恒忆首次登陆北京IIC盛会

　　2009年3月5日，北京讯，第十四界国际集成电路研讨会暨展览会(IIC-China)作为中国最具影响力的电子行业盛会于3月5日在北京隆重开幕。恒忆（Numonyx）的首席技术官兼副总裁Edward Doller在大会上发表了重要主题演讲，解读存储产业的不断演进和目前所面临的挑战，并分享了恒忆在闪存领域的最新技术突破，以及当前在全球经济危机下，公司如何保持持续领先的应对策略。

　　由于全球性金融危机，2008年对于很多公司都是不平凡的一年。大浪淘沙，在这种困难时期，恒忆公司凭借其先进的解决方案，持续不断的创新，在这身处严寒考验的存储市场中一枝独秀，领导存储技术市场潮流。通过一系列扩大市场份额等结果导向型策略，以及有效的节约成本措施，虽然整个产业都受到经济危机的影响，恒忆仍保持良好、稳定的财务状况，为后续的持续技术创新做好了准备。

　　创新是恒忆公司持续发展的源泉。汲取了母公司英特尔（Intel）和意法半导体(STMicroelectronics)的技术优势，恒忆的技术研发不断取得新突破。最近恒忆率先为业界带来下一代存储技术——相变存储器(PCM)。 PCM是一个极具发展前景的新型存储技术，数据读写速度非常快，功耗低于传统的闪存技术，而且支持通常只有随机存取存储器(RAM)才具备的以数据为单位的修改功能。业内专家预测，当目前现有的传统存储芯片所能带来的利润越来越少的时候， PCM应用的热潮将在今后的几年中出现， 这种技术可以更有效地降低成本，并提升存储容量。它的出现不仅迎合了智能电话、MID、iPod引领的消费电子风潮，更能适用于对存储性能要求苛刻的服务器等应用。

　　在制造工艺方面，恒忆也保持着业界领先地位。2009年2月恒忆发布业内首款采用45纳米工艺技术的多级单元（MLC）NOR闪存样片。是当前市场上最先进的NOR闪存。恒忆首席技术官Edward Doller表示，“通过开发新的工艺技术，在业内最先进的45nm技术平台上制造第7代MLC NOR闪存，恒忆的工程师克服了技术升级的主要限制，率先为客户带来性价比优势。”

恒忆不仅在NOR保持着在业界中的领先优势，还把这种技术优势延伸到NAND产品，去年恒忆面向无线通信和嵌入式领域扩大了NAND产品阵营，推出了采用先进的41nm制造工艺的NAND闪存，新系列产品包括32Gb的多级单元(MLC)NAND闪存、32GB的eMMC存储芯片和高达8GB的 microSD产品。

　　从成立到现在，恒忆在短短不到一年的时间内，于众多老牌竞争对手中脱颖而出，而且在目前形势险俊的环境下乘风破浪, 除了由于结合英特尔和意法半导体的优势，以及拥有行业领先的解决方案之外，另外一个制胜法宝就是一系列行之有效的精明策略。

　　首先，提供全系列产品以及整合的一站式解决方案。恒忆拥有范围广泛的NOR、NAND及PCM等产品与技术；一站式解决方案则包括从硅技术研发，封装测试，客户服务，软件集成到最后的产品质量控制和方案实施。

　　其次是“灵活资产策略”（Asset Smart）。在目前危机时期，闪存市场明显呈现供大于求，库存对很多厂商来说是个挑战。恒忆则采取了一系列措施，如适度灵活调配产量；与合资厂商签署协议，只购买满足需求所需的产能。这些措施保证了良好的库存状况，既能满足客户需求，又不会由于生产过剩导致浪费。此外，恒忆的策略还包括良好的供应链管理，确保及时交货，这点为许多国内外客户所看重。

　　最后是紧密的合作伙伴关系。在这种特殊关头，与合作伙伴的支持显得尤为重要。作为行业领导者，在业界的支持下，恒忆推出一系列行业标准，如JEDEC, ONFI, IEEE, ISSCC等。同时，恒忆与合作伙伴密切合作，提高产业规模和生产效率，并不断进行产品的创新和优化，以提高竞争力，为客户创造更多价值。

　　正如恒忆首席技术官Edward Doller所言：“虽然无人知道产业何时复苏，但恒忆正在积极准备迎接这一天的到来。”