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处理器的高效率电源管理(08-100)

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作者:时间:2009-03-05来源:电子产品世界收藏

 

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/92136.htm

  图2 模块包含驱动器和功率MOSFETs。控制电路和输出级具有独立的地

  Renesas Technology America公司的RZJ20602NP集成一个驱动器IC和高、低端功率MOSFET在56引脚QFN封装中。这种第二代驱动器-MOSFET产品工作在高达2MHz开关频率,其最大输出电流为40A。工作在1MHz,VIN=12V,VOUT=1.3V时,最高效率接近87%。在25A输出电流时,功耗只有4.4W。

  NXP公司的NXP PIP212-12M也满足规范。它由高端(控制FET)、低端(同步FET)和FET驱动器组成。它可以用做降压稳压器构建单元,每相大于30A电流、工作频率高达1MHz。

  

图3 由4个Fair child FDMF 8704模块和1个分离的四相Intersil ISL8307A PWM控制器组成的简化四相电压稳压器电路

  Semtech公司的SC2447是一款高频率、双相PWM降压控制器,对于Philips和Renesas DrMOS是最佳的器件,适用于网络系统电源。它采用固定频率、连续导通峰电流模式的控制,具有良好的补偿和快速瞬态响应。它产生两个独立的180?异相、30A输出。每个相具有单独的闭环软启动和过载停机定时器。

  Intersil公司的ISL6307A控制微处理器芯核电压调整(图3)。微处理器负载可产生非常快沿率的负载瞬态。ISL6307A具有宽带控制环和高达12MHz的纹波频率,能为瞬态提供最佳响应。ISL6307A利用专利技术感测电流,来测量低端MOSFET导通期间跨接在低端MOSFET的RDS(ON)或输出电感器dc电阻(DCR)上的电压。电流感测器为精确电压降、通道电流平衡和过流保护提供所需的信号。可编程内部温度补偿功能补偿电流感测元件的温度系数。(京湘)


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关键词: Intel VRD DrMOS 多相PWM

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