近日消息，从东风汽车官方获悉，东风碳化硅功率模块项目课题已经顺利完成，将于2023年搭载东风自主新能源乘用车，实现量产。IGBT行业的门槛非常高，除了芯片的设计和生产，IGBT模块封装测试的开发和生产等环节同样有着非常高的技术要求和工艺要求，作为IGBT模块的升级产品、第三代半导体，碳化硅功率模块有着更低损耗、更高效率、更耐高温和高电压的特性。该模块能推动新能源汽车电气架构从400V到800V的迭代，从而实现10分钟充电80%，并进一步提升车辆续航里程，降低整车成本。同时，总投资2.8亿元的功率模块二期项
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东风 碳化硅 功率模块 IGBT
吉利招标平台发布了一则《晶能微电子一期工厂改造项目监理工程招标公告》。该公告指向，吉利加入IGBT封装的自制队伍。从开发走向制造晶能微电子一期工厂改造项目租赁乐坤产业园 A-3 的314单元约 5000 平万米，建设年产60万套IGBT 功率模块的一期工厂，主要包括 3000 平方米的万级洁净室及实验室，1000平方米的动力站，1000 平方米的仓库及办公区。本项目位于杭州市余杭区钱江经济开发区，杭州钱江经济开发区于2006年3月6日经浙江省人民政府批准设立，是余杭区五大“产业平台”之一，是连接杭州城东智
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IGBT 功率模块 吉利
半导体周期虽然出现阶段性调整，但受益于新能源汽车、新能源发电等需求推动，以IGBT（绝缘栅双极型晶体管）为代表的功率器件强势增长，相关IGBT公司订单量饱满，产能供不应求。车规级IGBT持续放量作为IGBT龙头，斯达半导今年前三季度实现净利润达到5.9亿元，同比增长1.21倍，增速超过营业收入，销售毛利率达到41.07%，环比提升。在12月5日斯达半导三季度业绩说明会上，公司高管介绍，近几个季度营收增长主要驱动力来自公司产品在新能源汽车、光伏、储能、风电等行业持续快速放量，市场份额不断提高；随着规模化效应
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半导体 IGBT
IGBT模块是新一代的功率半导体电子元件模块，诞生于20世纪80年代，并在90年代进行新一轮的改革升级，通过新技术的发展，现在的IGBT模块已经成为集通态压降低、开关速度快、高电压低损耗、大电流热稳定性好等等众多特点于一身，而这些技术特点正式IGBT模块取代旧式双极管成为电路制造中的重要电子器件的主要原因。近些年，电动汽车的蓬勃发展带动了功率模块封装技术的更新迭代。目前电动汽车主逆变器功率半导体技术，代表着中等功率模块技术的先进水平，高可靠性、高功率密度并且要求成本竞争力是其首先需要满足的要求。功率器件模
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IGBT 功率模块 封装
11月25日，时代电气发布公告称，公司拟对控股子公司株洲中车时代半导体有限公司（以下简称“中车时代半导体”）增资人民币24.6亿元，增资的资金用于中车时代半导体向公司购买汽车组件配套建设项目（包含IGBT项目）部分资产。天眼查显示，近日，宜兴中车时代半导体有限公司成立，注册资本36亿元。该公司由时代电气、株洲芯连接零号企业管理合伙企业（有限合伙）共同持股，经营范围包含：半导体分立器件制造；半导体分立器件销售；工程和技术研究和试验发展；货物进出口等。就在今年9月，时代电气就已投资111亿元加速扩产IGBT项
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IGBT 车规级芯片
摘 要：介绍了一种纯电动汽车用永磁同步电机系统的堵转控制包含对原理、法规要求过程分析、测试方法及
策略控制应用，通过对永磁同步电机的基本工作原理变换到堵转的工作原理及带来的问题的原因，通过建立堵
转策略及仿真计算开展实施驱动电机和IGBT的温度保护策略，并确立目标开展对驱动电机和IGBT选型设计，
通过仿真设计校核并通过台架和整车实车测试验证设计目标，验证了系统性能，安全性高，在通过设计对整车
目标进行校核的同时，防止过度开发，降低了系统开发成本。关键词：PMSM；PWM；堵转；IGBT；载频0
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202211 PMSM PWM 堵转 IGBT 载频
EconoDUAL™3是一款经典的IGBT模块封装，其上一代的1700V系列产品已经广泛应用于级联型中高压变频器、静止无功发生器（SVG）和风电变流器，覆盖了中功率和一部分大功率的应用场合。随着芯片技术的发展和市场对高功率密度IGBT模块的需求增加，英飞凌已经基于最新的1700V IGBT7技术开发了新一代的EconoDUAL™3模块，并率先推出了900A和750A两款新产品。本文首先分析了上一代最大电流等级600A的产品FF600R17ME4[1]在MVD和SVG中的典型应用，然后介绍了1700V IG
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英飞凌 IGBT
IGBT是大家常用的开关功率器件，本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册，对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明，用户可以了解各参数的背景信息，以便合理地使用IGBT。英飞凌的IGBT数据手册通常包含以下内容：1. 封面，包括器件编号，IGBT技术的简短描述，如果是带共封装续流二极管的器件，数据手册也会包括二极管的功能，关键参数，应用以及基本的封装信息。2. 最大额定电气参数和IGBT热阻/二极管热阻3. 室温下的电气特性，包括静态和动态参数4. 25°C和150°C或175°C时的开关特性5. 电气特性
