- 领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi），推出一系列全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具备业界领先的性能水平，最大程度降低导通损耗和开关损耗。这些新器件旨在提高快速开关应用能效，将主要用于能源基础设施应用，如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、储能和电动汽车充电电源转换。新的1200V沟槽型场截止（FS7）IGBT在高开关频率能源基础设施应用中用于升压电路提高母线电压，及逆变回路以提供交流输出。FS7器件的低开关损耗可实现更高的开关频率，从而减少磁性元件的尺寸，提高功率密度
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安森美 IGBT FS7
- 当下半导体周期下行，半导体产业链多细分领域均明显迈入到库存调整周期。然而，在电动车与太阳能光伏两大主流应用需求大增助推下，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）近期出现较大程度缺货，不仅价格连涨，业界更以“不是价格多高的问题，而是根本买不到”来形容缺货盛况。01IGBT供不应求，代工价格喊涨自2020年汽车缺芯以来，汽车芯片结构性缺芯愈发明显，IGBT一直处于紧缺状态。在2022年下半年，其甚至超越车用MCU，成为影响汽车扩产的最大掣肘。今年年初媒体消息显示，汉磊集团于年初调涨IGBT产线代工价一成左右。据悉，汉
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IGBT 缺货
- 2023 年 3 月 21日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），推出一系列全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具备业界领先的性能水平，最大程度降低导通损耗和开关损耗。这些新器件旨在提高快速开关应用能效，将主要用于能源基础设施应用，如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、储能和电动汽车充电电源转换。新的1200V沟槽型场截止（FS7）IGBT在高开关频率能源基础设施应用中用于升压电路提高母线电压，及逆变回路以提供交流输出。FS7器件的低开关损耗
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安森美 IGBT FS7开关
- 近日，吉利科技旗下浙江晶能微电子有限公司宣布，其自主设计研发的首款车规级IGBT产品成功流片。新款芯片各项参数均达到设计要求。吉利科技集团消息显示，该款IGBT芯片采用第七代微沟槽栅和场截止技术，通过优化表面结构和FS结构，兼具短路耐受同时实现更低的导通/开关损耗，功率密度增大约35%，综合性能指标达到行业领先水平。晶能与晶圆代工厂深度绑定，采用工艺共创方式持续提升芯片性能。据悉，晶能微电子是吉利科技集团孵化的功率半导体公司，聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制与创新，发挥“芯片设计+模块制
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吉利科技 晶能 车规级 IGBT
- IT之家 3 月 16 日消息，吉利科技旗下浙江晶能微电子近期宣布，其自主设计研发的首款车规级 IGBT 产品成功流片。新款芯片各项参数均达到设计要求。晶能自主研发 IGBT 流片晶圆该款 IGBT 芯片采用第七代微沟槽栅和场截止技术，通过优化表面结构和 FS 结构，兼具短路耐受同时实现更低的导通 / 开关损耗，功率密度增大约 35%，综合性能指标达到行业领先水平。晶能与晶圆代工厂深度绑定，采用工艺共创方式持续提升芯片性能。晶能表示，一辆典型的新能源汽车芯片用量超过 1200 颗。功率半导体占比接近 1/
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吉利 IGBT
- _____碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的新一代宽禁带(WBG)材料的使用度正变得越来越高。在电气方面，这些物质比硅和其他典型半导体材料更接近绝缘体。这些物质的采用旨在克服硅的局限性，而这些局限性源自其是一种窄禁带材料，所以会引发不良的导电性泄漏，且会随着温度、电压或频率的提高而变得更加明显。这种泄漏的逻辑极限是不可控的导电率，相当于半导体运行失效。在这两种宽禁带材料中，GaN主要适合中低档功率实现方案，大约在1 kV和100 A以下。GaN的一个显著增长领域是它在LED照明中的应用，而且在汽车
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MOSFET IGBT
- 随着全球对环保问题的重视，在汽车领域，新能源汽车肩负着构建良好生态环境的目的和使命走在了前沿，汽车产业从不同技术路线探索环保之道。电动汽车是新能源汽车的主要技术路线之一，其核心部件车载充电机（OBC）经过几年的发展技术日益成熟。但高效可靠，易于控制，高性价比一直是各家方案商以及零部件供应商持续追求的目标。本方案是品佳集团联合国内高校共同设计，基于Infineon AURIX系列MCU开发的一套OBC方案。首次采用单片MCU完成原本DSP+MCU的运算任务，功率器件采用Infineon TRENCHSTOP
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Infineon TC233LP AIKW40N65DF5 OBC Aurix IGBT
