- 英飞凌科技股份公司近日为其1200 V CoolSiC™ MOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计,以及沟槽栅芯片技术,为碳化硅打开了250kW以上(硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限)中等功率应用的大门。在传统62mm IGBT模块基础上,将碳化硅的应用范围扩展到了太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。该62mm模块配备了英飞凌的CoolSiC MOSFET芯片,可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗
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MOSFET TIM IGBT
- 舒 晖（奇瑞新能源汽车股份有限公司，安徽 芜湖 241002） 摘 要：针对电动汽车在能量回馈时，动力电池高压继电器异常断开的特殊工况下，提出了一种IGBT保护策略优化方案，快速检测因动力电池瞬断产生的尖峰电压，触发保护机制保护IGBT模块。本文通过台架实验对比了方案优化前后的尖峰电压值，最终通过实车验证了该方案的可行性。结果表明，优化后的保护策略能更快地检测到抬升的母线电压，触发保护机制，停止IGBT工作，降低IGBT模块损坏的风险。 关键词：电动汽车；能量回馈；IGBT 0 引言 传统汽车
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202007 电动汽车 能量回馈 IGBT
- 我国正在大力进行新基建，工业物联网、汽车充电桩、5G手机等对电力与电源提出了更高的能效要求。与此同时，SiC、GaN等第三代半导体材料风生水起，奠定了坚实的发展基础。充电桩、工业物联网、手机需要哪些新电力与电源器件？近日，ST（意法半导体）亚太区功率分立器件和模拟产品部区域营销及应用副总裁Francesco MUGGERI接受了电子产品世界记者的采访，分享了对工业市场的预测，并介绍了ST的新产品。ST亚太区 功率分立器件和模拟产品部 区域营销及应用副总裁 Francesco MUGGERI1 工业电源市场
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电源 SiC IGBT GaN
- 本文将强调出无论就能源效率、散热片尺寸或节省成本方面来看,工业传动不用硅基(Si)绝缘栅双极电晶体(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些优点。摘要由于电动马达佔工业大部分的耗电量,工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此,半导体製造商必须花费大量心神,来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体(ST)最新的碳化硅金属氧化物半导体场效电晶体(SiC MOSFET)技术,为电力切换领域立下全新的效能标准。1.导言目前工业传动通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近开发的碳化
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MOSEFT FWD ST IGBT
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出型号为“TPD4162F”的高压智能功率器件（IPD）。该器件采用小型表面贴装封装，设计用于空调、空气净化器和泵等产品中的电机驱动。并计划于今日开始出货。TPD4162F采用新工艺制造，与东芝当前的IPD产品TPD4152F相比可降低功率损耗约10%[1]。这有助于为集成该器件的设备降低总体功率损耗。TPD4162F具有各种控制电路[2]、输出级安装了IGBT和FRD。其支持从霍尔传感器或者霍尔IC直接驱动带方波输入信号的无刷直流电机，无需PWM控制
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IPD IGBT IC
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“TLP5231”，这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和MOSFET的预驱动光耦，适用于工业逆变器和光伏（PV）的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能[1]，其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。产品于今日起开始出货。新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器，来控制中大电流IGBT和MOSFET。目前现有产品[2]需要使用双极型晶体管构成的缓冲电路来实现电流放大，这会在工作中消耗基极电流。新产品能够
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IGBT MOSEFT
- 中高压逆变器应用领域门极驱动器技术的创新者Power Integrations近日推出1SP0351 SCALE-2™单通道+15/-10V即插即用型门极驱动器，新产品专为东芝、Westcode和ABB等厂商的新款4500V压接式IGBT (PPI)模块而开发。新的门极驱动器基于Power Integrations广泛使用的SCALE-2芯片组设计而成，非常适合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性应用。1SP0351驱动器装备了动态高级有源钳位功能(DAAC)、短路保护
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门极驱动器 IGBT
