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ROHM推出内置1700V SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向大功率通用逆变器、AC伺服、商用空调、路灯等工业设备,开发出内置1700V耐压SiC MOSFET*1的AC/DC转换器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年来,随着节能意识的提高,在交流400V级工业设备领域,可支持更高电压、更节能、更小型的SiC功率半导体的应用越来越广。而另一方面,在工业设备中,除了主电源电路之外,还内置有为各种控制系统提供电源电压的辅助电源,但出于设计周期的考量,它们中仍然广泛采用了耐压较低的Si-MOSFET和损耗较
  • 关键字: MOSFET  IGBT  

在工业高频双向PFC电力变换器中使用SiC MOSFET的优势

  • 摘要随着汽车电动化推进,智能充电基础设施正在迅速普及,智能电网内部的V2G车辆给电网充电应用也是方兴未艾,越来越多的应用领域要求有源前端电力变换器具有双向电流变换功能。本文在典型的三相电力应用中分析了SiC功率MOSFET在高频PFC变换器中的应用表现,证明碳化硅电力解决方案的优势,例如,将三相两电平全桥(B6)变换器和NPC2三电平(3L-TType)变换器作为研究案例,并与硅功率半导体进行了输出功率和开关频率比较。前言随着汽车电动化推进,智能充电基础设施正在迅速普及,智能电网内部的V2G车辆给电网充电
  • 关键字: MOSFET  IGBT  

IGBT和MOSFET功率模块NTC温度控制

  • 温度控制是MOSFET或IGBT功率模块有效工作的关键因素之一。尽管某些MOSFET配有内部温度传感器 (体二极管),但其他方法也可以用来监控温度。半导体硅PTC热敏电阻可以很好进行电流控制,或铂基或铌基(RTD)电阻温度检测器可以用较低阻值,达到更高的检测线性度。无论传感器采用表面贴装器件、引线键合裸片还是烧结裸片,NTC热敏电阻仍是灵敏度优异,用途广泛的温度传感器。只要设计得当,可确保模块正确降额,并最终在过热或外部温度过高的情况下关断模块。本文以键合NTC裸片为重点,采用模拟电路仿真的方法说明功率模
  • 关键字: IGBT  MOSFET  

集中供电电源的设计与实现*

  • 用于消防控制系统的集中供电电源应具备不间断供电的特性,能够进行电池充电及智能显示。本文通过半桥拓扑设计主电电路,以STM8S003F3P作为电源的控制单片机,使用继电器控制电路实现主备电无缝切换,使用电池充电电路对蓄电池进行智能充电管理,最后搭建实际电路进行验证。验证结果表明:设计的集中供电电源输出性能指标较高,且能够实现不间断供电及电池充电功能,满足消防控制系统供电要求。
  • 关键字: 集中供电电源  半桥拓扑  充电管理  智能  202104  MOSFET  IGBT  

比亚迪半导体将发布新一代高性能IGBT

  • 2018年比亚迪半导体在宁波发布了IGBT4.0芯片,树立了国内车规级中高端IGBT芯片标杆。历时两年积累沉淀,比亚迪半导体即将在西安新研发中心发布更高性能的IGBT6.0。西安高新区已经汇聚了华为、浪潮、三星等一大批知名企业,随着西安研发中心大楼的落成,也标志着比亚迪半导体正式入驻中国“西部硅谷”。2008年比亚迪1.7亿元收购了宁波中纬。中纬账面上最有价值的东西是源自台积电淘汰的一条8英寸晶圆线,但这笔收购给还给比亚迪带来了晶圆车间、技术团队等资源。当时长三角地区是中国半导体制造的重要基地。彼时这些资
  • 关键字: 比亚迪  IGBT  

为何智能功率模块会盛行,ROHM的600V产品有哪些特色

  • 1   低碳时代驱动功率转换的变革当前,世界各国以全球协约的方式减排温室气体,我国也提出了碳达峰和碳中和的目标,这对电子产品的降低能耗提出了巨大挑战。因为随着物联网的普及,产品需要有更长的待机时间;由于产品的性能提高和功能丰富,也会增加工作能耗。这就需要功率转换元器件和模块的效率进一步提升,因此,近年来IPM(智能功率器件)开始盛行。2   适合小功率电机的IPM IPM的优势是高效率、低功耗、模块化。以空调市场为例,全球空调市场的出货量这两年约1.5亿台
  • 关键字: IPM  IGBT  

基于IPD Protect的2.1 kW电磁感应加热设计

  • 电磁感应加热在小家电市场(如电饭煲,油炸锅和牛奶泡沫器等)已经得到广泛应用,减小系统尺寸,降低系统成本和提高可靠性是越来越多客户的需求。本文设计了一款2.1 kW电磁感应加热平台。搭载了英飞凌自带保护IPD Protect,XMC单片机和CoolSET PWM控制器辅助电源。电路拓扑采用单端并联谐振电路,最大输出功率2.1 kW,实现了IPD Protect的快速过流保护,过压保护,过温报警和保护,输入电压欠压保护和低静态电流等功能,其中IPD protect过压和过流保护点可以根据系统要求来调节。同时,
  • 关键字: 感应加热  IPD Protect  IGBT  小家电  TRENCHSTOP  202102  