- 尺寸和功率往往看起来像是硬币的两面。当你缩小尺寸时--这是我们行业中不断强调的目标之一--你不可避免地会降低功率。但情况一定是这样吗？如果将我们的思维从芯片转移到模块设计上，就不需要抛硬币了。在IGBT模块中，芯片面积减小导致了热阻抗的增加，进而影响性能。但是，由于较小的芯片在基板上释放了更多的空间，因此有可能利用这些新的可用空间来优化模块的布局。在这篇文章中，我们将探讨如何调整模块设计来改善热性能。下篇将探讨如何改善电气性能。作为参考，我们将使用采用TRENCHSTOP™ IGBT 7技术的新型1200
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英飞凌 IGBT
- 与大多数功率半导体相比，IGBT 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。这是因为大多数 IGBT 都采用一体式封装，同一封装中同时包含 IGBT 和二极管芯片。为了知道每个芯片的温度，有必要知道每个芯片的功耗、频率、θ 和交互作用系数。还需要知道每个器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本应用笔记将简单说明如何测量功耗并计算二极管和 IGBT 芯片的温升。损耗组成部分根据电路拓扑和工作条件，两个芯片之间的功率损耗可能会有很大差异。IGBT 的损耗可以分解为导通损耗和开关（开通和关断）损耗，而二极管损耗
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安森美 IGBT
- 对于功率因数校正（PFC），通常使用升压转换器Boost拓扑结构。它可以最大限度地减少输入电流的谐波。同时IGBT是大功率PFC应用的最佳选择，如空调、加热、通风和空调（HVAC）以及热泵。理论上，在连续导通模式（CCM）下，通过IGBT反向续流永远不会发生。然而，在轻负载或瞬态条件下，由于升压电感Lboost和IGBT的输出电容Coss之间的共振，会有反向电流流过。这个谐振电流，iQN(t)是由以下公式给出的。谐振期间IGBT两端的电压（VCE）可以得出：当输入电压Vin低于输出电压的一半时（Vin&l
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英飞凌 IGBT CCM模式
- 现今随着高端测试仪器和仿真软件的普及，大部分的损耗计算都可以使用工具自动完成，节省了不少精力，不得不说这对工程师来说是一种解放，但是这些工具就像黑盒子，好学的小伙伴总想知道工作机理。其实基础都是大家学过的基本高等数学知识。今天作者就帮大家打开这个黑盒子，详细介绍一下IGBT损耗计算方法同时一起复习一下高等数学知识。我们先来看一个IGBT的完整工作波形：IGBT的损耗可以分为开关损耗和导通损耗，其中开关损耗又分为开通和关断两部分，下面我分别来看一下各部分的计算推导过程。开关损耗-开通部分我们先来看一下理想的
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英飞凌 IGBT
- 功率半导体器件，也称为电力电子器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件。逆变（直流转换成交流）、整流（交流转换成直流）、斩波（直流升降压）、变频（交流之间转换）是基本的电能转换方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽车是功率器件增量需求主要来源01 下游应用领域广泛，新能源汽车为主作为电能转化和电路控制的核心器件，功率器件下游应用十分广泛，包括新能源（风电、光伏、储能和电动汽车）、消费电子、智能电网、轨道交通等，根据每个细分领域性能要求
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功率器件 IGBT MOSFET 国产替代
- 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置3.75kV
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瑞萨 栅极驱动IC EV逆变器 IGBT SiC MOSFET
- 针对氮化铝陶瓷基板的IGBT应用展开分析，着重对不同金属化方法制备的覆铜AlN基板进行可靠性进行研究。通过对比厚膜法、薄膜法、直接覆铜法和活性金属钎焊法金属化AlN基板的剥离强度、热循环、功率循环，分析结果可知，活性金属钎焊法制备的AlN覆铜基板优于其他工艺基板，剥离强度25 MPa，（-40 ~150）℃热循环达到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循环测试7万次，满足IGBT模块对陶瓷基板可靠性需求。
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IGBT AlN陶瓷基板 金属化 可靠性应用 202212
- 功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。凡是在拥有电流电压以及相位转换的电路系统中，都会用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于将发电设备产生的电压和频率杂乱不一的“粗电”通过一系列的转换调制变成拥有特定电能参数的“精电”、供给需求不一的用电终端，为电子电力变化装置的核心器件之一。在分立器件发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代
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功率半导体 MOSFET IGBT
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