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英飞凌 IGBT
栅极驱动中最关键的时刻是IGBT的开启和关闭。我们的目标是快速执行此功能，在IGBT开启时噪音和振铃最小。不过，上升/下降时间过快可能会导致不必要的振铃和不良EMI，而上升/下降时间过慢会增加IGBT的开关损耗。栅极驱动中最关键的时刻是IGBT的开启和关闭。我们的目标是快速执行此功能，在IGBT开启时噪音和振铃最小。不过，上升/下降时间过快可能会导致不必要的振铃和不良EMI，而上升/下降时间过慢会增加IGBT的开关损耗。图1：DGD0216 的栅极驱动组件上图展示的是来自Diodes的DGD0216栅极驱
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DigiKey IGBT
提到软开关技术，大家耳熟能详的有零电压开通ZVS（Zero voltage switching） 和零电流关断ZCS（Zero current switching），同时，尤其是在现在的电源产品中，绝大多数的采用软开关拓扑的电源产品都选择了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同学提到ZVS时想到的主要功率器件搭档，而不是IGBT。今天我就来唠一唠IGBT在软开关拓扑中的应用，IGBT是否能用于ZVS以及IGBT是否更适用于ZCS。长期以来，IGBT给人的印象就如农
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英飞凌 IGBT
在过去的文章中，我们曾经讨论过IGBT在关断的时候，集电极会产生电压过冲的问题（回顾：IGBT集电极电压超过额定电压会发生什么？）。IGBT关断时，集电极电流Ic迅速减小到0，急剧变化的di/dt流经在系统杂散电感，产生感应电压ΔV。ΔV叠加在母线电压上，使IGBT承受高于平常的电压应力。哪怕这电压尖峰时间很短，也可能对IGBT造成永久性损坏。di/dt与IGBT芯片特性有关，也与关断时器件电流有关。当器件在短路或者过流状态下关断时，集电极电压过冲会格外大，有可能超过额定值，从而损坏IGBT。所以如何抑制
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英飞凌 IGBT
IGBT主要用于电机驱动和各类变流器，IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一，短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。IGBT是允许短路的，完全有这样的底气，EconoDUAL™3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的数据手册是这样描述短路能力的，在驱动电压不超过15V时，短路电流典型值是2400A，只要在10us内成功关断短路电流，器件不会损坏。IGBT的短路承受能力为短路保护赢得时间，驱动保护电路可以从容安全地关断短路电流。短路能力不是免费的器
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英飞凌 IGBT 功率半导体
摘要：针对轨道交通领域IGBT的使用要求，设计了一款基于可编程逻辑器件并具有故障存储功能的数字化
驱动器。文章介绍了驱动器总体方案，设计了多电压轨电源系统；分析了异常驱动信号对IGBT正常工作的危
害，并通过软件算法实现了短脉冲抑制与超频保护；电源欠压会导致IGBT开关异常，使用欠压检测芯片进行
检测并在发生欠压故障时进行脉冲封锁；针对短路故障，使用退饱和电路检测并结合软件时序进行保护；详细
分析了IGBT开关过程各阶段的不同特性，设计了可优化开关性能的多等级开关电路；通过存储芯片与可编程
逻辑
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202206 存储 数字化 IGBT 驱动器
摘要：本文介绍了一种新能源电动汽车上用驱动电机控制器IGBT驱动电源方案的设计分析及其验证，通过
对基本Buck-boost拓扑研究变换到Flyback电路，通过对LTC1871电流驱动芯片的应用设计、分析，设计反激变
压器参数目标需求匹配驱动电路，通过PWM供电、NMOS驱动、电流检测、反馈输出电压跟踪闭环调节，实
现满足一款Infineon的驱动芯片1ED020I12芯片的驱动电路系统，本方案通过原理设计、电路仿真及电路台架测
试，验证了系统性能、安全性高，同时可以通过较少的外围电路实现可靠的
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202206 升降压变换器 反激 反激变压器 IGBT 脉宽调制
海英搏尔电气股份有限公司，率先引入英飞凌科技股份有限公司最新推出750 V车规级IGBT ，包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2两款型号。 这款分立式IGBT EDT2组件采用TO-247PLUS封装，可以提升电动汽车主逆变器和直流链路放电开关的性能，并节约系统成本。除此之外，它们还能够为设计师提供更大的自由度，有助于实现系统整合。英搏尔MCU技术总监刘宏鑫表示：「英搏尔坚定不移地遵循使用分立式组件设计电机控制单元（MCU）的技术路线，不断开发出高性价比的产品，从而始终保持
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英搏尔 英飞凌 IGBT EDT2组件
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