英特尔与恒忆公布突破性相变存储器技术研究成果

　　英特尔公司与恒忆(Numonyx B.V.)今天公布了一项突破性的相变存储器(PCM)研究成果，这种新的非易失性存储器技术结合了目前各种存储器的优势。研究人员首次展示了能够在单个硅片上堆叠或放置多个PCM阵列层的64Mb测试芯片。这些研究成果为制造更高容量、更低能耗的存储器设备铺平了道路，能够为随机存取非易失性存储器和存储应用降低所占用的空间。

　　这项成果由恒忆和英特尔联合开发，双方一直在合作探索多层或堆叠式PCM单元阵列方面的研究。英特尔和恒忆的研究人员现在能够展示垂直集成的存储器单元PCMS(相变存储器与开关)。PCMS由一个PCM元件和新型双向阈值开关(OTS)以真正的交叉点阵列方式组成。堆叠多层PCMS阵列的能力提供了更高存储器密度的可扩展性，同时保持PCM的性能特征，而基于传统存储器技术则越来越难以实现。

　　英特尔院士、存储器技术开发总监Al Fazio表示：“我们继续开发存储器的相关技术，以推动计算平台的进步。这项里程碑式的研究成果令人振奋，我们认为对于扩展存储器在计算解决方案中的作用以及提高性能和存储器扩展能力，PCMS等未来存储器技术至关重要。”

　　恒忆公司高级技术院士Greg Atwood表示：“这项研究成果前景广阔，使得未来为PCM产品开发密度更高、可扩展的阵列和类NAND使用模式成为可能。传统闪存技术面临物理限制和可靠性问题，而从手机到数据中心等设备对存储器的广泛需求却越来越高，因此这项成果意义重大。”

　　存储器单元通过堆叠存储元件和选择器而制造，由几个单元构成存储器阵列。英特尔和恒忆的研究人员能够将薄膜、双终端OTS部署为为选择器，其物理和电气特性非常适合PCM扩展。现在，薄膜PCMS的兼容性让多层交叉点存储器阵列成为可能。分层阵列一旦集成起来并按照真正的交叉点阵列进行嵌入，可与CMOS电路相结合，用于解码、传感和逻辑功能。

　　在12月9日即将在美国巴尔的摩市召开的2009年国际电子设备大会(International Electron Devices Meeting，IEDM)上，两家公司将联合发表标题为《可堆叠交叉点相变存储器》的论文，披露有关存储器单元、交叉点阵列、实验以及结果的更多信息。这篇论文由英特尔和恒忆的技术人员共同撰写，英特尔高级首席工程师DerChange Kau将做相关演讲。