ITO靶材向大尺寸高密度方向发展

　　热压工艺制作过程所需的成型压力较小，烧结温度较低，烧结时间较短。但热压法生产的ITO靶材由于缺氧率高，氧含量分布不均匀，从而影响了生产ITO薄膜的均匀性，且不能生产大尺寸的靶。

　　烧结法

　　ITO靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧化锡混合粉末为原料，加入黏结剂和分散剂混合后，压力成型，脱脂，然后于1400℃～1600℃烧结。

　　烧结法设备投入少，成本低，产品密度高、缺氧率低，尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。

　　大尺寸高密度是研发重点

　　国外于上世纪70年代开始研制ITO靶材，主要集中于日本、美国和德国，目前已形成规模产业，主要采用冷压——— 烧结工艺成形和致密化，同时兼顾热压和热等静压工艺，以获得不同质量档次的靶材。日本在靶材制备技术和装备技术上走在世界前列，已形成了从粉末、靶材制备、镀膜到液晶显示器件制造较完整的产业链。国内于上世纪90年代初开始研制ITO靶材，主要集中在大学和科研单位，主要工艺是热压法。

　　近年来，随着平板显示器尺寸大型化的发展，对ITO靶材尺寸及密度的要求也越来越高，热压设备与技术已远远不能满足其要求。因此，以烧结工艺生产大尺寸、高密度ITO靶材已成为国内各大靶材生产厂家研发的重点。

　　LCD经过长时间的发展后，产品质量不断提升，成本也不断下降，对ITO靶材的要求也随之提高，因此，配合LCD的发展，未来ITO靶材发展大致有以下的趋势：

　　1.降低电阻率。随着LCD愈来愈精细化发展的趋向，以及它的驱动程序不同，需要更小电阻率的透明导电膜。

　　2.高密度化。靶材密度的改善直接带来的益处主要表现在减少黑化和降低电阻率方面。靶材若为低密度时，有效溅射表面积会减少，溅射速度也会降低，靶材表面黑化趋势加剧。高密度靶的表面变化少，可以得到低电阻膜。靶材密度与寿命也有关，高密度的靶材寿命较长，意味着可降低靶材成本。

　　3.尺寸大型化。随着液晶模块产品轻薄化和低价化趋势的不断发展，相应的ITO玻璃基板也出现了明显的大型化的趋势，因此ITO靶材单片尺寸大型化不可避免。

　　4.靶材本体一体化。如前所述，靶材将朝大面积发展，以往技术能力不足时，必须使用多片靶材拼焊成大面积，但由于接合处会造成镀膜质量下降，因此目前大多以一体成形为主，以提升镀膜质量与使用率。未来新世代LCD玻璃基板尺寸的加大，对靶材生产厂家是一项严苛的挑战。

　　5.使用高效率化。靶材使用率的提升，一直是设备商、使用者及靶材制造商共同努力的方向。目前靶材利用率可达40%，随着液晶显示器行业对材料成本要求的提高，提高ITO靶材的利用率也将是未来靶材研发的方向之一。