电动车用大功率 IGBT 模块测试解决方案

  • 功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等,是电子装置中电能转换与电路控制的核心。功率半导体器件种类众多,按集成度可分为功率IC、功率模块和功率分立器件三大类,其中功率分立器件中MOSFET、功率二极管、IGBT占比较大,是最主要的品类。根据iHS预测,MOSFET和IGBT将是2020-2025年增长最强劲的半导体功率器件。增长的市场空间被行业专家拆解成两个方面:折旧带来的替换市场以及电气化程度加深带来的新增市场。既然新增市场源于电气化程度的加深,那
  • 关键字: IT6862A  IT6015D-80-450  电动车用大功率 IGBT 模块测试  

科索为中型机器人控制器和工厂自动化提供三路隔离输出300W的电源解决方案

  • 科索有限责任公司近日宣布扩大其为中型机器人和工厂自动化设计的RB系列,增加一款300W的版本。RBC300F是一种开放式框架,可配置AC/DC电源,具有三路输出,专门为机器人控制器和工厂自动化定制。基于一个独特的概念,科索RBC300F系列提供三个可配置隔离输出,其中一个具有增强隔离给智能栅双极型晶体管(IGBT)或等效应用供电。RBC300F通过EN62477-1过电压类别(OVC)Ⅲ认证,当连接到配电板时,通过减少额外的隔离变压器,RBC300F电源简化了系统架构师的设计过程,同时降低了成本。RBC3
  • 关键字: OVC  IGBT  COSEL  RBC300F  对流冷却设计  

推动更快、更安全、更高效EV充电器的技术

  • 随着电动汽车(EV)数量的增加,对创建更加节能的充电基础设施系统的需求也在日益增长,如此便可更快地为车辆充电。与先前的电动汽车相比,新型电动汽车具有更高的行驶里程和更大的电池容量,因此需要开发快速直流充电解决方案以满足快速充电要求。150 kW或200 kW的充电站约需要30分钟才能将电动汽车充电至80%,行驶大约250 km。根据联合充电系统和Charge de Move标准, 快速DC充电站 可提供高达400 kW的功率。今天,我们将研究驱动更快、更安全、更高效的充电器的半导体技术
  • 关键字: EV  SiC  IGBT  MOSEFT  CMTI  

GaN 器件的直接驱动配置

  • 受益于集成器件保护,直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压(600V)氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型拓扑。GaN具有低寄生电容(Ciss、Coss、Crss)和无第三象限反向恢复的特点。这些特性可实现诸如图腾柱无桥功率因数控制器(PFC)等较高频率的硬开关拓扑。由于它们的高开关损耗,MOSFET和绝缘栅双极晶体管(IGBT)实现此类拓扑。本文中,我们将重点介绍直接驱动GaN晶体管的优点,包括更低的开关损耗、更佳
  • 关键字: MOSFET  HEMT  GaN  PFC  IGBT  IC  

英飞凌推出62mm CoolSiC™模块,为碳化硅开辟新应用领域

  • 英飞凌科技股份公司近日为其1200 V CoolSiC™ MOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计,以及沟槽栅芯片技术,为碳化硅打开了250kW以上(硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限)中等功率应用的大门。在传统62mm IGBT模块基础上,将碳化硅的应用范围扩展到了太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。该62mm模块配备了英飞凌的CoolSiC MOSFET芯片,可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗
  • 关键字: MOSFET  TIM  IGBT  

一种电动汽车能量回馈下IGBT保护策略优化及验证

  •   舒 晖(奇瑞新能源汽车股份有限公司,安徽 芜湖 241002)  摘 要:针对电动汽车在能量回馈时,动力电池高压继电器异常断开的特殊工况下,提出了一种IGBT保护策略优化方案,快速检测因动力电池瞬断产生的尖峰电压,触发保护机制保护IGBT模块。本文通过台架实验对比了方案优化前后的尖峰电压值,最终通过实车验证了该方案的可行性。结果表明,优化后的保护策略能更快地检测到抬升的母线电压,触发保护机制,停止IGBT工作,降低IGBT模块损坏的风险。  关键词:电动汽车;能量回馈;IGBT  0 引言  传统汽车
  • 关键字: 202007  电动汽车  能量回馈  IGBT  

新基建驱动电力电源变革,ST祭出一揽子解决方案

  • 我国正在大力进行新基建,工业物联网、汽车充电桩、5G手机等对电力与电源提出了更高的能效要求。与此同时,SiC、GaN等第三代半导体材料风生水起,奠定了坚实的发展基础。充电桩、工业物联网、手机需要哪些新电力与电源器件?近日,ST(意法半导体)亚太区功率分立器件和模拟产品部区域营销及应用副总裁Francesco MUGGERI接受了电子产品世界记者的采访,分享了对工业市场的预测,并介绍了ST的新产品。ST亚太区 功率分立器件和模拟产品部 区域营销及应用副总裁 Francesco MUGGERI1 工业电源市场
  • 关键字: 电源  SiC  IGBT  GaN  

使用碳化硅MOSFET提升工业驱动器的能源效率

  • 本文将强调出无论就能源效率、散热片尺寸或节省成本方面来看,工业传动不用硅基(Si)绝缘栅双极电晶体(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些优点。摘要由于电动马达佔工业大部分的耗电量,工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此,半导体製造商必须花费大量心神,来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体(ST)最新的碳化硅金属氧化物半导体场效电晶体(SiC MOSFET)技术,为电力切换领域立下全新的效能标准。1.导言目前工业传动通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近开发的碳化
  • 关键字: MOSEFT  FWD  ST  IGBT  
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