在过去的13年中，英飞凌功率半导体产品- CoolMOS^TM，超級结（SJ）高压MOSFETs, thinQ! TM 碳化硅肖特基二极管，OptiMOS^TM，低压MOSFETs，和现在的CoolMOS^TM CFD2 SJ 650V MOSFETs-都是该哲学的典型事例。

CoolMOS^TMCFD2 是基于具有革命意义的超结原理之上，是英飞凌第七代高压功率MOSFETs。该系列是市场上首例将快速体二极管集成在650V 具有超结技术的MOSFET之上， 同时也联合了极低的导通电阻，最佳导通电阻达41毫欧。 由此产生的CFD2器件在硬切换的情况下得以限制电压过冲，同时也减小了导通损耗。同前一代的CFD的产品相比，CFD2大大降低了Qg,因而能够节省MOSFETs的驱动功率。这点在高频零电压开关的拓扑上至关重要。通常来说，MOSFET导通电阻是随着结温的升高而增大的。但是，由于CFD2 采用的是最新的技术，使得导通电阻的变化范围会更加狭小。

基于以上提到的特点，CFD2系列MOSFET 可以较好的用于移相零电压开关的拓扑，LLC 拓扑，和三电平拓扑。它对于通信整流器，服务器电源，UPS 和太阳能电源产品应用至关重要。