英飞凌推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列

　　今日在深圳举办的中国国际电源展览会上，英飞凌科技宣布推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的这个产品系列具备业内领先的导通电阻(RDS(on))和品质因素(FOM, Qg * RDS(on))特性，可在任何负载条件下，降低开关模式电源(SMPS)、电机控制和快速开关D类功放等电源产品的功率损耗并改善其整体能效。

　　OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列，是交流/直流开关模式电源(譬如面向全球市场的台式机和计算机服务器装备的电源)的同步整流的理想选择。电脑产业拯救气候行动计划发起的80PLUS® Gold金牌认证规定的新能效目标，要求在美国能源之星计划当前的要求基础上再使计算机的能效提高约10%。英飞凌此次新推出的OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET可以帮助满足这些规范。英飞凌的OptiMOS™ 3 75V器件采用节省空间的SuperSO8封装，相对于同类器件而言，导通电阻和品质因素分别降低40%和34%，结果可使SMPS的同步整流级的功率损耗降低高达10%。

　　英飞凌科技工业及多元化电子市场部副总裁兼总经理Andreas Urschitz指出：“为客户提供多种改进能效的解决方案，多年来一直是英飞凌的核心战略之一。如今我们已成为全球公认的功率半导体器件领先供应商。归功于技术领导地位、经过验证的产品质量、稳定的供货和客户大力支持等因素，我们一直是主要OEM和ODM客户的最佳供应商，对此我们颇感自豪。”

　　全新推出的OptiMOS™ 3 75V系列，进一步壮大了英飞凌功率MOSFET产品的阵容。目前，采用英飞凌N沟道OptiMOS™ 3工艺制造的器件型号已接近100个，每款都具备业界最低的导通电阻、极低的栅极电荷，降低产品的导通损耗和整体功耗。例如，OptiMOS™ 3 80V系列已成为电源同步整流的行业标准。全新推出的OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列相对于80V系列而言，功率损耗降低10%，确保客户达到更加严格的能效要求。

　　导通电阻最低温度系数[<0.7%/°K]等特性，确保在温度升高时，实现极低的导通损耗。更低的功率损耗消除了多器件并联需求，并允许采用较小的散热器，从而降低了系统成本。

　　英飞凌OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET还有助于客户设计出更加紧凑的电源。例如，采用SuperSO8封装的OptiMOS™ 3 75V器件可用于代替同等功率密度的D²PAK器件。这可使占板空间、垂直高度和封装宽度分别降低60%、77%(从4.44毫米降至1毫米)和50%左右(从10.1毫米降至5.15毫米)。另外一案例，英飞凌还推出了采用TO-220封装、典型导通电阻为2毫欧的高功率OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET器件，可替换两颗替代性器件。

　　供货情况与定价

　　英飞凌OptiMOS™ 3 75V 功率MOSFET系列包含一款采用SuperSO8封装、导通电阻为4.2毫欧的器件，单价为0.7美元(订购量达到10,000颗);同时，当订购量达到10,000颗时，采用TO-220、TO-262和D²PAK封装的型号的单价分别为0.65美元(导通电阻等级为5毫欧)、 0.9美元(导通电阻等级为3毫欧)和1.7美元(导通电阻等级为2毫欧)。