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SLIC充电泵(08-100)

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作者:John Betten 德州仪器(TI)时间:2009-03-05来源:电子产品世界收藏

  其中,Vsat为Q1最低的期望发射极-集电极电压,VBE2为Q2的基极-发射极电压。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/92133.htm

  图3显示了3.3V输入应用之后的输出电压。由于-48V输出跟踪在大约两倍调节电压上,因此-24V输出上升至稳压状态。一旦处于稳压状态时,-24V输出就随负载发生少许变化。

 

  图3 -24V和-48V电源的受控关断

  在所有负载状态下,-48V输出电压变化低于±1.5%。较好的电压交叉调节归因于钳位控制的充电泵工作特性。在-24V输出端上引起误差的最大原因是随负载变化的二极管电压降,以及Q2基极-发射极结的变化和控制器的内部电压基准。-24V输出情况下输出纹波电压为50mVp-p,-48V输出时纹波电压为200mVp-p。1W负载的效率在72%时达到峰值。引起损耗的关键原因是内部MOSFET的传导损耗和开关损耗。

  图4显示了原型电路。整个SLIC电路占用了不到一平方英寸的电路板面积。该控制器采用6引脚、2×2mmQFN封装。该设计有赖于一个标准的单绕组电感而非较大的定制变压器或双绕组电感,以实现较小的电路板占用面积。

 

  图4 电路占用了不到一平方英寸的电路板面积

  这种方法成本很低。该设计的最大输出功率受内部FET的电流极限限制。使用一个更高的输入电压和大电感值降低了FET峰值电流,从而提高了可以实现的最大输出功率。然而,对于较低的输入电压而言,该电路是一款实用且经济的解决方案。


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关键词: TI SLIC充电泵

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