本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路中消耗或损失的功率、发送至功率半导体开关(IGBT/MOSFET)的功率以及驱动器IC和功率半导体开关之间的外部组件处（例如外部栅极电阻器上）损失的功率。在以下示例中，我们将讨论使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能栅极驱动器）的 IGBT 栅极驱动器设计。本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦
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IGBT MOSFET
随着全球对可再生能源的日益关注以及对效率的需求，高效率，高可靠性成为功率电子产业不断前行的关键。Nexperia（安世半导体）的 IGBT 产品系列优化了开关损耗和导通损耗, 兼顾马达驱动需求的高温短路耐受能力，实现更高的电流密度和系统可靠性。自推出以来，绝缘栅双极晶体管（IGBT）由于其高电压、大电流、低损耗等优势特点，被广泛应用于马达驱动，光伏，UPS，储能，汽车 等领域。变频器变频器由于“节能降耗”等优势，广泛的使用在电机驱动的各个领域。让我们先来走进变频器，看看变频器的典型电路。“交—直—交”电路
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Nexperia IGBT
对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢，因此仅限用于较低的工作频率。因此，硅 MOSFET 更适合低压、高频操作，而 IGBT 更适合高压、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压
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SiC MOSFET IGBT WBG
如今，碳化硅 (SiC)和氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体风头正盛。但在此之前，绝缘栅双极晶体管 (IGBT)才是电力电子行业的主角。本文将介绍IGBT在哪些应用中仍能发挥所长，然后快速探讨一下这些多用途器件的未来前景。焊接机许多现代化焊接机使用逆变器，而非焊接变压器，因为直流输出电流可以提高焊接工艺的控制精度。更多优势还包括直流电流比交流电流更安全，并且采用逆变器的焊接机具有更高的功率密度，因此重量更轻。图 1：焊接机框图焊接逆变器常用的开关拓扑结构包括全桥、半桥和双管正激，而恒定电流是最常用的控制方
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安森美 IGBT
英飞凌科技股份公司近日推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管，先进的发射器控制设计结合高速技术，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损耗，提高效率和功率密度。因此，该半导体器件适合用于各种应用，如组串式逆变器、储能系统（ESS）、电动汽车充电应用以及如工业UPS和焊接等传统应用。 在分立式封装
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英飞凌 650V IGBT
1.方案介绍:NCD57000 是一种具有内部电流隔离的高电流单通道驱动器，专为高功率应用的高系统效率和高可靠性而设计。其特性包括互补的输入端（IN+ 和 IN-）、漏极开路或故障侦测功能、有源米勒箝位功能、也配备了精确的 UVLO和DESAT保护能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 时的软关断以及独立的高低驱动器输出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系统设计及开发。 NCD57000 可在输入侧提供 5
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NCD57000 驱动器 IGBT MOSFET onsemi 马达控制
新型 IGBT 已开发出来，具有反向阻断能力。各种应用都需要此功能，例如电流源逆变器、谐振电路、双向开关或矩阵转换器。本文介绍了单片芯片的技术及其运行行为，并通过典型电路中的个样本进行了测量。新型 IGBT 已开发出来，具有反向阻断能力。各种应用都需要此功能，例如电流源逆变器、谐振电路、双向开关或矩阵转换器。本文介绍了单片芯片的技术及其运行行为，并通过典型电路中的个样本进行了测量。简介：应用需要具有反向阻断能力的单向电流可控开关的典型电路可分为：传统电流源逆变器如图1所示具有电流源的谐振转换器如图 2 所
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IGBT
俗话说，好马配好鞍，好IGBT自然也要配备好的驱动IC。一颗好的驱动不仅要提供足够的驱动功率，最好还要有完善的保护功能，例如退饱和保护、两电平关断、软关断、欠压保护等，为IGBT的安全运行保驾护航。然而有保护功能的驱动芯片，大部分的参数都是固定的，或者是只能靠外围器件进行粗放的调节。对于退饱和保护来说，内部电流源的电流是固定的，短路消隐时间只能靠调节外接电容大小来调整。对于两电平关断功能来说，两电平持续的时间和电位需要靠外接电容和齐纳二极管来实现。而软关断电流及米勒钳位电流对于某一颗芯片来说也是固定的，无