- Steven Shackell （安森美半导体 工业业务拓展经理）摘 要：电动工具用电机正从有刷直流(BDC)转向无刷直流(BLDC)电机；工业电机需要更高能效的电机，同时 需要强固和高质量。安森美以领先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列赋能和应对这些转变带来的商机。 关键词：电机；电动工具；MOSFET；工业；IGBT；IPM安森美半导体提供全面的电机产品系列，尤其是功 率半导体方面。安森美半导体因来自所有电机类型的 商机感到兴奋，并非常看好无刷直流电机(BLDC)应用 （例如电动工具），
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202003 电机 电动工具 MOSFET 工业 IGBT IPM
- 基于国内外大客户对高端功率半导体器件的旺盛需求，特别是超级结产品(SJ)和绝缘栅双极型器件(IGBT)的应用，华虹集团旗下华虹二厂在2020年1月的投入再创新高，光刻层数达到了48万！生产线在年度动力检修后已满负荷运行，在1月也取得了出货6.12万片晶圆的佳绩！
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半导体 IGBT SJ 华虹
- 王定良（电子科技大学 电子科学与工程学院，四川 成都 610054） 摘 要：作为电机驱动电路的智能功率模块（IPM）正变得越来越重要，但是越来越快的开关速度，可能会引起IPM模块中的IGBT的误触发。另外，过高的dV/dt也会在IGBT关断状态下产生雪崩击穿。本文结合半桥电路的寄生参数模型，完善传统公式的推导。基于对公式与IGBT擎住现象的分析，并结合IGBT的安全工作区提出了一种根据dv/dt的大小来动态扩展IGBT安全工作区的电路结构，改善了传统半桥电路工作时的可靠性。 关键词：IGBT；
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202002 IGBT 误触发 dV/dt 可靠性
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“GT20N135SRA”，这是一款用于桌面电磁炉、电饭煲、微波炉等家用电器电压谐振电路的1350V分立IGBT。该产品于今日起开始出货。 GT20N135SRA产品图GT20N135SRA的集电极-发射极的饱和电压[1]为1.75V，二极管正向电压[2]为1.8V，分别比东芝当前产品[3]低10%和21%。IGBT和二极管都针对高温（TC=100℃）条件下的导通损耗特性进行了改进，而且新款IGBT还有助于降低设备功耗。该产品的结壳热阻为0
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IGBT 分立
- 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布：在湖南株洲举行的中国IGBT技术创新与产业联盟第五届国际学术论坛上，公司与湖南国芯半导体科技有限公司（简称“国芯科技”）签署了战略合作协议，将携手开展宽禁带功率技术的研究开发，充分发挥其耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势，并推动其在众多领域实现广泛应用。近年来，宽禁带半导体功率器件（如碳化硅SiC和氮化镓GaN等）凭借多方面的性能优势，在航空航天、电力传输、轨道交通、新能源汽车、智能家电、通信等领域开始逐渐取代传统硅器件。然而，在各类应用中
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IGBT SiC GaN
- 插电式混合动力/电动汽车(xEV)包含一个高压电池子系统，可采用内置的车载充电器(OBC)或外部的充电桩进行充电。充电(应用)要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能，开发高能效、高性能、具丰富保护功能的充电桩对于实现以尽可能短的充电时间续航更远的里程至关重要。常用的半导体器件有IGBT、超结MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半导体为电动汽车OBC和直流充电桩提供完整的系统方案，包括通过AEC车规认证的超级结MOSFET、IGBT、门极驱动器、碳化硅(SiC)器件、电压检测、控制产品乃至电源模块等，
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超级结MOSFET IGBT 充电桩
- Thomas Brand（ADI慕尼黑公司 现场应用工程师） 摘 要：探讨了IGBT隔离式栅极驱动器的重要特性。 关键词：IGBT；隔离式；栅极驱动器 在功率电子（例如驱动技术）中，IGBT经常用作高电压和高电流开关。这些功率晶体管由电压控制，其主要损耗产生于开关期间。为了最大程度减小开关损耗，要求具备较短的开关时间。然而，快速开关同时隐含着高压瞬变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，为IGBT提供合适栅极信号的栅极驱动器，还执行提供短路保护并影响开关速度的功能。然而，在选择栅极驱动器
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201909 IGBT 隔离式 栅极驱动器
- 在产业电子化升级过程中，作为电子产品的基础元器件之一的功率半导体器件越来越得到重视与应用。而中国作为需求大国，已经占有约39％的市场份额，在中国制造业转型升级的关键时期，对功率半导体器件的需求将会越来越大。自上世纪80年代起，功率半导体器件MOSFET、IGBT和功率集成电路逐步成为了主流应用类型。其中IGBT经历了器件纵向结构、栅极结构以及硅片加工工艺等7次技术演进，目前可承受电压能力达到6500V，并且实现了高功率密度化。在此背景下，6月26-28日，PCIM亚洲展2019将在在上海世博展览馆举行，三
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三菱电机 PCIM亚洲展 IGBT
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