
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201905 IGBT MOSFET 栅极驱动器 耐受性 隔离
意法半导体的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V
STPOWER™IGBT两款产品能够在软开关电路中实现最佳的导通和开关性能，提高谐振转换器在16kHz-60kHz开关频率范围内的能效。 新IH系列器件属于意法半导体针对软开关应用专门优化的沟栅式场截止(TFS)
IGBT产品家族，适用于电磁炉等家电以及软开关应用的半桥电路，现在产品设计人员可以选用这些IGBT，来达到更高的能效等级。除新的IH系列外，意法半导体的软开关用沟栅式场截止(TFS)
IGBT系列产品
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意法半导体 IGBT
TrendForce在最新《中国半导体产业深度分析报告》指出，受益新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加，MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价，带动2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币，其中离散式元件市场规模为1,874亿元人民币，较2017年成长14.7%;电源管理IC市场规模为717亿元人民币，较2017年增长8%。
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功率半导体 IGBT
IGBT是电力电子装置的CPU，在电力电子变流和控制中起着举足轻重的作用。变频器中，IGBT模块更为重要。但是，IGBT模块会经常出现爆炸的情况。下面，小编就结合案例具体分析一下。 定义 一、IGBT爆炸：因为某些原因，模块的损耗十分巨大，热量散不出去，导致内部温度极高，产生气体，冲破壳体，这就是所谓的IGBT爆炸。 二. IGBT爆炸原因分析 1.爆炸的本质是发热功率超过散热功率，内部原因应该就是过热。 2.人为因素 (1)进线接在出线的端子上(2)变频器接错电源(3)没按要求接负载3.常
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IGBT，变频器
Mar. 7, 2019 ----
全球市场研究机构集邦咨询在最新《中国半导体产业深度分析报告》中指出，受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加，MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价，带动了2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币。其中功率分立器件市场规模为1,874亿元人民币，较2017年同比成长14.7%;电源管理IC市场规模为717亿元人民币，较2017年同比增长8%。 集邦咨询分析师谢瑞峰指出，功率半导体作为需求驱动型的产业，2019年
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IGBT SiC
比亚迪不仅在汽车制造上实力深厚，在手机代工和其它业务方面，仍然保持走在行业前沿的水平。作为我国重要的制造企业代表，比亚迪在行业中具有模范作用，相信经过不断技术突破和进步，比亚迪将会为我国众多制造企业树立一个又一个全新的示范里程碑!
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小米9 比亚迪 IGBT
国内汽车界中，“一芯难求”的现状被打破了。
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IGBT
摘要
：工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高。功率半导体器件制造商不断在导通损耗和开关时间上寻求突破。有关增加绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)导通损耗的一些权衡取舍是：更高的短路电流电平、更小的芯片尺寸，以及更低的热容量和短路耐受时间。这凸显了栅极驱动器电路以及过流检测和保护功能的重要性。本文讨论现代工业电机驱动中成功可靠地实现短路保护的问题。 工业环境中的短路：工业电机驱动器的工作环境相对恶劣，可能出现高温、交流线路瞬变、机械过载、接线错误以及其它突发情况
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工业电机 IGBT
11月7日，富士电机株式会社电子元件事业本部CTO藤平龙彦博士一行到访青铜剑科技。这是继今年5月应用技术部部长五十岚征辉博士来访之后，富士电机高层再次莅临青铜剑科技商谈合作事宜，标志着双方合作进入新阶段。
青铜剑科技总工程师高跃博士和市场总监蔡雄飞对藤平龙彦博士一行的来访表示热烈欢迎，详细介绍了公司的核心产品以及与富士电机的合作进展。藤平龙彦博士对青铜剑科技最新的IGBT驱动产品非常关注，仔细询问了产品的性能优势和应用领域，对青铜剑科技的研发实力表示充分肯定。会谈期间，双方对下一步的合作重点和计划
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青铜剑 IGBT
11月8日，成都航天科工微电子系统研究院有限公司董事长武春风一行到访青铜剑科技，董事长汪之涵博士、总工程师高跃博士和副总裁傅俊寅陪同接待，双方就合作事宜进行了深入交流。 汪之涵博士陪同武春风一行参观了公司展厅和研发实验室，详细介绍了青铜剑科技的核心产品、领先技术、应用领域及公司发展规划等情况。武春风对青铜剑科技的科技创新成果表示积极肯定。座谈中，双方就航天领域的前沿技术和热点话题进行了深入探讨和讨论，进一步商谈了合作细节，一致表示未来将扩展多渠道的合作。 航天科工微电子系统研究院秉持“信息互通、资
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青铜剑 IGBT
IXYS公司新推出的IXIDM1403驱动模块旨在为市场提供IGBT驱动器件，使设计周期缩短，设计成本做到尽可能最低，并具有极高的紧凑性和最高的性能和可靠性。IXIDM1403支持双通道大功率IGBT模块，隔离电压高达4000 V，开关速度高达50 kHz，具有短路保护和电源电压监控功能。 IXIDM1403是基于IX6610 / IX6611 / IXDN630芯片组的高压隔离栅极驱动模块，它允许创建隔离的IGBT驱动器，在初级侧和次级侧之间以及次级侧驱动器之间设置高压隔离栅。它创建了一个非常灵活
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IXYS IGBT
本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。IGBT技术进步主要体现在两个方面：
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IGBT 软开关 损耗
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