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安森美半导体80 PLUS银级能效255 W ATX电源参考设计概览

作者:时间:2009-07-24来源:电子产品世界收藏

  6)待机

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/96575.htm

  集成反激转换器提供12 W待机能效率,为另一个隔离的5 V电压轨供电。这器件集成了固定频率电流模式控制器和700 V高压MOSFET。在轻载条件下,这IC将工作在跳周期模式,因而降低开关损耗,并在整个负载范围内提供高能效。

  模拟真实世界条件下的能效测试结果

  我们在20%、50%和100%这三种负载条件下,100 Vac、115 Vac、230 Vac和240 Vac四种不同交流线路电压下测试了这参考设计的能效。实际上,相关认证中并未规定线缆长度,导致某些制造商宣称的能效水平是直接在输出端(或是采用不切实际的线缆长度)测得的。现实中,可工作的台式PC的外形因数及设计,意指和电能提供点之间的线缆长度通常测得为约16英寸(41厘米),因此,是总损耗的构成因素。而半导体的这些测试结果是在41厘米长线缆的末端测得的,与真实世界工作条件相仿。

  1)总能效

  这参考设计实现所有负载条件下高于85%的能效,符合80 PLUS银级能效要求,见表2。

  表2:不同负载条件下的总能效测试结果。

  2)功率因数

  50%及100%负载条件下的功率因数均高于0.9,符合80 PLUS银级能效要求,见表3。

  表3:各种负载条件下的功率因数。



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