台积电28纳米明年1Q试产　迎击IBM阵营

　　台积电28纳米制程再迈大步，预计最快2010年第1季底进入试产，2011年明显贡献营收，台积电可望在28纳米世代迎接中央处理器(CPU)代工订单，目前28纳米制程技术最大竞争对手，仍是来自IBM阵营的Global Foundries与新加坡特许(Chartered)，双方竞争更趋激烈。

　　台积电表示，已将低耗电制程纳入28纳米高介电层/金属闸(HKMG)制程技术蓝图，预计2010年第3季进行试产，至于28纳米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)则分别于2010年第1季底、第2季底进入试产。台积电表示，自2008年9月正式发表28纳米技术后，发展与量产时程皆按预期计画如期进行。

　　目前台积电28纳米低功耗制程因延伸自氮氧化矽(SiON)制程，成本与功耗较低，主要锁定行动电话、精巧型随身易网机(smart netbook)、无线通讯、可携式消费性电子等低耗电应用市场;而在高效能制程上，则采用闸极后制(gate-last)技术，锁定中央处理器、绘图处理器、芯片组与可程序化闸阵列(FPGA)、游戏主机等高效能芯片应用。

　　值得一提的是，英特尔是闸极后制技术拥护者，而另一半导体阵营IBM则以闸极优先(gate-first)为取向。台积电研发副总孙元成指出，采用闸极后制方式发展28纳米高效能制程，在晶体管特性、应用优势及可制造性等方面，都比闸极优先方法好。目前采取闸极优先以IBM为主轴，包括策略伙伴Global Foundries与特许都已推出28纳米制程，其中，Global Foundries预计2010年与客户完成设计，2011年量产，与台积电时程几乎不相上下。