业界第一个商用TMBS整流器与传统整流器电子应用的对比(08-100)

　　　1800 W/200 V SMPS

　　为了进行200 V应用的分析，对AC-DC电信1800 W SMPS进行了测试。当测得30 A/51 V DC输出电流时，与商用200 V平面肖特基整流器相比，200 V TMBS解决方案的效率可提高0.44 %。这个SMPS使用了四个肖特基整流器，每个整流器都有一个共用负极，采用双整流器配置。与评估的采用传统平面肖特基技术的1.60 cm2 的1800 W SMPS相比，TMBS方法总的硅利用率为0.73 cm2(约为46 %)。表4所示为+50℃环境温度恒温室的测试结果。

　　表4 在+50℃环境温度下额定1800 W的SMPS上的TMBS、平面肖特基和UFRD之间的效率基准。所有样品均采用表1所示片芯尺寸的TO-247封装

　　200 V电信DC-DC转换器

　　在200 V条件下还对一个全砖48 V输入和18 A/32 V输出的隔离式电信DC-DC转换器进行了测试。这种DC-DC转换器拓扑结构由两个350 kHz开关频率的正激式转换器组成，使用了四个200 V额定30 A的整流器。UFRD 2型和3型器件是具有低于17 ns TRR典型值的超快恢复整流器。

　　在+25℃环境温度下，与这种应用中的超快恢复整流器相比，TMBS整流器能够提高1 %的效率。这意味着TMBS器件可以比这个DC-DC转换器使用的超快恢复整流器降低超过5 W的功耗。到目前为止，我们对可用的商用器件进行了测试，没有发现可以用于这个350 kHz应用的平面肖特基整流器元件。

　　表5 在+25℃环境温度下额定600 W的DC-DC转换器上的TMBS整流器和两个型号的UFRD之间的效率基准。所有样品均采用表1所示片芯尺寸的TO-263封装

　　结语

　　与传统平面肖特基整流器相比，TMBS器件可以在100 V条件下实现正向压降的改善，以及更好的开关性能，以及合理的反向泄漏电压范围，即使是在高达200 V的条件下。

　　TMBS产品设计的主要优势是其将平面肖特基器件表面的最大电场转移到沟道底部的外延内部的能力。这样就可以抑制势垒下降效应，降低给定肖特基势垒的反向泄漏，这意味着可以利用比平面肖特基整流器更低的电阻率和更低的势垒外延，实现正向电压和开关增益。

　　应用分析显示，350 W SMPS中的100 V/40 A器件具有最佳的节电性能，可以与120 W适配器同步设计中MOSFET的性能媲美。200 V TMBS整流器是业界第一款能够在350 kHz DC-DC转换器中使用的可以与UFRD竞争的肖特基器件，有助于改善节能效果。

　　不论是器件特征描述还是应用，用于SMPS和DC-DC转换器的TMBS器件都是成本有效和坚固的解决方案。Vishay的TMBS系列可以提供100 V、120 V、150 V和200 V的电压，有各种封装规格可供使用，使这些器件成为了各种应用易于使用和理想的选择，包括笔记本电脑、LCD显示器/电视机、台式机/服务器和电信通信电源系统的适配器。