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e络盟现货开售Power Integrations系列高功率产品

  • 安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟近日引入Power Integrations系列高功率栅极驱动器,进一步扩大其功率产品阵容,均可快速交付。Power Integrations高功率产品系列包括:●   SCALE™-2:即插即用●   ISO5125I:DC-DC电源●   SCALE-2:Driver Core驱动核●   SCALE-2+:Driver Core 驱动核●   SCAL
  • 关键字: 高功率  IGBT  

晶体管、MOS管、IGBT辨别与区分

  •   晶体管、MOS管、IGBT管是常见的电力电子控制器件。电流触发晶体管只能控制开启,不能控制关闭属于半可控件;电压触发MOS管、IGBT管既可以控制开启,也可以控制关断属于全可控件。搞懂控件的特点对电力电子器件维修尤为重要,小编根据所学及理解做如下总结,希望能给大家一些帮助。一、晶闸管  1、别名:可控硅是一种大功率半导体器件,常用做交流开关,触发电流>50毫安  2、特点:体积小、重量轻、无噪声、寿命长、容量大、耐高压、耐大电流、大功率  3、主要应用领域:整流、逆变、变频、斩波(直流-
  • 关键字: IGBT  晶体管  MOS管  

突发!传IGBT大厂停止接单

  •   IGBT市场缺口高达50%,安森美已不再接单。  随着新能源汽车发展,IGBT需求量水涨船高,同时叠加持续一年有余的全球缺芯大背景,车规级IGBT依旧在苦苦挣扎。今年2月,业内已发出预警称,今年下半年IGBT或将成为新能源汽车生产瓶颈所在,其影响可能将超过MCU。  如今迈入5月,IGBT供不应求已有愈演愈烈之势。目前IGBT交货周期已全线拉长到50周以上,个别料号周期甚至更长。需求高涨下,IGBT订单与交货能力比最大已拉至2:1。若去掉部分非真实需求订单,预计真实需求是实际供货能力的1.5倍,这也意
  • 关键字: IGBT  

全球第一IGBT企业,订单与交货量2:1,交货周期长达50周

  •   IGBT作为一种常用的半导体芯片,我们生活中的家用电器、汽车等商品上面都有,受到“缺芯潮”以及物料短缺等因素影响,IGBT目前也处于紧缺状态,尤其是车规级IGBT更是缺货严重,缺口最大的时候已经超过50%。全球最大的IGBT企业依然缺货  芯片巨头英飞凌是全球最大的IGBT供应商,整个IGBT市场英飞凌占据三分之一份额,订单量、出货量都是遥遥领先,就是这样规模的企业同样面临着巨大的供需缺口,目前合作伙伴订单量和交货量比例大约为2:1,而且交货周期长达50周,尤其是车规及IGBT供需缺口还有进一步扩大趋
  • 关键字: IGBT  

海外大厂订单排满,光伏需求大增加剧IGBT缺货

  •   5月16日报道,最近,海外大厂安森美、英飞凌等纷纷传出IGBT订单接不过来的消息。士兰微和华润微相关人士表示,由于汽车和光伏需求增加明显,IGBT订单增长很快,做不过来。  CINNO Research半导体事业部总经理Elvis称,车规级IGBT下探至0.5,即供需缺口在50%以上。因为车规级IGBT认证周期很长,悠关生命安全,认证项目复杂且冗长,付出成本昂贵,技术Know-How不易取得,一般快则两到三年,慢则甚至五到十年之间。因此产能的扩充在近期内无法缓解终端市场强大需求的短缺,至少在2023年
  • 关键字: IGBT  

海外大厂已停止接单 国内IGBT企业有望填补空缺

  •   获悉,最近,海外大厂安森美、英飞凌等纷纷传出IGBT订单接不过来的消息。安森美深圳厂内部人士透露消息称,车用绝缘栅双极晶体管订单(IGBT)已满且不再接单,但不排除订单中存在一定比例的超额下单。士兰微(600460)和华润微相关人士也表示,由于汽车和光伏需求增加明显,IGBT订单增长很快,做不过来。  供应链业者表示,2021年起车用半导体中的功率元件、微控制器最为缺乏,且直至2022年情况都未见明显改善。在IGBT产品中,车用IGBT的缺口则更大。CINNOResearch半导体事业部总经理Elvi
  • 关键字: IGBT  

欧盟或将加速建筑安装光伏 IGBT产业链有望受益

  •   获悉,欧盟的REPowerEU计划草案提出,2022年屋顶光伏发电量增加15TWh。该草案还要求欧盟和各国政府今年采取行动,将屋顶光伏装置的安装申请许可时间缩短至三个月,并提出“到2025年,所有新建筑以及能耗等级D或以上的现有建筑,都应安装屋顶光伏设备”。该计划有望利好IGBT等逆变器产业链公司。  据悉,REPowerEU计划是欧盟在今年3月8日提出的,价值高达1950亿欧元,旨在让成员国家在2030年之前逐步消除对俄罗斯化石燃料的依赖,其中近三分之二的削减可在今年(2022年)底前实现,结束欧盟
  • 关键字: IGBT  