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英飞凌 IGBT
【2023年8月4日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出搭载1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的62 mm半桥和共发射极模块产品组合。模块的最大电流规格高达 800 A ，扩展了英飞凌采用成熟的62 mm 封装设计的产品组合。电流输出能力的提高为系统设计人员在设计额定电流更高方案的时候，不仅提供最大的灵活性，还提供更高的功率密度和更优秀的电气性能。新型模块专为满足集中式太阳能逆变器以及工业电机驱动和不间断电源（UPS）的需求而开发。
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英飞凌 IGBT
IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点，并且有三个端子：一个栅极、一个集电极和一个发射极。就栅极驱动而言，该器件的行为类似于 MOSFET。它的载流路径与 BJT 的集电极-发射极路径非常相似。图 1 显示了 n 型 IGBT 的等效器件电路。图 1. IGBT的等效电路一 了解基本驱动器图 2. IGBT的导通电流了快速导通和关断 BJT，必须在每个方向上硬驱动栅极电流，以将载流子移入和移出基极区。当 MOSFET 的栅极被驱动
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IGBT 栅极 驱动
英飞凌在近日表示，与赛米控丹佛斯签署了一份多年批量供应硅基电动汽车芯片的协议。英飞凌将为赛米控丹佛斯供应由IGBT和二极管组成的芯片组。这些芯片主要用于逆变器的功率模块，而逆变器用于电动汽车的主驱动。根据协议，赛米控丹佛斯的IGBT和二极管将由英飞凌在德国德累斯顿和马来西亚居林的工厂生产。IGBT依然紧缺根据供应链消息显示，目前IGBT缺货基本在39周以上，供需缺口已经拉长到50%以上，市场部分料号供货周期还是维持在52周。作为行业龙头的英飞凌，其去年IGBT订单已处于超负荷接单状态，整体积压订单金额超过
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英飞凌 赛米控 电动汽车芯片 SiC IGBT
IGBT是大家常用的开关功率器件，本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册，对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明，用户可以了解各参数的背景信息，以便合理地使用IGBT。在上篇《IGBT单管数据手册参数解析——上》中，我们介绍了IGBT的命名、最大额定值及静态参数。今天我们介绍动态特性、开关特性及其它参数。4.动态特性● 输入电容，输出电容和反向传输电容Cies，Coes和Cres输入电容Cies，是Cres同CGE之和，是设计驱动的一个关键参数。它在每个开关周期进行充电和放电，它定
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英飞凌 IGBT
最近，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体的应用日益增多，受到广泛关注。然而，在这些新技术出现之前，许多高功率应用都是使用高效、可靠的绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)，事实上，许多此类应用仍然适合继续使用 IGBT。在本文中，我们介绍 IGBT 器件的结构和运行，并列举多种不同 IGBT 应用的电路拓扑结构，然后探讨这种多用途可靠技术的新兴拓扑结构。IGBT 器件结构简而言之，IGBT 是由 4 个交替层 (P-N-P-N) 组成的功率半导体晶体管，通过施加于金属氧化物半导体 (MOS
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安森美 IGBT
根据 IGBT 的产品分类来看，按照其封装形式的不同，可分为 IGBT 分立器件、IPM 模块和 IGBT 模块。IGBT 分立器件主要应用在小功率的家用电器、分布式光伏逆变器；IPM 模块应用于变频空调、变频洗衣机等白色家电产品；而 IGBT 模块应用于大功率变频器、新能源车、集中式光伏等领域。根据工作环境的电压不同，IGBT 可以分为低压（600V 以下）、中压（600V－1200V）、高压（1700V－6500V）。一般低压 IGBT 常用于变频白色家电、新能源汽车零部件等领域；中压 IGBT 常用
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IGBT
为功率电子设计人员提供带有全额快速恢复二极管的稳健型175℃标准IGBT。
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IGBT 电源 NXP
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