国际整流器公司(简称IR，纽约证交所代号IRF)是先进功率管理技术包括數字、模拟及混合信号集成电路、先进电路器件以及功率系統的先驱及全球領导者。世界顶级的计算机、电器、汽车、消费类电子产品以及防御系统的制造商均凭借IR先进技术而实现其产品的卓越性能。今天，功率管理技术在拯救全球日益委缩的能源资源方面，扮演着前所未有的重要角色，但同时也要跨越艰巨的技术障碍。

iP2010采用了IR公司创新的硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延功率器件技术平台GaNpowIR^TM。GaN的电场性能远强于硅，而且具有传导率极佳的器件结构，因此基于GaN的器件可以在工作电压和导通电阻之间取得极佳的折衷。与基于硅的类似器件相比，GaN器件能够高效地工作在非常高的频率，因为它们的栅极电荷（Qg）有显著减少，而且器件开关RDS(on)*Qg品质因数（FOM）也远低于硅。

iP2010目前主要用于服务器、路由器、交换机和通用转换器中的负载点（POL）和多相稳压器。iP2010集成了一个与多开关单片硅基氮化镓功率器件匹配的专用PowIRtune^TM驱动芯片。这种专有的PowIRtune^TM驱动芯片采用了一种超快的检测机制，能够通过调整死区时间来获得最优性能，并能在各种负载电流、输入电压和温度条件下保持最佳的死区时间。由于在单片功率开关中同时整合了高边和低边GaN功率开关，从而消除了寄生开关损耗，而在使用分立型高边和低边开关的传统功率级解决方案中，由于使用了铜互连这种损耗无可避免。

iP2010的输入电压范围为7V至13.2V，输出电压范围为0.6V至5.5V，在此电压范围内的输出电流最高可达30A，工作频率最高可达3MHz。为了实现比基于硅的先进功率MOSFET更高的效率和两倍以上的开关频率，iP2010器件安装在倒装芯片封装平台内，因而无需使用邦定线。基于GaN的先进技术加上创新的封装，使得这款集成式器件可针对600kHz至1.2MHz的工作频率范围进行优化。

因为iP2010能够工作在比传统硅解决方案更高的频率范围内，因而在空间非常宝贵的场合它能提供最大的功率密度。通过将功率级电路工作在这些更高的开关频率，还能减小输出电容和电感的值和体积，进而减小整个电路板面积。