Power Integrations推出汽车级IGBT/SiC模块驱动器产品系列SCALE EV,为巴士、卡车以及建筑和农用电动汽车提供强大动力

  • 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations近日宣布推出适用于Infineon EconoDUALTM模块的SCALETM EV系列门极驱动板。新款驱动器同样适用于原装、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模块,其应用范围包括电动汽车、混合动力和燃料电池汽车(包括巴士和卡车)以及建筑、采矿和农用设备的大功率汽车和牵引逆变器。SCALE EV板级门极驱动器内部集成了两个增强型门极驱动通道、相关供电电源和监控遥测电路。新驱动板已通过汽车级认证和ASIL B认证,可实现AS
  • 关键字: Power Integrations  IGBT  SiC  模块驱动器  SCALE EV  PI  

基于单脉冲试验的IGBT模型的电压应力测试分析

  • IGBT作为功率设备的核心器件,在电力电子工业领域应用广泛。为了进一步了解电压应力对IGBT模块的影响,本文搭建了实验样机(选用3代IGBT采用T型三电平拓扑,额定输出线电压315 V,电流230 A,设计输入电压范围500~1 000 V),通过单脉冲试验对不同厂家不同型号的IGBT进行电压应力分析并给出解决方案的可行性。
  • 关键字: IGBT  单脉冲  电压应力  202203  

子单元长期存放对焊接质量的影响*

  • 长期进行IGBT器件焊接封装发现,IGBT器件封装所用关键部件子单元的存放时间长短对焊接空洞影响较大,本文分别对两批存放时间差别较大的子单元进行封装,通过实验对比两批产品的空洞率,结果表明存放时间较短的子单元焊接的IGBT器件空洞率明显偏小,从而提高了IGBT器件的可靠性。
  • 关键字: IGBT  焊接  封装  空洞率  子单元  202201  

环旭电子预计在2022量产电动车用逆变器使用的IGBT与SiC电源模块

  • 搭配电动车市场的快速成长,近年环旭电子(上海证券交易所股票代码: 601231)开始布局切入功率半导体国际大厂的电源模块的组装生产与测试,近期获得相当多欧美与日系客户青睐,预计在2022正式量产电动车用逆变器(Inverter)使用的IGBT与SiC电源模块。根据调研机构Canalys的报告指出,2021年上半年全球电动车销量为260万辆,与去年同期相比大幅成长160%,成长率远高于全球整体汽车市场的26%。电动汽车市场成长带动关键功率半导体组件和模块需求,其中第三代半导体拥有高效低耗能、高频、高功率、高
  • 关键字: 环旭电子  电动车用逆变器  IGBT  SiC  电源模块  

环旭电子预计2022量产电动车用逆变器用IGBT与SiC电源模块

  • 搭配电动车市场的快速成长,近年环旭电子(上海证券交易所股票代码: 601231)开始布局切入功率半导体国际大厂的电源模块的组装生产与测试,近期获得相当多欧美与日系客户青睐,预计在2022正式量产电动车用逆变器(Inverter)使用的IGBT与SiC电源模块。根据调研机构Canalys的报告指出,2021年上半年全球电动车销量为260万辆,与去年同期相比大幅成长160%,成长率远高于全球整体汽车市场的26%。电动汽车市场成长带动关键功率半导体组件和模块需求,其中第三代半导体拥有高效低耗能、高频、高功率、高
  • 关键字: 环旭电子  电动车用逆变器  IGBT  SiC  电源模块  

Power Integrations推出适用于“新型双通道”模块的SCALE-iFlex Single即插即用型门极驱动器

功率半导体IGBT失效分析与可靠性研究

  • 高端变频空调在实际应用中出现大量外机不工作,经过大量失效主板分析确认是主动式PFC电路中IGBT击穿失效,本文结合大量失效品分析与电路设计分析,对IGBT失效原因及失效机理分析,分析结果表明:经过对IGBT失效分析及IGBT工作电路失效分析及整机相关波形检测、热设计分析、IGBT极限参数检测对比发现IGBT失效由多种原因导致,IGBT在器件选型、器件可靠性、闩锁效应、驱动控制、ESD能力等方面存在不足,逐一分析论证后从IGBT本身及电路设计方面全部提升IGBT工作可靠性。
  • 关键字: 主动式PFC升压电路  IGBT  SOA  闩锁效应  ESD  热击穿失效  202108  MOSFET  

Microchip推出业界耐固性最强的碳化硅功率解决方案,取代硅IGBT,现已提供1700V版本

  • 如今为商用车辆推进系统提供动力的节能充电系统,以及辅助电源系统、太阳能逆变器、固态变压器和其他交通和工业应用都依赖于高压开关电源设备。为了满足这些需求,Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布扩大其碳化硅产品组合,推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和电源模块。Microchip的1700V碳化硅技术是硅IGBT的替代产品。由于硅IGBT的损耗问题限制了开关频率,之前的技术要求设计人员在性能上做出妥协并使用复杂的拓扑结构。此外,电力电
  • 关键字: MOSFET  MCU  IGBT  
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